Наименование изделия | Первый элемент обозначения типа | Вид преобразуемого ионизирующего излучения | Второй элемент обозначения типа | Материал полупроводникового детектора | Третий элемент обозначения типа |
Блок детектирования | БДЕ | Альфа-излучение | А | Кремний | К |
Германий | Г | ||||
Гамма-излучение | Г | Теллурид кадмия | Т | ||
Рентгеновское излучение | Р | Алмаз | У | ||
Йодит ртути | Р | ||||
Арсенид галия | А | ||||
Прочие материалы | П | ||||
Устройство детектирования | УДЕ | То же, что для блоков детектирования |
Обозначение типа блока и устройства детектирования | Диапазон энергий , , кэВ | Энергетическое разрешение ПШПВ , эВ | Чувствительность регистрации , мм | Энергия излучения, при которой определены энергетическое разрешение и чувствительность регистрации , кэВ | Коэффициент преобразования , мВ/кэВ |
БДЕА-К УДЕА-К | 4500-7800 | 15000-150000 | - | 5150 | 0,02-0,2 |
БДЕГ-Г УДЕГ-Г | 50-10000 | 1700-4000 | 10-300 | 1330 | 0,03-0,3 |
БДЕГ-Т УДЕГ-Т | 50-10000 | 5000-40000 | 0,01-1 | 661 | 0,03-0,3 |
БДЕР-К УДЕР-К- | 1-60 | 150-850 | 12,5-1000 | 5,9 | 0,5-5 |
БДЕР-Г УДЕР-Г | 3-200 | 150-750 | 16-2000 | 5,9 | 0,5-5 |
БДЕР-Т УДЕР-Т | 3-150 | 300-2000 | 5-200 | 5,9 | 0,5-5 |