| Термин | Буквенное обозначение | Определение |
| | отечест- венное | междуна- родное | |
| 1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) | | | Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера |
| E. Collector cut-off current | | | |
| F. Courant du collecteur | | | |
| 2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) | | | Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора |
| E. Emitter cut-off current | | | |
| F. Courant | | | |
| 3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора | | - | Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер |
| D. Kollektor-Emitter-Reststrom | | | |
| E. Collector-emitter cut-off current | | | |
| F. Courant du | | | |
| ________________ При разомкнутом выводе базы , ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база , . |
| 4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom | | | Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база |
| E. Base cut-off current | | | |
| F. Courant de la base | | | |
| 5. Критический ток биполярного транзистора | | - | Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
| 6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | | | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера |
| 7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- | | | Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
| E. Saturation collector-emitter voltage | | | |
| F. Tension de saturation | | | |
| 8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter- | | | Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора |
| E. Saturation baseemitter voltage | | | |
| F. Tension de saturation | | | |
| 9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage | | | Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю |
| F. Tension flottante | | | |
| 10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de (tension de persage) | | | Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база |
| 11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung | | | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю |
| Е. Breakdown emitter-base voltage | | | |
| F. Tension de claquage | | | |
| 12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung | | | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю |
| Е. Breakdown collector-base voltage | | | |
| F. Tension de claquage collecteur-base | | | |
| 13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | | - | Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора |
| Е. Breakdown collector-emitter voltage | | | |
| F. Tension de claquage | | | |
| ________________ При токе базы, равном нулю, , , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении база-эмиттер , . |
| 14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand | * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора |
| Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance | | | |
| F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. | * | | Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току |
| Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio | | | |
| F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux | | | |
| 16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. | * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току |
| Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio | | | |
| F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | | | Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте |
| D. Betrag der in Emitterschaltung bei HF | | | |
| Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio | | | |
| F. Module du rapport de transfert direct du courant | | | |
| 18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert | * | | Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току |
| Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance | | | |
| F. Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux | | | |
| 19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала | | | Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером |
| Е. Static value of the input resistance | | | |
| F. Valeur statique de la | | | |
| 20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. in Emitterschaltung | | | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером |
| Е. Static value of the forward current transfer ratio | | | |
| F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant | | | |
| 21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert | * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
| Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance | | | |
| F. Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer | * | | Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе |
| Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance | | | |
| F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer | * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе |
| Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance | | | |
| F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | | | Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером |
| D. Betrag des | | | |
| Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance | | | |
| F. Module de l'admittance de transfert direct | | | |
| 25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert | * | | Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе |
| Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance | | | |
| F. Valeur de l'admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux | | | |
| 26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики | | | Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер |
| D. Statische in Emitterschaltung | | | |
| Е. Static value of the forward transconductance | | | |
| F. Pente statique de transfert direct | | | |
| 27. Входная емкость биполярного транзистора D. | * | | Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала |
| Е. Input capacitance | | | |
| F. | | | |
| 28. Выходная емкость биполярного транзистора D. | * | | Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала |
| Е. Output capacitance | | | |
| F. de sortie | | | |
| 28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. | * | * | Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала |
| Е. Feedback capacitance | | | |
| F. de couplage | | | |
| 29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der | | | Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением |
| Е. Cut-off frequency | | | |
| F. de conpure | | | |
| 30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. der (Transitfrequenz) Е. Transition frequency F. de transition | | | Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву |
| 31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора | | | Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора |
| Е. Maximum frequency of oscillation | | | |
| F. maximale d'oscillation | | | |
| 32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl | | | Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала |
| Е. Noise figure | | | |
| F. Facteur de bruit | | | |
| 32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl | | | Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума |
| Е. Minimal noise figure | | | |
| F. Facteur de bruit minimum | | | |
| 32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Rauschspannung Е. Equivalent noise voltage | | | Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным |
| F. Tension de bruit | | | |
| 33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора | | | Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения |
| Ндп. Степень насыщения | | | |
| Е. Saturation coefficient | | | |
| F. Coefficient de saturation | | | |
| 34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. | | | Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения |
| Е. Power gain | | | |
| F. Gain en puissance | | | |
| 34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale | | | Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума |
| Е. Optimal power gain | | | |
| F. Gain de puissance optimum | | | |
| 35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad | | | Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания |
| Е. Collector efficiency | | | |
| F. du collocteur | | | |
| 36. Время задержки для биполярного транзистора D. Е. Delay time | | | Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды |
| F. Retard la croissance | | | |
| 37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit Е. Rise time | | | Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды |
| F. Temps de croissance | | | |
| 38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit Е. Carrier storage time | | | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня |
| F. Retard | | | |
| 39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit | | | Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды |
| Е. Fall time | | | |
| F. Temps de | | | |
| 40. Время включения биполярного транзистора | | | Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания |
| D. Einschaltzeit | | | |
| Е. Turn-on time | | | |
| F. Temps total | | | |
| 41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time | | | Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения |
| F. Temps total de coupure | | | |
| 42. Сопротивление базы биполярного транзистора | | | Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер |
| D. Basisbahnwiderstand | | | |
| Е. Base intrinsic resistance | | | |
| F. de base | | | |
| 43. Емкость эмиттерного перехода D. der Emittersperrschicht | | | Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи |
| Е. Emitter capacitance | | | |
| F. | | | |
| 44. Емкость коллекторного перехода D. der Kollektorsperrschicht | | | Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи |
| Е. Collector capacitance | | | |
| F. collecteur | | | |
| 45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | | | Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода |
| D. | | | |
| Е. Collector-base time constant | | | |
| 46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor | * | * | Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению |
| 50. Постоянный ток коллектора | | | Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход |
| D. Kollektorgleichstrom | | | |
| Е. Collector (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu de collecteur | | | |
| 51. Постоянный ток эмиттера | | | Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход |
| D. Emittergleichstrom | | | |
| Е. Emitter (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu d'emetteur | | | |
| 52. Постоянный ток базы | | | Постоянный ток, протекающий через базовый вывод |
| D. Basisgleichstrom | | | |
| Е. Base (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu de base | | | |
| 53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения | | | - |
| Е. Saturation collector current | | | |
| F. Courant de saturation collecteur | | | |
| 54. Постоянный ток базы в режиме насыщения | | | - |
| Е. Saturation base current | | | |
| F. Courant de saturation base | | | |
| 55. Импульсный ток коллектора | | - | Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса |
| 56. Импульсный ток эмиттера | | - | Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса |
| 57. Постоянное напряжение эмиттер-база | | | Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы |
| D. Emitter-Basis-Spannung | | | |
| Е. Emitter-base (d.с.) voltage | | | |
| F. Tension continue | | | |
| 58. Постоянное напряжение коллектор-база | | | Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы |
| D. Kollektor-Basis-Spannung | | | |
| Е. Collector-base (d.с.) voltage | | | |
| F. Tension continue collecteur-base | | | |
| 59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер | | | Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера |
| D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) | | | |
| Е. Collector-emitter (d.с.) voltage | | | |
| F. Tension continue | | | |
| ________________ При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, , ; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база , . |
| 60. Выходная мощность биполярного транзистора | | | Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте |
| D. Ausgangsleistung | | | |
| Е. Output power | | | |
| 61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе |
| D. Gesamtverlustleistung | | | |
| Е. Total input power (d.c.) to all electrodes | | | |
| F. Puissance totale de toutes les | | | |
| 62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе |
| D. Mittlere Verlustleistung | | | |
| Е. Total input power (average) to all electrodes | | | |
| F. Puissance totale (moyenne) de toutes les | | | |
| 63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | - |
| D. Impulsverlustleistung | | | |
| F. Peak power dissipation | | | |
| F. Puissance | | | |
| 64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора | | | Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
| D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung | | | |
| Е. Collector (d.c.) power dissipation | | | |
| F. Puissance (continue) au collecteur | | | |
| 65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора | | | Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора |
| D. Mittlere Kollektorverlustleistung | | | |
| Е. Collector (average) power dissipation | | | |
| F. Ruissance (moyenne) au collecteur | | | |
| 65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power | | | Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами |
| 65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor | | | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
| 65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor | | | Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд |
| Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам** | | | |
| 66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора | | | - |
| D. Maximal Kollektorgleichstrom | | | |
| Е. Maximum collector (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu de collecteur maximal | | | |
| 67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера | | | - |
| D. Maximal Emittergleichstrom | | | |
| Е. Maximum emitter (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu d'emetteur maximal | | | |
| 68. Максимально допустимый постоянный ток базы | | | - |
| D. Maximal Basisgleichstrom | | | |
| Е. Maximum base (d.с.) current | | | |
| F. Courant continu de base maximal | | | |
| 69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора | | | - |
| D. Maximal Kollektorimpulsstrom | | | |
| Е. Maximum peak collector current | | | |
| F. Courant de de collecteur maximal | | | |
| 70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера | | | - |
| D. Maximal Emitterimpulsstrom | | | |
| Е. Maximum peak emitter current | | | |
| F. Courant de d'emetteur maximal | | | |
| 71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения | | | - |
| Е. Maximum saturation collector current | | | |
| F. Courant de saturation collecteur maximal | | | |
| 72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения | | | - |
| Е. Maximum saturation base current | | | |
| F. Courant de saturation base maximal | | | |
| 73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база | | | - |
| D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung | | | |
| Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage | | | |
| F. Tension continue maximale | | | |
| 74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база | | | - |
| D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung | | | |
| Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage | | | |
| F. Tension continue collecteur-base maximale | | | |
| 75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер | | | - |
| D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung | | | |
| Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage | | | |
| F. Tension continue maximale | | | |
| 76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер | | | - |
| D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung | | | |
| E. Maximum peak collector-emitter voltage | | | |
| F. Tension de maximale | | | |
| 77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база | | | - |
| D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung | | | |
| E. Maximum peak collector-base voltage | | | |
| F. Tension de collector-base maximale | | | |
| 78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора | | | - |
| D. Maximal Kollektorverlustleistung | | | |
| E. Maximum collector power dissipation (d.c.) | | | |
| F. Puissance au collecteur (continue) maximale | | | |
| 79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора | | - | - |
| E. Maximum collector power dissipation (average) | | | |
| F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale | | | |
| 80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора | | | - |
| D. Maximal Impulsverlustleistung | | | |
| E. Maximum peak power dissipation | | | |
| F. Puissance maximale | | | |
| Время включения биполярного транзистора | 40 |
| Время выключения биполярного транзистора | 41 |
| Время задержки для биполярного транзистора | 36 |
| Время нарастания для биполярного транзистора | 37 |
| Время рассасывания для биполярного транзистора | 38 |
| Время спада для биполярного транзистора | 39 |
| Емкость биполярного транзистора входная | 27 |
| Емкость биполярного транзистора выходная | 28 |
| Емкость коллекторного перехода | 44 |
| Емкость обратной связи биполярного транзистора | 28а |
| Емкость эмиттерного перехода | 43 |
| Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора | 65в |
| Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора | 65б |
| Коэффициент насыщения биполярного транзистора | 33 |
| Коэффициент обратной передачи напряжения | 47 |
| Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 15 |
| Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора | 46 |
| Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора | 49 |
| Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала | 16 |
| Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический | 20 |
| Коэффициент полезного действия коллектора | 35 |
| Коэффициент прямой передачи напряжения | 48 |
| Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора | 34 |
| Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный | 34а |
| Коэффициент шума биполярного транзистора | 32 |
| Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный | 32а |
| Крутизна передаточной характеристики статическая | 26 |
| Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая | 26 |
| Крутизна характеристики статическая | 26 |
| Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте | 17 |
| Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора | 24 |
| Мощность биполярного транзистора выходная | 60 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная | 63 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая | 80 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная | 61 |
| Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя | 62 |
| Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная | 65а |
| Мощность коллектора рассеиваемая постоянная | 64 |
| Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая | 78 |
| Мощность коллектора рассеиваемая средняя | 65 |
| Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая | 79 |
| Напряжение биполярного транзистора граничное | 6 |
| Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое | 77 |
| Напряжение коллектор-база постоянное | 58 |
| Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое | 74 |
| Напряжение коллектор-база пробивное | 12 |
| Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое | 76 |
| Напряжение коллектор-эмиттер постоянное | 59 |
| Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое | 75 |
| Напряжение коллектор-эмиттер пробивное | 13 |
| Напряжение насыщения база-эмиттер | 8 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 7 |
| Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера | 6 |
| Напряжение смыкания биполярного транзистора | 10 |
| Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное | 32б |
| Напряжение эмиттер-база плавающее | 9 |
| Напряжение эмиттер-база постоянное | 57 |
| Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое | 73 |
| Напряжение эмиттер-база пробивное | 11 |
| Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора | 45 |
| Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная | 21 |
| Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная | 18, 25 |
| Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 22 |
| Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная | 23 |
| Сопротивление базы биполярного транзистора | 42 |
| Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное | 19 |
| Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное | 14 |
| Степень насыщения | 33 |
| Ток базы обратный | 4 |
| Ток базы постоянный | 52 |
| Ток базы постоянный в режиме насыщения | 54 |
| Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 72 |
| Ток базы постоянный максимально допустимый | 68 |
| Ток биполярного транзистора критический | 5 |
| Ток коллектора закрытого транзистора | 3 |
| Ток коллектора импульсный | 55 |
| Ток коллектора импульсный максимально допустимый | 69 |
| Ток коллектора начальный | 3 |
| Ток коллектора обратный | 1 |
| Ток коллектора постоянный | 50 |
| Ток коллектора постоянный в режиме насыщения | 53 |
| Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый | 71 |
| Ток коллектора постоянный максимально допустимый | 66 |
| Ток коллектор-эмиттер обратный | 3 |
| Ток эмиттера импульсный | 56 |
| Ток эмиттера импульсный максимально допустимый | 70 |
| Ток эмиттера обратный | 2 |
| Ток эмиттера постоянный | 51 |
| Ток эмиттера постоянный максимально допустимый | 67 |
| Частота генерации биполярного транзистора максимальная | 31 |
| Частота коэффициента передачи тока граничная | 30 |
| Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная | 29 |