Термин | Буквенное обозначение | Определение |
| отечест- венное | междуна- родное | |
1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) | | | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
E. Collector cut-off current | | | |
F. Courant du collecteur | | | |
2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) | | | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора |
E. Emitter cut-off current | | | |
F. Courant | | | |
3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора | | - | Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер |
D. Kollektor-Emitter-Reststrom | | | |
E. Collector-emitter cut-off current | | | |
F. Courant du | | | |
________________ При разомкнутом выводе базы , ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база , . |
4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom | | | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база |
E. Base cut-off current | | | |
F. Courant de la base | | | |
5. Критический ток биполярного транзистора | | - | Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | | | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- | | | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
E. Saturation collector-emitter voltage | | | |
F. Tension de saturation | | | |
8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter- | | | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
E. Saturation baseemitter voltage | | | |
F. Tension de saturation | | | |
9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage | | | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю |
F. Tension flottante | | | |
10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de (tension de persage) | | | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база |
11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung | | | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю |
Е. Breakdown emitter-base voltage | | | |
F. Tension de claquage | | | |
12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung | | | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю |
Е. Breakdown collector-base voltage | | | |
F. Tension de claquage collecteur-base | | | |
13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | | - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора |
Е. Breakdown collector-emitter voltage | | | |
F. Tension de claquage | | | |
________________ При токе базы, равном нулю, , , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении база-эмиттер , . |
14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand | * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance | | | |
F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. | * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | | | |
F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux | | | |
16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. | * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току |
Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | | | |
F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | | | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
D. Betrag der in Emitterschaltung bei HF | | | |
Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | | | |
F. Module du rapport de transfert direct du courant | | | |
18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert | * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току |
Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance | | | |
F. Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux | | | |
19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала | | | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером |
Е. Static value of the input resistance | | | |
F. Valeur statique de la | | | |
20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. in Emitterschaltung | | | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
Е. Static value of the forward current transfer ratio | | | |
F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | | | |
21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert | * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance | | | |
F. Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer | * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе |
Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | | | |
F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux | | | |
23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer | * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | | | |
F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | | | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
D. Betrag des | | | |
Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | | | |
F. Module de l'admittance de transfert direct | | | |
25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert | * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе |
Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance | | | |
F. Valeur de l'admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux | | | |
26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики | | | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
D. Statische in Emitterschaltung | | | |
Е. Static value of the forward transconductance | | | |
F. Pente statique de transfert direct | | | |
27. Входная емкость биполярного транзистора D. | * | | Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала |
Е. Input capacitance | | | |
F. | | | |
28. Выходная емкость биполярного транзистора D. | * | | Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала |
Е. Output capacitance | | | |
F. de sortie | | | |
28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. | * | * | Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала |
Е. Feedback capacitance | | | |
F. de couplage | | | |
29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der | | | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
Е. Cut-off frequency | | | |
F. de conpure | | | |
30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. der (Transitfrequenz) Е. Transition frequency F. de transition | | | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву |
31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора | | | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
Е. Maximum frequency of oscillation | | | |
F. maximale d'oscillation | | | |
32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl | | | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
Е. Noise figure | | | |
F. Facteur de bruit | | | |
32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl | | | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума |
Е. Minimal noise figure | | | |
F. Facteur de bruit minimum | | | |
32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Rauschspannung Е. Equivalent noise voltage | | | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным |
F. Tension de bruit | | | |
33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора | | | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения |
Ндп. Степень насыщения | | | |
Е. Saturation coefficient | | | |
F. Coefficient de saturation | | | |
34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. | | | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения |
Е. Power gain | | | |
F. Gain en puissance | | | |
34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale | | | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума |
Е. Optimal power gain | | | |
F. Gain de puissance optimum | | | |
35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad | | | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания |
Е. Collector efficiency | | | |
F. du collocteur | | | |
36. Время задержки для биполярного транзистора D. Е. Delay time | | | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды |
F. Retard la croissance | | | |
37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit Е. Rise time | | | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды |
F. Temps de croissance | | | |
38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit Е. Carrier storage time | | | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
F. Retard | | | |
39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit | | | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды |
Е. Fall time | | | |
F. Temps de | | | |
40. Время включения биполярного транзистора | | | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания |
D. Einschaltzeit | | | |
Е. Turn-on time | | | |
F. Temps total | | | |
41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time | | | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения |
F. Temps total de coupure | | | |
42. Сопротивление базы биполярного транзистора | | | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер |
D. Basisbahnwiderstand | | | |
Е. Base intrinsic resistance | | | |
F. de base | | | |
43. Емкость эмиттерного перехода D. der Emittersperrschicht | | | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи |
Е. Emitter capacitance | | | |
F. | | | |
44. Емкость коллекторного перехода D. der Kollektorsperrschicht | | | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи |
Е. Collector capacitance | | | |
F. collecteur | | | |
45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | | | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
D. | | | |
Е. Collector-base time constant | | | |
46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
50. Постоянный ток коллектора | | | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
D. Kollektorgleichstrom | | | |
Е. Collector (d.с.) current | | | |
F. Courant continu de collecteur | | | |
51. Постоянный ток эмиттера | | | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
D. Emittergleichstrom | | | |
Е. Emitter (d.с.) current | | | |
F. Courant continu d'emetteur | | | |
52. Постоянный ток базы | | | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
D. Basisgleichstrom | | | |
Е. Base (d.с.) current | | | |
F. Courant continu de base | | | |
53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения | | | - |
Е. Saturation collector current | | | |
F. Courant de saturation collecteur | | | |
54. Постоянный ток базы в режиме насыщения | | | - |
Е. Saturation base current | | | |
F. Courant de saturation base | | | |
55. Импульсный ток коллектора | | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса |
56. Импульсный ток эмиттера | | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса |
57. Постоянное напряжение эмиттер-база | | | Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы |
D. Emitter-Basis-Spannung | | | |
Е. Emitter-base (d.с.) voltage | | | |
F. Tension continue | | | |
58. Постоянное напряжение коллектор-база | | | Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы |
D. Kollektor-Basis-Spannung | | | |
Е. Collector-base (d.с.) voltage | | | |
F. Tension continue collecteur-base | | | |
59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | | | Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера |
D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | | | |
Е. Collector-emitter (d.с.) voltage | | | |
F. Tension continue | | | |
________________ При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, , ; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база , . |
60. Выходная мощность биполярного транзистора | | | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
D. Ausgangsleistung | | | |
Е. Output power | | | |
61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
D. Gesamtverlustleistung | | | |
Е. Total input power (d.c.) to all electrodes | | | |
F. Puissance totale de toutes les | | | |
62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
D. Mittlere Verlustleistung | | | |
Е. Total input power (average) to all electrodes | | | |
F. Puissance totale (moyenne) de toutes les | | | |
63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | - |
D. Impulsverlustleistung | | | |
F. Peak power dissipation | | | |
F. Puissance | | | |
64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | | | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung | | | |
Е. Collector (d.c.) power dissipation | | | |
F. Puissance (continue) au collecteur | | | |
65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора | | | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
D. Mittlere Kollektorverlustleistung | | | |
Е. Collector (average) power dissipation | | | |
F. Ruissance (moyenne) au collecteur | | | |
65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power | | | Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами |
65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor | | | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor | | | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** | | | |
66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора | | | - |
D. Maximal Kollektorgleichstrom | | | |
Е. Maximum collector (d.с.) current | | | |
F. Courant continu de collecteur maximal | | | |
67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера | | | - |
D. Maximal Emittergleichstrom | | | |
Е. Maximum emitter (d.с.) current | | | |
F. Courant continu d'emetteur maximal | | | |
68. Максимально допустимый постоянный ток базы | | | - |
D. Maximal Basisgleichstrom | | | |
Е. Maximum base (d.с.) current | | | |
F. Courant continu de base maximal | | | |
69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора | | | - |
D. Maximal Kollektorimpulsstrom | | | |
Е. Maximum peak collector current | | | |
F. Courant de de collecteur maximal | | | |
70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера | | | - |
D. Maximal Emitterimpulsstrom | | | |
Е. Maximum peak emitter current | | | |
F. Courant de d'emetteur maximal | | | |
71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения | | | - |
Е. Maximum saturation collector current | | | |
F. Courant de saturation collecteur maximal | | | |
72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения | | | - |
Е. Maximum saturation base current | | | |
F. Courant de saturation base maximal | | | |
73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база | | | - |
D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung | | | |
Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage | | | |
F. Tension continue maximale | | | |
74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база | | | - |
D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung | | | |
Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage | | | |
F. Tension continue collecteur-base maximale | | | |
75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер | | | - |
D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung | | | |
Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | | | |
F. Tension continue maximale | | | |
76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер | | | - |
D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung | | | |
E. Maximum peak collector-emitter voltage | | | |
F. Tension de maximale | | | |
77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база | | | - |
D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung | | | |
E. Maximum peak collector-base voltage | | | |
F. Tension de collector-base maximale | | | |
78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | | | - |
D. Maximal Kollektorverlustleistung | | | |
E. Maximum collector power dissipation (d.c.) | | | |
F. Puissance au collecteur (continue) maximale | | | |
79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора | | - | - |
E. Maximum collector power dissipation (average) | | | |
F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale | | | |
80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | - |
D. Maximal Impulsverlustleistung | | | |
E. Maximum peak power dissipation | | | |
F. Puissance maximale | | | |
Время включения биполярного транзистора | 40 |
Время выключения биполярного транзистора | 41 |
Время задержки для биполярного транзистора | 36 |
Время нарастания для биполярного транзистора | 37 |
Время рассасывания для биполярного транзистора | 38 |
Время спада для биполярного транзистора | 39 |
Емкость биполярного транзистора входная | 27 |
Емкость биполярного транзистора выходная | 28 |
Емкость коллекторного перехода | 44 |
Емкость обратной связи биполярного транзистора | 28а |
Емкость эмиттерного перехода | 43 |
Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора | 65в |
Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора | 65б |
Коэффициент насыщения биполярного транзистора | 33 |
Коэффициент обратной передачи напряжения | 47 |
Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 15 |
Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора | 46 |
Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора | 49 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 16 |
Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический | 20 |
Коэффициент полезного действия коллектора | 35 |
Коэффициент прямой передачи напряжения | 48 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | 34 |
Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный | 34а |
Коэффициент шума биполярного транзистора | 32 |
Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный | 32а |
Крутизна передаточной характеристики статическая | 26 |
Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая | 26 |
Крутизна характеристики статическая | 26 |
Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | 17 |
Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | 24 |
Мощность биполярного транзистора выходная | 60 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная | 63 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 80 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная | 61 |
Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя | 62 |
Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная | 65а |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная | 64 |
Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 78 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя | 65 |
Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая | 79 |
Напряжение биполярного транзистора граничное | 6 |
Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое | 77 |
Напряжение коллектор-база постоянное | 58 |
Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое | 74 |
Напряжение коллектор-база пробивное | 12 |
Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое | 76 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное | 59 |
Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое | 75 |
Напряжение коллектор-эмиттер пробивное | 13 |
Напряжение насыщения база-эмиттер | 8 |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 7 |
Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | 6 |
Напряжение смыкания биполярного транзистора | 10 |
Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное | 32б |
Напряжение эмиттер-база плавающее | 9 |
Напряжение эмиттер-база постоянное | 57 |
Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое | 73 |
Напряжение эмиттер-база пробивное | 11 |
Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | 45 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная | 21 |
Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная | 18, 25 |
Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 22 |
Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 23 |
Сопротивление базы биполярного транзистора | 42 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное | 19 |
Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное | 14 |
Степень насыщения | 33 |
Ток базы обратный | 4 |
Ток базы постоянный | 52 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения | 54 |
Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 72 |
Ток базы постоянный максимально допустимый | 68 |
Ток биполярного транзистора критический | 5 |
Ток коллектора закрытого транзистора | 3 |
Ток коллектора импульсный | 55 |
Ток коллектора импульсный максимально допустимый | 69 |
Ток коллектора начальный | 3 |
Ток коллектора обратный | 1 |
Ток коллектора постоянный | 50 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения | 53 |
Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 71 |
Ток коллектора постоянный максимально допустимый | 66 |
Ток коллектор-эмиттер обратный | 3 |
Ток эмиттера импульсный | 56 |
Ток эмиттера импульсный максимально допустимый | 70 |
Ток эмиттера обратный | 2 |
Ток эмиттера постоянный | 51 |
Ток эмиттера постоянный максимально допустимый | 67 |
Частота генерации биполярного транзистора максимальная | 31 |
Частота коэффициента передачи тока граничная | 30 |
Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная | 29 |