СССР
Государственный стандарт от 11 сентября 1979 года № ГОСТ 19656.14-79

ГОСТ 19656.14-79 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные. Метод измерения критической частоты

Принят
Государственным комитетом СССР по стандартам
11 сентября 1979 года
    ГОСТ 19656.14-79
    Группа Э29
    ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
    ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СВЧ ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНЫЕ
    Метод измерения критической частоты
    Semiconductor microwave switching diodes. Measurement method of critical frequency
    Дата введения 1981-01-01
    Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 сентября 1979 г. N 3457 срок действия установлен с 01.01 1981 г. до 01.01 1986 г.*

    _______________
    * Ограничение срока действия снято по протоколу N 3-93 Межгосударственного Совета по стандартизации, метрологии и сертификации (ИУС N 5/6, 1993 год). - Примечание изготовителя базы данных.


    Настоящий стандарт распространяется на переключательные СВЧ полупроводниковые диоды и устанавливает метод измерения критической частоты .
    Общие условия должны соответствовать ГОСТ 19656.0-74 и ГОСТ 18986.0-74.
    якорь
    1.ПРИНЦИП И УСЛОВИЯ ИЗМЕРЕНИЙ
    1.1.Метод основан на измерении полного входного сопротивления измерительной диодной камеры с включенным в нее измеряемым диодом.
    1.2.Режим измерения (уровень СВЧ мощности, частота, напряжение и ток смещения) устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
    якорь
    2.АППАРАТУРА
    2.1.Измерения следует производить на установке, структурная схема и требования к элементам которой должны соответствовать ГОСТ 19656.11-75.
    2.2.Допускается применять эквиваленты диодов в режимах короткого замыкания и холостого хода, обеспечивающие те же фазы стоячей волны, что и измеряемые диоды в режимах прямого и обратного смещения с погрешностью, установленной в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
    якорь
    3.ПОДГОТОВКА И ПРОВЕДЕНИЕ ИЗМЕРЕНИЙ
    3.1.Подготовку и проведение измерений следует производить в соответствии с ГОСТ 19656.11-75.
    3.2.Для диодов с общей емкостью более 1,0 пФ допускается плоскость отсчета определять при короткозамкнутом центральном проводнике измерительной диодной камеры.
    якорь
    4.ОБРАБОТКА РЕЗУЛЬТАТОВ
    4.1.Критическую частоту в ГГц следует определять по формуле
    , (1)
    где ;
    ;
    ;
    ; ; ; ; ; ; ; - значения, определяемые по ГОСТ 19656.11-75, мм;
    - длина волны в измерительной линии, мм;
    - скорость света 3 -10
    мм/с.
    4.1.1.При выполнении условий:
    ;

    критическую частоту в ГГц определяют по формуле
    . (2)
    4.1.2.При применении эквивалентов диодов, соответствующих требованиям п.2.2, критическую частоту определяют по формуле
    . (3)
    4.1.3.При известных значениях прямого сопротивления потерь, обратного сопротивления потерь и емкости структуры диода критическую частоту определяют по формуле
    , (4)
    где - общая емкость диода, измеренная по ГОСТ 18986.4-73, Ф;
    - конструктивная емкость диода, устанавливаемая в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов, Ф;
    - прямое сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом;
    - обратное сопротивление потерь, измеренное по ГОСТ 19656.11-75, Ом.
    якорь
    5.ПОКАЗАТЕЛИ ТОЧНОСТИ ИЗМЕРЕНИЙ
    5.1.Погрешность измерения критической частоты должна быть в пределах ±35% с вероятностью 0,997 для значений менее 400 ГГц, и в пределах ±50% с вероятностью 0,997 для значений свыше 400 ГГц, при измерении в диапазоне частот 0,5-5 ГГц.
    При измерениях на других частотах погрешность измерения критической частоты устанавливается в стандартах или технических условиях на диоды конкретных типов.
    Расчет погрешности измерений приведен в справочном приложении.
    якорь
    ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). 1. РАСЧЕТ ПОГРЕШНОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ КРИТИЧЕСКОЙ ЧАСТОТЫ; 2. ПРИМЕР РАСЧЕТА ПОГРЕШНОСТИ
    ПРИЛОЖЕНИЕ
    Справочное
    1.Расчет погрешности измерения критической частоты
    Погрешность измерения определяется по формуле
    , (1)
    где - погрешность измерения общей емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);
    - погрешность измерения конструктивной емкости диода (ГОСТ 18986.4-73);
    - погрешность измерения прямого сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);
    - погрешность измерения обратного сопротивления потерь (ГОСТ 19656.11-75);
    , - значения, определяемые по формулам.
    ; (2)
    ; (3)
    0,5; (4)
    0,5; (5)
    2.Пример расчета погрешности
    Данные для расчета: 5 ГГц; 0,191 мм; 0,191 мм; 0,57 мм; 0,3 мм; 1,8 мм; 13,6 мм; 11,5 мм; 0,26 пФ; 0,1 пФ; 50 Ом.
    В результате вычислений по формулам ГОСТ 19656.11-75, ГОСТ 18986.4-73 и формулам (1)-(5) настоящего приложения получаем: 1,04 Ом; 6,8 Ом; 22,6%; 18%; 13%; 25%; 1,710; 0,715.
    Значение погрешности измерения равно
    %;
    , рассчитанная для данного случая по формуле (4) настоящего стандарта, равна 400 ГГц.
    Погрешность измерения критической частоты при расчете по упрощенным формулам (2), (3) настоящего стандарта не превышает значений, указанных в разд.5.