-32300: transport error - HTTP status code was not 200

СССР
Государственный стандарт от 01 июля 1975 года № ГОСТ 20003-74

ГОСТ 20003-74 Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров (с Изменениями N 1, 2)

Принят
Государственным комитетом стандартов Совета Министров СССР
29 июля 1974 года
    ГОСТ 20003-74
    Группа Э00
    МЕЖГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ
    ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
    Термины, определения и буквенные обозначения параметров
    Bipolar transistors. Terms, definitions and parameter symbols
    МКС 01.040.31
    31.080.30
    ОКСТУ 6201
    Дата введения 1975-07-01
    Постановлением Государственного комитета стандартов Совета Министров СССР от 29 июля 1974 г. N 1799 дата введения установлена 01.07.75
    ИЗДАНИЕ с Изменениями N 1, 2, утвержденными в августе 1982 г., июне 1985 г. (ИУС 12-82, 9-85).
    Настоящий стандарт устанавливает применяемые в науке, технике и производстве термины, определения и буквенные обозначения электрических параметров биполярных транзисторов.
    Термины и отечественные буквенные обозначения, установленные стандартом, обязательны для применения в документации всех видов, научно-технической, учебной и справочной литературе.
    Международные буквенные обозначения обязательны для применения в технической документации на биполярные транзисторы, предназначенные для экспортных поставок.
    Стандарт полностью соответствует СТ СЭВ 2770-80.
    Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Применение терминов-синонимов стандартизованного термина запрещается.
    Недопустимые к применению термины-синонимы приведены в стандарте в качестве справочных и обозначены "Ндп".
    Установленные определения можно, при необходимости, изменять по форме изложения, не допуская нарушения границ понятия.
    В случае, когда необходимые и достаточные признаки понятия содержатся в буквенном значении термина, определение не приведено, и, соответственно, в графе "Определение" поставлен прочерк.
    В стандарте в качестве справочных для ряда стандартизованных терминов приведены иностранные эквиваленты на немецком (Д), английском (Е) и французском (F) языках.
    В стандарте приведены алфавитные указатели содержащихся в нем терминов на русском языке и их иностранных эквивалентов.
    Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, недопустимые термины - курсивом.
    Когда встречаются одинаковые параметры для биполярного транзистора и другого полупроводникового прибора, в буквенное обозначение параметра следует добавлять дополнительный индекс, уточняющий принадлежность параметра к данному полупроводниковому прибору. Например, время включения стабилитрона ; время включения биполярного транзистора ; время включения полевого транзистора .
    Термин Буквенное обозначение Определение
    отечест- венное междуна- родное
    1. Обратный ток коллектора D. Kollektorreststrom (bei offenem Emitter) Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера
    E. Collector cut-off current
    F. Courant du collecteur
    2. Обратный ток эмиттера D. Emitterreststrom (bei offenem Kollektor) Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора
    E. Emitter cut-off current
    F. Courant
    3. Обратный ток коллектор-эмиттер Ндп. Начальный ток коллектора Ток коллектора закрытого транзистора - Ток в цепи коллектор - эмиттер при заданном обратном напряжении коллектора-эмиттер
    D. Kollektor-Emitter-Reststrom
    E. Collector-emitter cut-off current
    F. Courant du
    ________________ При разомкнутом выводе базы , ; при коротко замкнутых выводах эмиттера и базы , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении эмиттер-база , .
    4. Обратный ток базы D. Basis-Emitter-Reststrom Ток в цепи вывода базы при заданных обратных напряжениях коллектор-эмиттер и эмиттер-база
    E. Base cut-off current
    F. Courant de la base
    5. Критический ток биполярного транзистора - Значение тока коллектора, при достижении которого значение падает на 3 дБ по отношению к его максимальному значению при заданном напряжении коллектор-эмиттер
    6. Граничное напряжение биполярного транзистора Ндп. Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера Напряжение между выводами коллектора и эмиттера при токе базы, равном нулю, и заданном токе эмиттера
    7. Напряжение насыщения коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Напряжение между выводами коллектора и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
    E. Saturation collector-emitter voltage
    F. Tension de saturation
    8. Напряжение насыщения база-эмиттер D. Basis-Emitter- Напряжение между выводами базы и эмиттера транзистора в режиме насыщения при заданных токах базы и коллектора
    E. Saturation baseemitter voltage
    F. Tension de saturation
    9. Плавающее напряжение эмиттер-база E. Floating emitter-base voltage Напряжение между выводами эмиттера и базы при заданном обратном напряжении коллектор-база и при токе эмиттера, равном нулю
    F. Tension flottante
    10. Напряжение смыкания биполярного транзистора E. Punch-through (penetration) voltage F. Tension de (tension de persage) Обратное напряжение коллектор-база, при котором начинается линейное возрастание напряжения на разомкнутых выводах эмиттера и базы при увеличении напряжения коллектор-база
    11. Пробивное напряжение эмиттер-база D. Emitter-Basis-Durchbruchspannung Пробивное напряжение, измеряемое между выводами эмиттера и базы, при заданном обратном токе эмиттера и токе коллектора, равном нулю
    Е. Breakdown emitter-base voltage
    F. Tension de claquage
    12. Пробивное напряжение коллектор-база D. Kollektor-Basis-Durchbruchspannung Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и базы, при заданном обратном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю
    Е. Breakdown collector-base voltage
    F. Tension de claquage collecteur-base
    13. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер D. Kollektor-Emitter- Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) - Пробивное напряжение, измеряемое между выводами коллектора и эмиттера при заданном токе коллектора
    Е. Breakdown collector-emitter voltage
    F. Tension de claquage
    ________________ При токе базы, равном нулю, , , ; при заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при коротком замыкании в цепи база-эмиттер , ; при заданном обратном напряжении база-эмиттер , .
    14. Входное сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignaleingangswiderstand * Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания по переменному току на выходе транзистора
    Е. Small-signal value of the short-circuit input impedance
    F. Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux
    15. Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. * Отношение изменения напряжения на входе к вызвавшему его изменению напряжения на выходе в режиме холостого хода во входной цепи по переменному току
    Е. Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio
    F. Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux
    16. Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. * Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению входного тока в режиме короткого замыкания выходной цепи по переменному току
    Е. Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio
    F. Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux
    17. Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте Модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером в режиме малого сигнала на высокой частоте
    D. Betrag der in Emitterschaltung bei HF
    Е. Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio
    F. Module du rapport de transfert direct du courant
    18. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Kleinsignalausgangsleitwert * Отношение изменения выходного тока к вызвавшему его изменению выходного напряжения в режиме холостого хода входной цепи по переменному току
    Е. Small-signal value of the open-circuit output admittance
    F. Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux
    19. Входное сопротивление биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером в режиме большого сигнала Отношение напряжения на входе транзистора к входному току при заданном постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер в схеме с общим эмиттером
    Е. Static value of the input resistance
    F. Valeur statique de la
    20. Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора D. in Emitterschaltung Отношение постоянного тока коллектора к постоянному току базы при заданных постоянном обратном напряжении коллектор-эмиттер и токе эмиттера в схеме с общим эмиттером
    Е. Static value of the forward current transfer ratio
    F. Valeur statique du rapport de transfert direct du courant
    21. Входная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert * Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызванному им изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
    Е. Small-signal value of the short-circuit input admittance
    F. Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux
    22. Полная проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer * Отношение изменений комплексных величин входного тока к вызвавшему его изменению напряжения на выходе при коротком замыкании по переменному току на входе
    Е. Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance
    F. Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux
    23. Полная проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer * Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызвавшему его изменению напряжения на входе при коротком замыкании по переменному току на выходе
    Е. Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance
    F. Valeur de l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux
    24. Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора Модуль полной проводимости прямой передачи в схеме с общим эмиттером
    D. Betrag des
    Е. Modulus of the short-circuit forward transfer admittance
    F. Module de l'admittance de transfert direct
    25. Выходная полная проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала D. Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert * Отношение изменений комплексных величин выходного тока к вызванному им изменению выходного напряжения при коротком замыкании по переменному току на входе
    Е. Small-signal value of the short-circuit output admittance
    F. Valeur de l'admittance de sortie, en court-circuit pour de petits signaux
    26. Статическая крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером Ндп. Статическая крутизна передаточной характеристики. Статическая крутизна характеристики Отношение постоянного тока коллектора к постоянному напряжению база-эмиттер при заданном напряжении коллектор-эмиттер
    D. Statische in Emitterschaltung
    Е. Static value of the forward transconductance
    F. Pente statique de transfert direct
    27. Входная емкость биполярного транзистора D. * Емкость, измеренная на входе транзистора при коротком замыкании по переменному току на выходе в режиме малого сигнала
    Е. Input capacitance
    F.
    28. Выходная емкость биполярного транзистора D. * Емкость, измеренная на выходе транзистора, при разомкнутом входе по переменному току в режиме малого сигнала
    Е. Output capacitance
    F. de sortie
    28a. Емкость обратной связи биполярного транзистора D. * * Емкость биполярного транзистора, измеренная между входным и выходным выводами при коротком замыкании по переменному току на входе в режиме малого сигнала
    Е. Feedback capacitance
    F. de couplage
    29. Предельная частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора D. Grenzfrequenz der Частота, на которой модуль коэффициента передачи тока падает на 3 дБ по сравнению с его низкочастотным значением
    Е. Cut-off frequency
    F. de conpure
    30. Граничная частота коэффициента передачи тока D. der (Transitfrequenz) Е. Transition frequency F. de transition Частота, при которой модуль коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером экстраполируется к единице. Примечание. Частота, равная произведению модуля коэффициента передачи тока на частоту измерения, которая находится в диапазоне частот, где справедлив закон изменения модуля коэффициента передачи тока 6 дБ на октаву
    31. Максимальная частота генерации биполярного транзистора Наибольшая частота, при которой транзистор способен генерировать в схеме автогенератора
    Е. Maximum frequency of oscillation
    F. maximale d'oscillation
    32. Коэффициент шума биполярного транзистора D. Rauschzahl Отношение мощности шумов на выходе транзистора к той ее части, которая вызвана тепловыми шумами сопротивления источника сигнала
    Е. Noise figure
    F. Facteur de bruit
    32а. Минимальный коэффициент шума биполярного транзистора D. Minimale Rauschzahl Значение коэффициента шума биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующей наименьшему значению коэффициента шума
    Е. Minimal noise figure
    F. Facteur de bruit minimum
    32б. Эквивалентное напряжение шума биполярного транзистора D. Rauschspannung Е. Equivalent noise voltage Напряжение шума идеального источника эквивалентного напряжения, включенного последовательно с выводом базы и выводом эмиттера и характеризующего шум биполярного транзистора, который считается бесшумным
    F. Tension de bruit
    33. Коэффициент насыщения биполярного транзистора Отношение тока базы в режиме насыщения к току базы на границе насыщения
    Ндп. Степень насыщения
    Е. Saturation coefficient
    F. Coefficient de saturation
    34. Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Отношение мощности на выходе транзистора к мощности, подаваемой на вход транзистора, при определенной частоте и схеме включения
    Е. Power gain
    F. Gain en puissance
    34a. Оптимальный коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора D. Optimale Значение коэффициента усиления на мощности биполярного транзистора в условиях настройки входной и выходной цепей, соответствующее минимальному коэффициенту шума
    Е. Optimal power gain
    F. Gain de puissance optimum
    35. Коэффициент полезного действия коллектора D. Kollektorwirkungsgrad Отношение выходной мощности транзистора к мощности, потребляемой от источника коллекторного питания
    Е. Collector efficiency
    F. du collocteur
    36. Время задержки для биполярного транзистора D. Е. Delay time Интервал времени между моментом нарастания фронта входного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды, и моментом нарастания фронта выходного импульса до значения, соответствующего 10% его амплитуды
    F. Retard la croissance
    37. Время нарастания для биполярного транзистора D. Anstiegszeit Е. Rise time Интервал времени между моментами нарастания фронта выходного импульса от значения соответствующего 10% его амплитуды, до значения, соответствующего 90% его амплитуды
    F. Temps de croissance
    38. Время рассасывания для биполярного транзистора D. Speicherzeit Е. Carrier storage time Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает заданного уровня
    F. Retard
    39. Время спада для биполярного транзистора D. Abfallzeit Интервал времени между моментами спада среза выходного импульса от значения, соответствующего 90% его амплитуды, до значения, соответствующего 10% его амплитуды
    Е. Fall time
    F. Temps de
    40. Время включения биполярного транзистора Интервал времени, являющийся суммой времени задержки и времени нарастания
    D. Einschaltzeit
    Е. Turn-on time
    F. Temps total
    41. Время выключения биполярного транзистора D. Ausschaltzeit Е. Turn-off time Интервал времени между моментом подачи на базу запирающего импульса и моментом, когда напряжение на коллекторе транзистора достигает значения, соответствующего 10% его амплитудного значения
    F. Temps total de coupure
    42. Сопротивление базы биполярного транзистора Сопротивление между выводом базы и переходом база-эмиттер
    D. Basisbahnwiderstand
    Е. Base intrinsic resistance
    F. de base
    43. Емкость эмиттерного перехода D. der Emittersperrschicht Емкость между выводами эмиттера и базы транзистора при заданных обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутой коллекторной цепи
    Е. Emitter capacitance
    F.
    44. Емкость коллекторного перехода D. der Kollektorsperrschicht Емкость между выводами базы и коллектора транзистора при заданных обратном напряжении коллектор-база и разомкнутой эмиттерной цепи
    Е. Collector capacitance
    F. collecteur
    45. Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора Произведение сопротивления базы на активную емкость коллекторного перехода
    D.
    Е. Collector-base time constant
    46. Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора D. Eingangsreflexionsfaktor * * Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
    47. Коэффициент обратной передачи напряжения D. * * Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на входе к падающей волне на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
    48. Коэффициент прямой передачи напряжения D. * * Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны на выходе и падающей волны на входе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
    49. Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора D. Ausgangsreflexionsfaktor * * Отношение комплексных амплитуд напряжений отраженной волны к падающей на выходе транзистора при значениях сопротивления источника и нагрузки, равных характеристическому сопротивлению
    50. Постоянный ток коллектора Постоянный ток, протекающий через коллекторный переход
    D. Kollektorgleichstrom
    Е. Collector (d.с.) current
    F. Courant continu de collecteur
    51. Постоянный ток эмиттера Постоянный ток, протекающий через эмиттерный переход
    D. Emittergleichstrom
    Е. Emitter (d.с.) current
    F. Courant continu d'emetteur
    52. Постоянный ток базы Постоянный ток, протекающий через базовый вывод
    D. Basisgleichstrom
    Е. Base (d.с.) current
    F. Courant continu de base
    53. Постоянный ток коллектора в режиме насыщения -
    Е. Saturation collector current
    F. Courant de saturation collecteur
    54. Постоянный ток базы в режиме насыщения -
    Е. Saturation base current
    F. Courant de saturation base
    55. Импульсный ток коллектора - Импульсное значение тока коллектора при заданной скважности и длительности пульса
    56. Импульсный ток эмиттера - Импульсное значение тока эмиттера при заданной скважности и длительности импульса
    57. Постоянное напряжение эмиттер-база Постоянное напряжение между выводами эмиттера и базы
    D. Emitter-Basis-Spannung
    Е. Emitter-base (d.с.) voltage
    F. Tension continue
    58. Постоянное напряжение коллектор-база Постоянное напряжение между выводами коллектора и базы
    D. Kollektor-Basis-Spannung
    Е. Collector-base (d.с.) voltage
    F. Tension continue collecteur-base
    59. Постоянное напряжение коллектор-эмиттер Постоянное напряжение между выводами коллектора и эмиттера
    D. Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen)
    Е. Collector-emitter (d.с.) voltage
    F. Tension continue
    ________________ При заданном обратном токе эмиттера в токе коллектора, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе эмиттера, равном нулю, , . При заданном токе коллектора и токе базы, равном нулю, , ; при заданном токе коллектора и сопротивлении в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора и коротком замыкании в цепи база-эмиттер, , ; при заданном токе коллектора в заданном обратном напряжении эмиттер-база , .
    60. Выходная мощность биполярного транзистора Мощность, которую отдает транзистор в типовой схеме генератора (усилителя) на заданной частоте
    D. Ausgangsleistung
    Е. Output power
    61. Постоянная рассеиваемая мощность биполярного транзистора Суммарное значение постоянной мощности, рассеиваемой в транзисторе
    D. Gesamtverlustleistung
    Е. Total input power (d.c.) to all electrodes
    F. Puissance totale de toutes les
    62. Средняя рассеиваемая мощность биполярного транзистора Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой в транзисторе
    D. Mittlere Verlustleistung
    Е. Total input power (average) to all electrodes
    F. Puissance totale (moyenne) de toutes les
    63. Импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора -
    D. Impulsverlustleistung
    F. Peak power dissipation
    F. Puissance
    64. Постоянная рассеиваемая мощность коллектора Постоянное значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
    D. Gleichstrom Kollektorverlustleistung
    Е. Collector (d.c.) power dissipation
    F. Puissance (continue) au collecteur
    65. Средняя рассеиваемая мощность коллектора Усредненное за период значение мощности, рассеиваемой на коллекторе транзистора
    D. Mittlere Kollektorverlustleistung
    Е. Collector (average) power dissipation
    F. Ruissance (moyenne) au collecteur
    65a. Выходная мощность в пике огибающей биполярного транзистора Е. Peak envelope power Мощность двухтонового сигнала в нагрузке биполярного транзистора, равная мощности однотонового, имеющего ту же амплитуду, что и двухтоновый сигнал в пике огибающей. Примечание. Под двухтоновым сигналом понимают сигнал, состоящий из двух синусоидальных сигналов равной амплитуды с разными частотами
    65б. Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора Е. Third order intermodulation products factor Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей третьего порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд
    65в. Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора Е. Fifth order intermodulation products factor Отношение наибольшей амплитуды напряжения комбинационной составляющей пятого порядка спектра выходного сигнала к амплитуде основного тона при подаче на вход биполярного транзистора двухтонового сигнала равных амплитуд
    Термины, относящиеся к максимально допустимым параметрам**
    66. Максимально допустимый постоянный ток коллектора -
    D. Maximal Kollektorgleichstrom
    Е. Maximum collector (d.с.) current
    F. Courant continu de collecteur maximal
    67. Максимально допустимый постоянный ток эмиттера -
    D. Maximal Emittergleichstrom
    Е. Maximum emitter (d.с.) current
    F. Courant continu d'emetteur maximal
    68. Максимально допустимый постоянный ток базы -
    D. Maximal Basisgleichstrom
    Е. Maximum base (d.с.) current
    F. Courant continu de base maximal
    69. Максимально допустимый импульсный ток коллектора -
    D. Maximal Kollektorimpulsstrom
    Е. Maximum peak collector current
    F. Courant de de collecteur maximal
    70. Максимально допустимый импульсный ток эмиттера -
    D. Maximal Emitterimpulsstrom
    Е. Maximum peak emitter current
    F. Courant de d'emetteur maximal
    71. Максимально допустимый постоянный ток коллектора в режиме насыщения -
    Е. Maximum saturation collector current
    F. Courant de saturation collecteur maximal
    72. Максимально допустимый постоянный ток базы в режиме насыщения -
    Е. Maximum saturation base current
    F. Courant de saturation base maximal
    73. Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база -
    D. Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung
    Е. Maximum emitter-base (d.c.) voltage
    F. Tension continue maximale
    74. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база -
    D. Maximal Kollektor-Basic-Gleichspannung
    Е. Maximum collector-base (d.c.) voltage
    F. Tension continue collecteur-base maximale
    75. Максимально допустимое постоянное напряжение коллектора-эмиттер -
    D. Maximal Kollektor-Emitter- Gleichspannung
    Е. Maximum collector-emitter (d.c.) voltage
    F. Tension continue maximale
    76. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-эмиттер -
    D. Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung
    E. Maximum peak collector-emitter voltage
    F. Tension de maximale
    77. Максимально допустимое импульсное напряжение коллектор-база -
    D. Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung
    E. Maximum peak collector-base voltage
    F. Tension de collector-base maximale
    78. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора -
    D. Maximal Kollektorverlustleistung
    E. Maximum collector power dissipation (d.c.)
    F. Puissance au collecteur (continue) maximale
    79. Максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность коллектора - -
    E. Maximum collector power dissipation (average)
    F. Puissance au collecteur (moyenne) maximale
    80. Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного транзистора -
    D. Maximal Impulsverlustleistung
    E. Maximum peak power dissipation
    F. Puissance maximale

    ________________
    * В схеме с общей базой или общим эмиттером добавляется индекс соответственно "б" или "э" для отечественных буквенных обозначений и "b" и "е" для международных обозначений.


    ** Максимально допустимыми параметрами называются значения конкретных режимов биполярных транзисторов, которые не должны превышать при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность.
    Максимально допустимые импульсные параметры приводятся для заданной скважности и длительности импульсов.
    Когда не возникает сомнений в том, что используемое буквенное обозначение относится к максимально допустимому параметру, можно опускать индекс "max".
    АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА РУССКОМ ЯЗЫКЕ
    Время включения биполярного транзистора 40
    Время выключения биполярного транзистора 41
    Время задержки для биполярного транзистора 36
    Время нарастания для биполярного транзистора 37
    Время рассасывания для биполярного транзистора 38
    Время спада для биполярного транзистора 39
    Емкость биполярного транзистора входная 27
    Емкость биполярного транзистора выходная 28
    Емкость коллекторного перехода 44
    Емкость обратной связи биполярного транзистора 28а
    Емкость эмиттерного перехода 43
    Коэффициент комбинационных составляющих пятого порядка биполярного транзистора 65в
    Коэффициент комбинационных составляющих третьего порядка биполярного транзистора 65б
    Коэффициент насыщения биполярного транзистора 33
    Коэффициент обратной передачи напряжения 47
    Коэффициент обратной связи по напряжению биполярного транзистора в режиме малого сигнала 15
    Коэффициент отражения входной цепи биполярного транзистора 46
    Коэффициент отражения выходной цепи биполярного транзистора 49
    Коэффициент передачи тока биполярного транзистора в режиме малого сигнала 16
    Коэффициент передачи тока биполярного транзистора статический 20
    Коэффициент полезного действия коллектора 35
    Коэффициент прямой передачи напряжения 48
    Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора 34
    Коэффициент усиления по мощности биполярного транзистора оптимальный 34а
    Коэффициент шума биполярного транзистора 32
    Коэффициент шума биполярного транзистора минимальный 32а
    Крутизна передаточной характеристики статическая 26
    Крутизна прямой передачи в схеме с общим эмиттером статическая 26
    Крутизна характеристики статическая 26
    Модуль коэффициента передачи тока биполярного транзистора на высокой частоте 17
    Модуль полной проводимости прямой передачи биполярного транзистора 24
    Мощность биполярного транзистора выходная 60
    Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная 63
    Мощность биполярного транзистора рассеиваемая импульсная максимально допустимая 80
    Мощность биполярного транзистора рассеиваемая постоянная 61
    Мощность биполярного транзистора рассеиваемая средняя 62
    Мощность в пике огибающей биполярного транзистора выходная 65а
    Мощность коллектора рассеиваемая постоянная 64
    Мощность коллектора рассеиваемая постоянная максимально допустимая 78
    Мощность коллектора рассеиваемая средняя 65
    Мощность коллектора рассеиваемая средняя максимально допустимая 79
    Напряжение биполярного транзистора граничное 6
    Напряжение коллектор-база импульсное максимально допустимое 77
    Напряжение коллектор-база постоянное 58
    Напряжение коллектор-база постоянное максимально допустимое 74
    Напряжение коллектор-база пробивное 12
    Напряжение коллектор-эмиттер импульсное максимально допустимое 76
    Напряжение коллектор-эмиттер постоянное 59
    Напряжение коллектор-эмиттер постоянное максимально допустимое 75
    Напряжение коллектор-эмиттер пробивное 13
    Напряжение насыщения база-эмиттер 8
    Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 7
    Напряжение между коллектором и эмиттером при нулевом токе базы и заданном токе эмиттера 6
    Напряжение смыкания биполярного транзистора 10
    Напряжение шума биполярного транзистора эквивалентное 32б
    Напряжение эмиттер-база плавающее 9
    Напряжение эмиттер-база постоянное 57
    Напряжение эмиттер-база постоянное максимально допустимое 73
    Напряжение эмиттер-база пробивное 11
    Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте биполярного транзистора 45
    Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная входная 21
    Проводимость биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная выходная 18, 25
    Проводимость обратной передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная 22
    Проводимость прямой передачи биполярного транзистора в режиме малого сигнала полная 23
    Сопротивление базы биполярного транзистора 42
    Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала в схеме с общим эмиттером входное 19
    Сопротивление биполярного транзистора в режиме малого сигнала входное 14
    Степень насыщения 33
    Ток базы обратный 4
    Ток базы постоянный 52
    Ток базы постоянный в режиме насыщения 54
    Ток базы постоянный в режиме насыщения максимально допустимый 72
    Ток базы постоянный максимально допустимый 68
    Ток биполярного транзистора критический 5
    Ток коллектора закрытого транзистора 3
    Ток коллектора импульсный 55
    Ток коллектора импульсный максимально допустимый 69
    Ток коллектора начальный 3
    Ток коллектора обратный 1
    Ток коллектора постоянный 50
    Ток коллектора постоянный в режиме насыщения 53
    Ток коллектора постоянный в режиме насыщения максимально допустимый 71
    Ток коллектора постоянный максимально допустимый 66
    Ток коллектор-эмиттер обратный 3
    Ток эмиттера импульсный 56
    Ток эмиттера импульсный максимально допустимый 70
    Ток эмиттера обратный 2
    Ток эмиттера постоянный 51
    Ток эмиттера постоянный максимально допустимый 67
    Частота генерации биполярного транзистора максимальная 31
    Частота коэффициента передачи тока граничная 30
    Частота коэффициента передачи тока биполярного транзистора предельная 29

    АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА НЕМЕЦКОМ ЯЗЫКЕ
    Abfallzeit 39
    Anstiegszeit 37
    Aquivalente Rauschspannung 32б
    28
    Ausgangsleistung 60
    Ausgangsreflexionsfaktor 49
    Ausschaltzeit 41
    Basisbahnwiderstand 42
    Basis-Emitter-Reststrom 4
    Basis-Emitter- 8
    Basisgleichstrom 52
    Betrag der in Emitterschaltung bei HF 17
    Betrag des 24
    27
    Eingangsreflexionsfaktor 46
    Einschaltzeit 40
    Emitter-Basis-Durchbruchspannung 11
    Emitter-Basis-Spannung 57
    Emittergleichstrom 51
    Emitterrestrom (bei offenem Kollektor) 2
    Gesamtverlustleistung 61
    Gleichstrom-KoIlektorverlustleistung 64
    in Emitterschaltung 20
    Grenzfrequenz der 29
    45
    Impulsverlustleistung 63
    Innerer 65a
    der Emittersperrschicht 43
    der Kollektorsperrschicht 44
    Kleinsignalausgangsleitwert 18
    Kleinsignaleingangswiderstand 14
    15
    16
    Kollektor-Basis-Durchbruchspannung 12
    Kollektor-Basis-Spannung 58
    Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung (bei vorgegebenen Bedingungen) 13
    Kollektor-Emitter-Reststrom 3
    Kollektor-Emitter- 7
    Kollektor-Emitter-Spannung (bei vorgegebenen Bedingungen) 59
    Kollektorgleichstrom 50
    Kollektorreststrom (bei offenen Emitter) 1
    Kollektorwirkungsgrad 35
    Komplexer Kleinsignalausgangsleitwert 25
    Komplexer Kleinsignaleingangsleitwert 21
    Komplexer 22
    Komplexer 23
    34
    Maximal Emitter-Basis-Gleichspannung 73
    Maximal Impulsverlustleistung 80
    Maximal Kollektor-Basis-Gleichspannung 74
    Maximal Kollektor-Basis-Impulsspannung 77
    Maximal Kollektor-Emitter-Gleichspannung 75
    Maximal Kollektor-Emitter-Impulsspannung 76
    Maximal Kollektorverlustleistung 78
    Maximal Basisgleichstrom 68
    Maximal Emittergleichstrom 67
    Maximal Emitterimpulsstrom 70
    Maximal Kollektorgleichstrom 66
    Maximal Kollektorimpulsstrom 69
    Minimale Rauschzahl 32a
    Mittlere Kollektorverlustleistung 65
    Mittlere Verlustleistung 62
    Optimale 34a
    Rauschzahl 32
    28a
    47
    48
    Speicherzeit 38
    Statische in Emitterschaltung 26
    Ubergangsfrequenz der (Transitfrequenz) 30
    36

    АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА АНГЛИЙСКОМ ЯЗЫКЕ
    Base cut-off current 4
    Base (d.с.) current 52
    Base intrinsic resistance 42
    Breakdown collector-base voltage 12
    Breakdown collector-emitter voltage 13
    Breakdown emitter-base voltage 11
    Carrier storage time 38
    Collector (average) power dissipation 65
    Collector-base (d.c.) voltage 58
    Collector-base time constant 45
    Collector capacitance 44
    Collector cut-off current 1
    Collector (d.c.) current 50
    Collector (d.c.) power dissipation 64
    Collector efficiency 35
    Collector-emitter cut-off current 3
    Collector-emitter (d.c.) voltage 59
    Cut-off frequency 29
    Delay time 36
    Emitter-base (d.c.) voltage 57
    Emitter capacitance 43
    Emitter cut-off current 2
    Emitter (d.c.) current 51
    Equivalent noise voltage 32б
    Fall time 39
    Feedback capacitance 28a
    Fifth order intermodulation products factor 65a
    Floating emitter-base voltage 9
    Input capacitance 27
    Maximum base (d.c.) current 68
    Maximum collector-base (d.c.) voltage 74
    Maximum collector (d.c.) current 66
    Maximum collector-emitter (d.c.) voltage 75
    Maximum collector power dissipation (average) 79
    Maximum collector power dissipation (d.c.) 78
    Maximum emitter-base (d.c.) voltage 73
    Maximum emitter (d.c.) current 67
    Maximum frequency of oscillation 31
    Maximum peak collector-base voltage 77
    Maximum peak collector current 69
    Maximum peak collector-emitter voltage 76
    Maximum peak emitter current 70
    Maximum peak power dissipation 80
    Maximum saturation base current 72
    Maximum saturation collector current 71
    Minimal noise figure 32a
    Modulus of the short-circuit forward current transfer ratio 17
    Modulus of the short-circuit forward transfer admittance 24
    Noise figure 32
    Optimal power gain 34a
    Output capacitance 28
    Output power 60
    Peak envelope power 65a
    Peak power dissipation 63
    Power gain 34
    Punch-through (penetration) voltage 10
    Rise time 37
    Saturation base current 54
    Saturation base-emitter voltage 8
    Saturation coefficient 33
    Saturation collector current 53
    Saturation collector-emitter voltage 7
    Small-signal value of the open-circuit output admittance 18
    Small-signal value of the open-circuit reverse voltage transfer ratio 15
    Small-signal value of the short-circuit forward current transfer ratio 16
    Small-signal value of the short-circuit forward transfer admittance 23
    Small-signal value of the short-circuit input admittance 21
    Small-signal value of the short-circuit input impedance 14
    Small-signal value of the short-circuit output admittance 25
    Small-signal value of the short-circuit reverse transfer admittance 22
    Static value of the forward current transfer ratio 20
    Static value of the forward transconductance 26
    Static value of the input resistance 19
    Third order intermodulation products factor 65б
    Total input power (average) to all electrodes 62
    Total input power (d.c.) to all electrodes 61
    Transition frequency 30
    Turn-off time 41
    Turn-on time 40

    АЛФАВИТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ ТЕРМИНОВ НА ФРАНЦУЗСКОМ ЯЗЫКЕ
    collecteur 44
    43
    de couplage 28a
    27
    de sortie 28
    Coefficient de saturation 33
    Courant continu de base 52
    Courant continu de base maximal 68
    Courant continu de collecteur 50
    Courant continu de collecteur maximal 66
    Courant continu 51
    Courant continu maximal 67
    Courant de de collecteur maximal 69
    Courant de maximal 70
    Courant de saturation base 54
    Courant de saturation base maximal 72
    Courant de saturation collecteur 53
    Courant de saturation collecteur maximal 71
    Courant de la base 4
    Courant 2
    Courant du collecteur 1
    Courant 3
    du collecteur 35
    Facteur de bruit 32
    Facteur de bruit minimum 32a
    de coupure 29
    de transition 30
    maximale d'escillation 31
    Gain de puissance optimum 34a
    Gain en puissance 34
    Module de l'admittance de transfert direct 24
    Module de rapport de transfert direct du courant 17
    Pente statique de transfert direct 26
    Retard la croissance 36
    Retard 38
    de base 42
    Puissage au collecteur (continue) maximale 78
    Puissance au collecteur (moyenne) maximale 79
    Puissance (continue) au collecteur 64
    Puissance 63
    Puissance maximale 80
    Puissance (moyenne) au collecteur 65
    Puissance totale (continue) de toutes les 61
    Puissance totale (moyenne) de toutes les 62
    Temps de croissance 37
    Temps de 39
    Temps total de coupure 41
    Temps total 40
    Tension continue collecteur-base 58
    Tension continue collecteur-base maximale 74
    Tension continue 59
    Tension continue maximale 75
    Tension continue 57
    Tension continue maximale 73
    Tension de bruit 32б
    Tension de claquage collecteur-base 12
    Tension de claquage 13
    Tension de claquage 11
    Tension de collecteur-base maximale 77
    Tension de maximale 76
    Tension de (tension de persage) 10
    Tension de saturation 8
    Tension de saturation 7
    Tension flottante 9
    Valeur de l'admittance , sortie en court-circuit pour de petits signaux 21
    Valeur de l'admittance de sortie, en circuit ouvert pour de petits signaux 18
    Valeur de l'admittance de sortie, en courant-citcuit pour de petits signaux 25
    Valeur Ie l'admittance de transfert direct, sortie en court-circuit pour de petits signaux 23
    Valeur de l'admittance de transfert inverse, en court-circuit pour de petits signaux 22
    Valeur de , sortie en court-circuit pour de petits signaux 14
    Valeur du rapport de transfert direct du courant, sortie en court-circuit pour de petits signaux 16
    Valeur du rapport de transfert inverse de la tension, en circuit ouvert de petits signaux 15
    Valeur statique de la 19
    Valeur statique du rapport de transfert direct du courant 20

    (Измененная редакция, Изм. N 1, 2).
    ПРИЛОЖЕНИЕ. (Исключено, Изм. N 1).
    Текст документа сверен по:
    официальное издание
    Электроника. Термины и определения. Часть 2:
    Сб. стандартов. - М.: Стандартинформ, 2005