| Термин | Буквенное обозначение | Определение |
| | отечественное | международное | |
| 1. Начальный ток стока D. Drain-Source-Kurzsch-lubstrom E. Drain current for V=0 F. Courant de drain pour V | | | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения |
| 1a. Ток стока D. Drainstrom E. Drain current F. Courant de drain | | | Ток, протекающий в цепи сток-исток при напряжении сток-исток, равном или большем, чем напряжение насыщения, и при заданном напряжении затвор-исток |
| 2. Остаточный ток стока D. Drain-Reststrom E. Drain cut-off current F. Courant de drain au blocage | | | Ток стока при напряжении между затвором и истоком, превышающем напряжение отсечки |
| 2a. Ток стока при нагруженном затворе D. Drainstrom bei Widerstand-sabschluss zwischen Source und Gate E. Drain current at a specified gatesource resistance F. Courant de drain pour une grillesource | | | Ток стока при заданном напряжении сток-исток и включенном между затвором и истоком резистором |
| 2б. Ток истока D. Sourcesstrom E. Source current F. Courant de source | | | - |
| 2в. Начальный ток истока D. Sourcestrom bei Kurzschluss zwischen Drain und Gate E. Source current witg gate shortcircuited to drain F. Courant de source la grille court- au drain | | | Ток истока при напряжении затвор-сток, равном нулю, и заданном напряжении сток-исток |
| 2г. Остаточный ток истока D. Sourcereststrom F. Source current at a specified gatedrain condition F. Courant de source dans des conditions grilledrain | | | Ток истока при заданных напряжениях затвор-исток и сток-исток |
| 2д. Ток затвора D. Gatestrom E. Gate current F. Courant de grille | | | - |
| 2е. Прямой ток затвора D. Gatedurchlassstrom E. Forward gate current F. Courant directe de grille | | | - |
| 2ж. Ток отсечки затвора D. Gatesperrstrom bei vorge-gebener Drain-Source-Spannung E. Gate cut-off current (of a fieldeffect transistor) with specified drain-source circuit conditions F. Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source | | | Ток в цепи затвора при заданных условиях цепи сток-исток |
| 3. Ток утечки затвора D. Gatereststrom E. Gate leakage current F. Courant de fuite de drain | | | Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой |
| 4. Обратный ток перехода затвор-сток D. Gatereststrom (Source offen) E. Gate cut-off current with source open-circuited F. Courant de grille | | | Ток, протекающий в цепи затвор-сток, при заданном обратном напряжении между затвором и стоком и разомкнутыми остальными выводами |
| 5. Обратный ток перехода затвор-исток D. Gatereststrom (Drain offen) E. Gate cut-off current with drain open-circuited F. Courant de grille le drain en circuit ouvert | | | Ток, протекающий в цепи затвор-исток, при заданном обратном напряжении между затвором и истоком и разомкнутыми остальными выводами |
| 5a. Ток подложки D. Substratstrom E. Substrate current F. Courant de substrat | | | - |
| 6. Напряжение отсечки полевого транзистора Напряжение отсечки D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source cut-off voltage F. Tension grille-source de blocage | | | Напряжение между затвором и истоком транзистора с переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
| 7. Пороговое напряжение полевого транзистора Пороговое напряжение D. Schwellspannung E. Gate-source threshold voltage F. Tension de seuil grille-source | | | Напряжение между затвором и истоком транзистора с изолированным затвором, работающего в режиме обогащения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения |
| 7a. Напряжение сток-исток D. Drain-Source-Spannung E. Drain-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-source | | | - |
| 7б. Напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Spannung E. Gate-source (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-source | | | - |
| 7в. Прямое напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Durch-lassspannung E. Forward gate-source (d. с.) voltage F. Tension directe (continue) grille-source | | | - |
| 7г. Обратное напряжение затвор-исток D. Gate-Source-Sperrspannung E. Reverse gate-source (d. c.) voltage F. Tension inverse (continue) grille-source | | | - |
| 7д. Напряжение затвор-сток D. Gate-Drain-Spannung E. Gate-drain (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-drain | | | - |
| 7e. Напряжение исток-подложка D. Source-Substrat-Spannung E. Source-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) source-substrat | | | - |
| 7ж. Напряжение сток-подложка D. Drain-Substrat-Spannung E. Drain-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) drain-substrat | | | - |
| 7з. Напряжение затвор-подложка D. Gate-Substrat-Spannung E. Gate-substrate (d. c.) voltage F. Tension (continue) grille-substrat | | | - |
| 7и. Пробивное напряжение затвора D. Gate-Source-Durchbruch-spannung E. Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) F. Tension de claquage grillesource | | | Напряжение пробоя затвор-исток при замкнутых стоке и истоке |
| 8. Крутизна характеристики полевого транзистора Крутизна характеристики D. E. Forward transconductance F. Transconductance directe | | | Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
| 9. Крутизна характеристики по подложке | | | Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на подложке при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком |
| 10. Сопротивление сток-исток в открытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei Transistor E. Drain-source onstate resistance F. drainsource passent | | | Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжении насыщения |
| 10a. Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии D. Drain-Source-Widerstand bei gesperrtem Transistor E. Drain-source off-state resistance F. drain-source | | | Сопротивление между стоком и истоком в закрытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток |
| 11. Емкость сток-исток D. Drain-Source E. Drain-source capacitance F. Capacite drain-source | | | Емкость между стоком и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
| 12. Емкость затвор-сток D. Gate-Drain E. Gate-drain capacitance F. grille-drain | | | Емкость между затвором и стоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
| 13. Емкость затвор-исток D. Gate-Source E. Gate-source capacitance F. grille-source | | | Емкость между затвором и истоком при разомкнутых по переменному току остальных выводах |
| 14. Входная емкость полевого транзистора Входная емкость D. E. Input capacitance F. | | | Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выводе в схеме с общим истоком |
| 15. Выходная емкость полевого транзистора Выходная емкость D. E. Output capacitance F. de sortie | | | Емкость между стоком и истоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
| 16. Проходная емкость полевого транзистора Проходная емкость D. E. Reverse transfer capacitance F. de transfert inverse | | | Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком |
| 17. Полная входная проводимость полевого транзистора Полная входная проводимость D. Kurzschluss-Eingangs-scheinleitwert E. Schort-circuit input admittance F. Admittance d'entree, la sortie etant en court-circuit | | | - |
| 18. Активная составляющая входной проводимости полевого транзистора Активная входная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Eingangsleitwertes E. Short-circuit input conductance F. Conductance , la sortie en court-circuit | | | - |
| 19. Полная проводимость обратной передачи полевого транзистора Полная проводимость обратной передачи D. Kurzschlussscheinleitwert E. Short-circuit reverse transfer admittance F. Admittance de transfert inverse, en court-circuit | | | - |
| 20. Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости обратной передачи D. Betrag des Kurzschlusswertes E. Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit | | | - |
| 21. Полная проводимость прямой передачи полевого транзистора Полная проводимость прямой передачи D. Kurzschluss F. Short-circuit forward transfer admittance F. Admittance de transfert direct, la sortie, etant en court-circuit | | | - |
| 22. Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи D. Betrag des Kurzschluss- E. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance F. Module de l'admittance de transfert direct, la sortie etant en court-circuit | | | - |
| 23. Полная выходная проводимость полевого транзистора Полная выходная проводимость D. Kurzschluss-Ausgangs-scheinleitwert E. Short-circuit output admittance F. Admittance de sortie, en court-circuit | | | - |
| 24. Активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора Активная выходная проводимость D. Realteil des Kurzschluss-Ausgangsleitwertes E. Short-circuit output conductance F. Conductance de sortie, en court-circuit | | | - |
| 25. Шумовое напряжение полевого транзистора Шумовое напряжение D. Rauschspannung E. Noise voltage F. Tension de bruit | | | Эквивалентное шумовое напряжение, приведенное ко входу, в полосе частот при определенном полном сопротивлении генератора в схеме с общим истоком |
| 26. Электродвижущая сила шума полевого транзистора э.д.с. шума D. Rauschurspannung E. Noise force electrovelocity | | | Спектральная плотность эквивалентного шумового напряжения, приведенного ко входу, при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком |
| 27. Шумовой ток полевого транзистора Шумовой ток D. Rauschstrom E. Noise current F. Courant de bruit | | | Эквивалентный шумовой ток, приведенный ко входу, при разомкнутом входе в полосе частот в схеме с общим истоком |
| 28. Шумовое сопротивление полевого транзистора Шумовое сопротивление D. Rauschwiderstand E. Noise resistance F. de bruit | | | Эквивалентное шумовое сопротивление при коротком замыкании на входе в схеме с общим истоком, определяемое соотношением , где - э.д.с. шума |
| 29. Коэффициент шума полевого транзистора Коэффициент шума D. Rauschfaktor E. Noise figure F. Facteur de bruit | | | Отношение полной мощности шумов на выходе полевого транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
| 30. Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора Коэффициент усиления по мощности D. E. Power gain F. Gain en puissance | | | Отношение мощности на выходе полевого транзистора к мощности на входе при определенной частоте и схеме включения |
| 31. Время задержки включения полевого транзистора Время задержки включения D. E. Turn-on delay time F. Retard la croissance | | | Интервал времени между 10%-ным значением амплитуды фронта входного импульса, включающего полевой транзистор, и 10%-ным значением амплитуды фронта выходного импульса |
| 32. Время нарастания для полевого транзистора Время нарастания D. Anstiegszeit E. Rise time F. Temps de croissance | | | Интервал времени между 10%-ным и 90%-ным значениями амплитуды фронта импульса на выходе при включении полевого транзистора |
| 33. Время задержки выключения полевого транзистора Время задержки выключения D. E. Turn-off delay time F. Retard | | | Интервал времени между 90%-ным значением амплитуды среза входного импульса, вызвавшего включение полевого транзистора, и 90%-ным значением амплитуды среза выходного импульса |
| 34. Время спада для полевого транзистора Время спада D. Abfallzeit E. Fall time F. Temps de | | | Интервал времени между 90%-ным и 10%-ным значениями амплитуды среза выходного импульса при выключении транзистора |
| 35. Время включения полевого транзистора Время включения D. Einschaltzeit E. Turn-on time F. Temps total | | | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки включения и времени нарастания для полевого транзистора |
| 36. Время выключения полевого транзистора Время выключения D. Ausschaltzeit E. Turn-off time F. Temps total de coupure | | | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки выключения и времени спада |
| 37. Разность напряжений затвор-исток D. Gate-Source-Spannungs-differenz (eines Doppelgate-Feldeffekttransistors) E. Difference of gate-source voltages F. Difference des tension grille-source | | | Абсолютное значение разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора при заданном токе стока |
| 38. Температурный уход разности напряжений затвор-исток D. Temperaturdrift der Gate-Source- Spannungsdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Drift of difference of gate-source voltage with temperature F. Variation de la difference des tensions grillesource avec la temperature | | | Отношение изменения разности напряжений между затвором и истоком сдвоенного полевого транзистора к вызвавшему его изменению температуры окружающей среды |
| 39. Разность активных выходных проводимостей D. Differenz der Realteile der Ausgangsleitwerte (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) | | | Абсолютное значение разности активных выходных проводимостей сдвоенного полевого транзистора |
| 40. Отношение начальных токов стока D. Drain-Source-Kurzsch (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) E. Ratio of drain currents F. Rapport de courant de drain | | | Отношение меньшего значения начального тока стока к большему значению начального тока стока сдвоенного полевого транзистора |
| 41. Разность токов утечки затвора D. Gatereststromdifferenz (eines Doppelgate-Feldef-fekttransistors) | | | - |
| 41a. Постоянная рассеиваемая мощность стока D. Drain-Source-Verlustleistung | | | - |
| 42*. Максимально допустимое напряжение сток-исток D. Maximal Drain-Source-Spannung E. Maximum drain-source-voltage F. Tension maximale drain-source | | | - |
| _______________ * Под максимально допустимыми параметрами понимают значения конкретных режимов транзистора, которые потребитель не должен превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. |
| 43. Максимально допустимое напряжение затвор-исток D. Maximal Gate-Source-Spannung E. Maximum gate-source voltage F. Tension grille-source maximale | | | - |
| 44. Максимально допустимое напряжение затвор-сток D. Maximal Gate-Drain-Spannung E. Maximum gate-drain voltage F. Tension grille-drain maximale | | | - |
| 45. Максимально допустимое напряжение сток-подложка D. Maximal Drain-Bulk-Spannung E. Maximum drain-substrate voltage F. Tension maximale drain-substrat | | | - |
| 46. Максимально допустимое напряжение исток-подложка D. Maximal Source-Bulk-Spannung E. Maximum source-substrate voltage F. Tension maximale source-substrat | | | - |
| 47. Максимально допустимое напряжение затвор-подложка D. Maximal Gate-Bulk-Spannung E. Maximum gate-substrate voltage F. Tension maximale grille-substrate | | | - |
| 48. Максимально допустимое напряжение между затворами D. Maximal Spannung zwischen den Gates E. Maximum gate-gate voltage F. Tension maximale grille-grille | | | - |
| 49. Максимально допустимый постоянный ток стока D. Maximal Drain Gleichstrom E. Maximum drain current F. Courant maximale de drain | | | - |
| 50. Максимально допустимый прямой ток затвора D. Maximal Gate E. Maximum forward gate current F. Courant directe de grille | | | - |
| 51. Максимально допустимый импульсный ток стока D. Maximal Drain-Impulsstrom | | | Импульсный ток стока при заданных длительности и скважности импульсов |
| 52. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal Dauerver-lustleistung E. Power dissipation F. Dissipation de puissance | | | - |
| 53. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность полевого транзистора D. Maximal Impulsverlustleistung | | | Мощность, рассеиваемая полевым транзистором в импульсе при заданных скважности и длительности импульсов |
| Время включения | 35 |
| Время включения полевого транзистора | 35 |
| Время выключения | 36 |
| Время выключения полевого транзистора | 36 |
| Время задержки включения | 31 |
| Время задержки включения полевого транзистора | 31 |
| Время задержки выключения | 33 |
| Время задержки выключения полевого транзистора | 33 |
| Время нарастания | 32 |
| Время нарастания для полевого транзистора | 32 |
| Время спада | 34 |
| Время спада для полевого транзистора | 34 |
| Емкость входная | 14 |
| Емкость выходная | 15 |
| Емкость затвор-исток | 13 |
| Емкость затвор-сток | 12 |
| Емкость полевого транзистора входная | 14 |
| Емкость полевого транзистора выходная | 15 |
| Емкость полевого транзистора проходная | 16 |
| Емкость проходная | 16 |
| Емкость сток-исток | 11 |
| Коэффициент усиления по мощности | 30 |
| Коэффициент усиления по мощности полевого транзистора | 30 |
| Коэффициент шума | 29 |
| Коэффициент шума полевого транзистора | 29 |
| Крутизна характеристики | 8 |
| Крутизна характеристики полевого транзистора | 8 |
| Крутизна характеристики по подложке | 9 |
| Модуль полной проводимости обратной передачи | 20 |
| Модуль полной проводимости обратной передачи полевого транзистора | 20 |
| Модуль полной проводимости прямой передачи | 22 |
| Модуль полной проводимости прямой передачи полевого транзистора | 22 |
| Мощность полевого транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 53 |
| Мощность полевого транзистора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 52 |
| Мощность стока рассеиваемая постоянная | 41а |
| Напряжение затвор-исток | 7б |
| Напряжение затвор-исток максимально допустимое | 43 |
| Напряжение затвора пробивное | 7и |
| Напряжение затвор-исток прямое | 7в |
| Напряжение затвор-исток обратное | 7г |
| Напряжение затвор-подложка | 7з |
| Напряжение затвор-подложка максимально допустимое | 47 |
| Напряжение затвор-исток | 7д |
| Напряжение затвор-сток максимально допустимое | 44 |
| Напряжение исток-подложка | 7е |
| Напряжение исток-подложка максимально допустимое | 46 |
| Напряжение между затворами максимально допустимое | 48 |
| Напряжение отсечки | 6 |
| Напряжение отсечки полевого транзистора | 6 |
| Напряжение полевого транзистора пороговое | 7 |
| Напряжение полевого транзистора шумовое | 25 |
| Напряжение пороговое | 7 |
| Напряжение сток-исток | 7а |
| Напряжение сток-исток максимально допустимое | 42 |
| Напряжение сток-подложка | 7ж |
| Напряжение сток-подложка максимально допустимое | 45 |
| Напряжение шумовое | 25 |
| Отношение начальных токов стока | 40 |
| Проводимость входная активная | 18 |
| Проводимость входная полная | 17 |
| Проводимость выходная активная | 24 |
| Проводимость выходная полная | 23 |
| Проводимость обратной передачи полевого транзистора полная | 19 |
| Проводимость обратной передачи полная | 19 |
| Проводимость полевого транзистора входная полная | 17 |
| Проводимость полевого транзистора выходная полная | 23 |
| Проводимость прямой передачи полевого транзистора полная | 21 |
| Проводимость прямой передачи полная | 21 |
| Разность активных выходных проводимостей | 39 |
| Разность напряжений затвор-исток | 37 |
| Разность токов утечки затвора | 41 |
| Сопротивление полевого транзистора шумовое | 28 |
| Сопротивление сток-исток в закрытом состоянии | 10а |
| Сопротивление сток-исток в открытом состоянии | 10 |
| Сопротивление шумовое | 28 |
| Составляющая входной проводимости полевого транзистора активная | 18 |
| Составляющая выходной проводимости полевого транзистора активная | 24 |
| Ток затвора | 2д |
| Ток затвора прямой | 2е |
| Ток затвора прямой максимально допустимый | 50 |
| Ток истока | 2б |
| Ток истока начальный | 2в |
| Ток истока остаточный | 2г |
| Ток отсечки затвора | 2ж |
| Ток подложки | 5а |
| Ток полевого транзистора шумовой | 27 |
| Ток перехода затвор-исток обратный | 4 |
| Ток перехода затвор-сток обратный | 5 |
| Ток стока | 1а |
| Ток стока импульсный максимально допустимый | 51 |
| Ток стока начальный | 1 |
| Ток стока остаточный | 2 |
| Ток стока при нагруженном затворе | 2а |
| Ток стока при разомкнутом выводе остаточный | 2 |
| Ток стока постоянный максимально допустимый | 49 |
| Ток утечки затвора | 3 |
| Ток шумовой | 27 |
| Уход разности напряжений затвор-исток температурный | 38 |
| Э.д.с. шума | 26 |
| Электродвижущая сила шума полевого транзистора | 26 |
| Difference of gate-source voltages | 37 |
| Drain current | 1а |
| Drain current at a specified gate-source resistance | 2а |
| Drain current for V=0 | 1 |
| Drain cut-off current | 2 |
| Drain-source capacitance | 11 |
| Drain-source off-state resistance | 10а |
| Drain-source on-state resistance | 10 |
| Drain-source (d. c.) voltage | 7а |
| Drain-substrate (d. c.) voltage | 7ж |
| Drift of difference of gate-source voltage with temperature | 38 |
| Fall time | 34 |
| Forward gate current | 2е |
| Forward gate-source (d. c.) voltage | 7в |
| Forward transconductance | 8 |
| Gate current | 2д |
| Gate-cut-off current with drain open-circuited | 5 |
| Gate-cut-off current with source open-circuited | 4 |
| Gate-cut-off current (of a field-effect transistor) with specified drain-source circuit conditions | 2ж |
| Gate-drain capacitance | 12 |
| Gate-drain (d. c.) voltage | 7д |
| Gate leakage current | 3 |
| Gate-source breakdown voltage (with drain short-circuited to source) | 7и |
| Gate-source capacitance | 13 |
| Gate-source cut-off voltage | 6 |
| Gate-source threshold voltage | 7 |
| Gate-source (d. c.) voltage | 7б |
| Gate-substrate (d. c.) voltage | 7з |
| Input capacitance | 14 |
| Maximum drain current | 49 |
| Maximum drain-source voltage | 42 |
| Maximum drain-substrate voltage | 45 |
| Maximum forward gate current | 50 |
| Maximum gate-drain voltage | 44 |
| Maximum gate-gate voltage | 48 |
| Maximum gate-source voltage | 43 |
| Maximum gate-substrate voltage | 47 |
| Maximum source-substrate voltage | 46 |
| Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | 22 |
| Modulus of the short-circuit reverse transfer admittance | 20 |
| Noise current | 27 |
| Noise figure | 29 |
| Noise force electrovelocity | 26 |
| Noise resistance | 28 |
| Noise voltage | 25 |
| Output capacitance | 15 |
| Power dissipation | 52 |
| Power gain | 30 |
| Ratio of drain currents | 40 |
| Reverse gate-source (d. c.) voltage | 7г |
| Reverse transfer capacitance | 16 |
| Rise time | 32 |
| Short-circuit forward transfer admittance | 21 |
| Short-circuit input admittance | 17 |
| Short-circuit input conductance | 18 |
| Short-circuit output admittance | 23 |
| Short-circuit output conductance | 24 |
| Short-circuit reverse transfer admittance | 19 |
| Source current | 2б |
| Source current at a specified gate-drain condition | 2г |
| Source current with gate short-circuited to drain | 2в |
| Source-substrate (d. c.) voltage | 7е |
| Substrate current | 5а |
| Turn-off delay time | 33 |
| Turn-on delay time | 31 |
| Turn-off time | 36 |
| Turn-on time | 35 |
| Admittance , la sortie en court-circuit | 17 |
| Admittance de sortie, en court-circuit | 23 |
| Admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 21 |
| Admittance de transfert inverse, en court-circuit | 19 |
| | 14 |
| de sortie | 15 |
| de transfert inverse | 16 |
| drain-source | 11 |
| grille-drain | 12 |
| grille-source | 13 |
| Couductance , la sortie en court-circuit | 18 |
| Couductance de sortie l'entree en court-circuit | 24 |
| Courant de bruit | 27 |
| Courant de drain | 1а |
| Courant de drain au blocage | 2 |
| Courant de drain pour V=0 | 1 |
| Courant de drain pour une grille-source | 2а |
| Courant de fuite de drain | 3 |
| Courant de fuite de grille dans des conditions de circuit drain-source | 2ж |
| Courant de grille | 2д |
| Courant de source | 2б |
| Courant de source dans des conditions grille-drain | 2г |
| Courant de source la grille au drain | 2в |
| Courant de substrat | 5а |
| Courant directe de grille | 2е, 50 |
| Courant maximale de drain | 49 |
| Courant de grille | 4 |
| Courant de grille le drain etant en circuit ouvert | 5 |
| Difference des tension grille-source | 37 |
| Dissipation de puissance | 52 |
| Facteur de bruit | 29 |
| Gain en puissance | 30 |
| Module de l'admittance de transfert direct, la sortie en court-circuit | 22 |
| Module de l'admittance de transfert inverse en court-circuit | 20 |
| Rapport de courant de drain | 40 |
| de bruit | 28 |
| drain-source | 10а |
| drain-source passent | 10 |
| Retard la croissance | 31 |
| Retard | 33 |
| Temps de croissance | 32 |
| Temps de | 34 |
| Temps total de coupure | 36 |
| Temps total | 35 |
| Tension de bruit | 25 |
| Tension de claquage grille-source | 7и |
| Tension de seuil grille-source | 7 |
| Tension directe (continue) grille-source | 7в |
| Tension (continue) drain-source | 7а |
| Tension (continue) drain-substrat | 7ж |
| Tension (continue) grille-drain | 7д |
| Tension grille-drain maximale | 44 |
| Tension (continue) grille-source | 7б |
| Tension grille-source de blocage | 6 |
| Tension grille-source maximale | 43 |
| Tension (continue) grille-substrat | 7з |
| Tension inverse (continue) grille-source | 7г |
| Tension maximale drain-source | 42 |
| Tension maximale drain-substrat | 45 |
| Tension maximale grille-grille | 48 |
| Tension maximale grille-substrat | 47 |
| Tension maximale source-substrat | 46 |
| Tension (continue) source-substrat | 7е |
| Transconductance directe | 8 |
| Variation de la difference des tensions grille-source avec la | 38 |