СССР
Государственный стандарт от 01 января 1982 года № ГОСТ 17465-80

ГОСТ 17465-80 Диоды полупроводниковые. Основные параметры

Принят
Государственным комитетом СССР по стандартам
28 августа 1980 года
    ГОСТ 17465-80
    Группа Э02
    ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
    ДИОДЫ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
    Основные параметры
    Semiconductor diodes. Essential parameters
    Дата введения 1982-01-01
    Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 28 августа 1980 г. N 4471 срок введения установлен с 01.01 1982 г.
    ВЗАМЕН ГОСТ 16963-71 и ГОСТ 17465-72 в части пп.1-12, 16-22
    1.Настоящий стандарт распространяется на вновь разрабатываемые и модернизируемые полупроводниковые диоды: выпрямительные (кроме диодов Шоттки), импульсные, стабилитроны (стабисторы), варикапы, диоды СВЧ, выпрямительные столбы и импульсные диодные матрицы (сборки).
    Стандарт устанавливает ряды и допускаемые сочетания значений основных параметров, которые в табл.1-17 отмечены знаком "+".
    Допускаемые сочетания, отмеченные знаком "" в табл.1-11, 15-17, предназначены для применения в устройствах специального назначения.
    Приведенные в стандарте числовые значения параметров установлены для нормальных климатических условий по ГОСТ 16962-71.
    Пояснения к терминам приведены в справочном приложении.
    2.Основные параметры выпрямительных диодов
    2.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных диодов должны соответствовать указанным в табл.1.
    Таблица 1
    Постоянный прямой или средний прямой ток, А Постоянное обратное напряжение, В
    100 200 400 600 800 1000 1500
    0,10 + + + + +
    0,30 + + + +
    0,50 + + + + + + +
    0,70 + + + + + + +
    1,00 + + + +
    3,00 + + + + + + +
    5,00 + + + +
    7,00 + + + + + + +
    10,00 + +

    2.2 Значение предельной рабочей частоты должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
    2.3 Значение мощности импульсных перегрузок по обратному току для выпрямительных диодов должно выбираться из ряда: 200; 1000; 2000; 5000; 20000; 50000 Вт.
    3.Основные параметры выпрямительных столбов
    3.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров выпрямительных столбов должны соответствовать указанным в табл.2.
    Таблица 2
    Постоянный прямой или средний прямой ток, мА Импульсное обратное или постоянное обратное напряжение, кВ
    2 4 6 8 10 15 20
    10 + + + +
    30 + + + + + + +
    100 + + +
    300 + + + + + + +
    500 + + +
    1000 + + + + +

    3.2.Максимальное значение частоты выпрямления выпрямительных столбов должно выбираться из ряда: 1; 5; 10; 20; 50; 100; 200; 500 кГц.
    4.Основные параметры импульсных диодов
    4.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодов должны соответствовать указанным в табл.3.
    Таблица 3
    Средний прямой ток, мА Время восстановления обратного coпротивления, нс
    0,20 0,50 1,00 4,00 10,00 40,00 100,00 400,00 1000,00
    2 + + + + + + + +
    5 + + + + + + + + +
    10 + + + + + + + +
    20 + + + + + + + + +
    50 + + + + + + +
    100 + + + + + + + + +
    200 + + + + + + + +
    500 + + + + + + + + +

    Примечание. Приборы с большим быстродействием характеризуются временем жизни неравновесных носителей заряда, которое выбирается из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10 нс.
    4.2.Значение постоянного обратного напряжения импульсных диодов должно выбираться из ряда: 3; 5; 10; 20; 30; 50; 100; 200 В.
    5.Допускаемые сочетания значений основных параметров стабилитронов (стабисторов) общего назначения должны соответствовать указанным в табл.4.
    Таблица 4
    Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт Номинальное напряжение стабилизации, В
    0,7 1,4 1,9 2,1 2,4 2,7 3,0 3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6
    0,020 + + + + + + + + + + + + + +
    0,050 + + + + + + + + + + + + + +
    0,125 + + + + + + + + + + + + + +
    0,300 + + + + + + + + + + + +
    1,000 + + + + + + + + + + + + + +
    2,000 + + + + + + + + + + + + + +
    5,000 + + + + + + + + + + + +
    10,000 + + + + + + + + + + + + +

    Продолжение табл.4
    Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт Номинальное напряжение стабилизации, В
    6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10,0 11,0 12,0 13,0 15,0 16,0 18,0 20,0 22,0
    0,020 + + + + + + + + + + + +
    0,050 + + + + + + + + + + + + + +
    0,125 + + + + + + + + + + + + +
    0,300 + + + + + + + + + + + +
    1,000 + + + + + + + + + + + +
    2,000 + + + + + + + + + + + + + +
    5,000 + + + + + + + + + + + + +
    10,000 + + + + + + + + + + + +

    Примечания:
    1.Значения номинального напряжения стабилизации более 22 В выбирают умножением ряда напряжений от 2,4 до 22 В на 10 и 100.
    2.Допускаемое отклонение номинального напряжения стабилизации должно соответствовать значениям: ±5; ±10%.
    6.Допускаемые сочетания значений основных параметров прецизионных стабилитронов должны соответствовать указанным в табл.5.
    Таблица 5
    Температурный коэффициент напряжения стабилизации Значение временной нестабильности напряжения стабилизации, %
    0,0005 0,0010 0,0020 0,0050 0,0100 0,0200 0,0500
    0,0002 + +
    0,0005 + + + + + + +
    0,0010 + + + + + +
    0,0020 + + + + + + +
    0,0050 + + + +

    7.Основные параметры варикапов
    7.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров варикапов при обратном напряжении 6 В должны соответствовать указанным в табл.6.
    Таблица 6
    Добротность на частоте 50 МГц Номинальная емкость, пФ
    1,0 1,2 1,5 1,8 2,2 2,7 3,3 3,9 4,7 5,6 6,8 8,2
    100 + + +
    200 + + +
    400 + + + +
    600 + + + + +
    800 + + + + +
    1000 + + + + + +
    1200 + + + + + + + +
    1400 + + + + + + + + +
    1600 + + + + + + + + +
    1800 + + + + + + + + +
    2000 + + + + + + + + +
    2200 + + + + + +

    Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
    7.2.Допускаемые сочетания значений основных параметров подстроенных варикапов при обратном напряжении 4 В должны соответствовать указанным в табл.7 и 8.
    Таблица 7
    Добротность на частоте 50 МГц Номинальная емкость, пФ
    10 12 15 18 22 27 33 39 47 56
    150 + + + + + + + + + +
    200 + + + + + + + + +
    250 + + + + + + + +
    300 + + + + + + + + +
    400 + + + + + + + +
    500 + + + + + + + + +
    600 + + + + + + + +
    700 + + + + + + +
    800 + + + + + +
    900 + + + + + +
    1000 + + + + +

    Таблица 8
    Добротность на частоте 10 МГц Номинальная емкость, пФ
    68 100 120 150 180 220 270 330 390 470 560 680 1000
    150 + + + + + + + + + + + + +
    200 + + + + + + + + + + +
    250 + + + + + + + + + + +
    300 + + + + + + + +
    400 + +
    500 + + + +
    600 +

    Допускаемое отклонение емкости должно быть в пределах ±20% номинального значения.
    8.Допускаемые сочетания значений основных параметров настроечных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.9.
    Таблица 9
    Доброт- ность на частоте 1 ГГц Номинальная емкость при обратном напряжении минус 6 В, пФ
    0,08 0,10 0,15 0,20 0,25 0,34 0,45 0,60 0,80 1,20 1,80 2,20 2,70 3,30 3,90 4,70 5,60 6,80 8,20
    20 + + + +
    30 + + + + + +
    40 + + + + + + + +
    50 + + + + + + + + +
    60 + + + + + + + + + +
    70 + + + + + + + + + + +
    80 + + + + + + + + + + + +
    100 + + + + + + + + + + + + +
    120 + + + + + + + + + + + + +
    140 + + + + + + + + + + + + + + +
    180 + + + + + + + + + + + + +
    220 + + + + + + + + + + + +
    260 + + + + + + + + + + +
    300 + + + + + + + + + + +
    400 + + + + + + + + +
    500 + + + + + + + + +
    600 + + + + + + +
    700 + + + + + +
    800 + + + + + +
    1000 + + +
    1200 + + + +
    1400 + + +

    Примечание. Допускаемый разброс номинальной емкости диода выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20%.
    9.Основные параметры смесительных СВЧ диодов
    9.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров смесительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.10.
    Таблица 10
    Нормированный коэффициент шума, дБ, на промежуточной частоте 30 МГц Длина волны измерения, см
    0,1 0,2 0,4 0,8 2,0 3,2
    4,5 + + +
    5,0 + + +
    5,5 + + + + + +
    6,0 + + + + + +
    6,5 + + + + + +
    7,0 + + + + + +
    7,5 + + + + +
    8,0 + + + +
    9,0 + + +
    10,0 + + +
    11,0 + +
    12,0 + +
    14,0 +
    16,0 +

    9.2.Минимальная энергия выгорания должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,0; 2,5; 5,0; 10,0; 15,0; 20 эрг.
    10.Основные параметры детекторных СВЧ диодов
    10.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров детекторных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.11.
    Таблица 11
    Тангенциальная чувствительность, дБ·мВт Длина волны измерения, см
    0,1 0,2 0,4 0,8 2,0 3,2
    44
    46 + +
    48 + + +
    50 + + + +
    52 + + + +
    54 + + + + +
    56 + + + + + +
    58 + + + + +
    60 + + + + + +
    62 + + + + + +

    10.2.Минимальная импульсная СВЧ рассеиваемая мощность должна выбираться из ряда: 0,025; 0,05; 0,10; 0,25; 0,5; 1,0; 2,5; 5 Вт.
    11.Основные параметры параметрических СВЧ диодов
    11.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров параметрических диодов должны соответствовать указанным в табл.12.
    Таблица 12
    Постоянная времени при напряжении смещения минус 2 В, нс Емкость перехода при напряжении смещения 0, пф
    0,10* 0,01-0,015*
    0,12 0,01-0,04
    0,16 0,01-0,06
    0,20 0,01-0,30
    0,25* 0,01-0,40*
    0,30 0,01-0,50
    0,40 0,01-0,60
    0,50* 0,01-0,70*
    0,60 0,01-0,80
    0,80 0,04-0,80
    1,00 0,10-1,00

    ________________
    * Предназначены для применения в устройствах специального назначения.


    Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
    11.2.Значение постоянного обратного напряжения при нормированном токе параметрических СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 4; 6; 8; 10; 12; 15; 20; 25; 30; 40; 50; 60 В.
    12.Основные параметры СВЧ умножительных диодов
    12.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров умножительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.13.
    Таблица 13
    Допускаемая рассеиваемая мощность, Вт Емкость перехода при напряжении смещения минус 6 В, пФ
    0,010* 0,03-0,05*
    0,016 0,04-0,06
    0,025 0,05-0,08
    0,040 0,06-0,12
    0,060 0,08-0,20
    0,100 0,10-0,30
    0,160 0,10-0,60
    0,250* 0,10-1,25*
    0,400 0,12-2,00
    0,500 0,12-2,20
    0,600 0,15-2,50
    0,800 0,15-3,20
    1,000* 0,20-4,00*
    2,000 0,50-6,00
    3,000 1,00-8,00
    4,000 1,25-8,00
    5,000* 1,60-8,00*
    6,000 2,00-8,00
    8,000 3,00-8,00
    10,000 4,00-10,00
    16,000 5,00-10,00
    25,000 6,00-10,00
    40,000* 8,00-10,00*

    ________________
    * Предназначены для применения в устройствах специального назначения.


    Примечание. Допускаемый разброс емкости перехода диода одного типа выбирается из ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
    12.2.Значение предельной частоты умножительных СВЧ диодов выбирается из ряда: 40; 60; 100; 150; 200; 250; 320; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500; 2000; 2500; 3000 ГГц.
    13.Основные параметры ограничительных СВЧ диодов
    13.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров ограничительных СВЧ диодов должны соответствовать указанным в табл.14.
    Таблица 14
    Накопленный заряд, нКл Емкость структуры, пФ
    0,1* 0,01-0,1*
    0,3 0,01-0,2
    0,5 0,05-0,3
    1,0 0,10-0,60
    3,0 0,10-1,60
    5,0* 0,10-4,00*
    10,0 0,20-6,00
    15,0 0,40-10,00
    20,0 1,00-10,00
    25,0 1,60-10,00
    30,0* 2,50-10,00*

    ________________
    * Предназначены для применения в устройствах специального назначения.


    13.2.Допускаемая рассеиваемая мощность ограничительных СВЧ диодов должна выбираться из следующего ряда: 0,1; 0,15; 0,25; 0,40; 0,60; 1,0; 1,5; 2,5 Вт.
    14.Основные параметры переключательных СВЧ диодов
    14.1.Допускаемые сочетания основных параметров СВЧ переключательных диодов должны соответствовать указанным в табл.15.
    Таблица 15
    Допус- каемая рассеи- ваемая мощ- ность, Вт Пробивное напряжение, В
    30 50 75 100 150 200 300 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 1500 2000 2500 3000
    0,1 + + + + +
    0,2 + + + + + + + + +
    0,3 + + + + + + + +
    0,5 + + + + + + + + + + + +
    0,75 + + + + + + + + +
    1,0 + + + + + + + + + + + + +
    1,5 + + + + + + + + + + + +
    2,0 + + + + + + + + + + + + +
    3,0 + + + + + + + + + + + + +
    4,0 + + + + + + + + + + + + +
    5,0 + + + + + + + + + + +
    7,5 + + + + + + + + + + + + +
    10,0 + + + + + + + + + + +
    15,0 + + + + + + + + + + + + +
    20,0 + + + + + + + + + + +
    50,0 + + + + + + + + + + + + +
    100,0 + + + + + + + + + + + +
    150,0 + + + + + + + + + +
    200,0 + + + + + + + + + +
    300,0 + + + + + + + +
    500,0 + + + + +

    14.2.Значение критической частоты переключательных СВЧ диодов должно выбираться из ряда: 20; 40; 60; 100; 150; 200; 250; 300; 400; 500; 600; 700; 800; 1000; 1200; 1500 ГГц.
    14.3.Допускаемый разброс номинальной емкости диода одного типа выбирается из следующего ряда: ±5; ±10; ±20; ±50; ±100%.
    15.Основные параметры импульсных диодных матриц
    15.1.Допускаемые сочетания значений основных параметров импульсных диодных матриц должны соответствовать указанным в табл.16.
    Таблица 16
    Средний прямой ток, мА Постоянное обратное напряжение, В
    2 3 5 10 20 30 40 50 60 75
    0,1 + + + + +
    0,2 + + + +
    0,5 + + + + + + +
    1 + + + + + + + +
    2 + + + + + + + + +
    5 + + + + + + + +
    10 + + + + + + + + + +
    20 + + + + + + + + + +
    50 + + + + + + + + +
    100 + + + + + + +
    150 + + + + + + + +
    200 + + + + + + + +
    300 + + + + +
    400 + + + + + +
    500 + + + +

    15.2.Значение времени восстановления обратного сопротивления импульсных диодных матриц должно выбираться из ряда: 0,01; 0,02; 0,05; 0,10; 0,20; 0,50; 1,00; 4,00; 5,00; 10,00; 20,00; 40,00; 100,00; 400,00; 1000,00 нс. При этом должно соблюдаться соотношение
    ,
    где - максимально допускаемый импульсный прямой ток;
    - максимально допускаемый постоянный прямой ток.
    16.Допускаемые сочетания значений основных параметров лавинно-пролетных диодов для усиления и генерирования электрических сигналов СВЧ должны соответствовать указанным в табл.17.
    Таблица 17
    Выходная мощность, Вт Диапазон рабочих частот, ГГц
    8-10 12-15 17-18 20-22 24-26 30-37 45-50 60-70
    0,02-0,03 + +
    0,04-0,05 + + + +
    0,08-0,10 + + + + +
    0,15-0,30 + + + + + + +
    0,40-0,50 + + + + + +
    0,80-1,00 + + + + +
    1,50-2,50 + + + + + +
    3,00-4,50 + + + +
    5,00-7,00 + + +
    8,0-12,00 + + +
    15,0-20,0 + +
    25,0-40,0

    Примечания:
    1.Значения мощности от 0,02 до 7,0 Вт даны для непрерывной, а от 8,0 до 40,0 Вт - для импульсной мощности.
    2.В интервале от 70 до 300 ГГц диапазон рабочих частот и выходная мощность устанавливаются в стандартах и технических условиях на приборы конкретных типов.
    якорь
    ПРИЛОЖЕНИЕ (справочное). Пояснения к терминам, относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов
    ПРИЛОЖЕНИЕ
    Справочное
    Пояснения к терминам,
    относящимся к нестандартизованным наименованиям групп приборов
    Термин Пояснение
    Настроечный полупроводниковый СВЧ диод СВЧ полупроводниковый диод, предназначенный для настройки СВЧ цепей
    Импульсная диодная матрица Совокупность полупроводниковых импульсных диодов, собранных в единую конструкцию, не соединенных электрически или соединенных по одноименным выводам
    Прецизионный стабилитрон Термокомпенсированный стабилитрон с гарантированной временной нестабильностью