-32300: transport error - HTTP status code was not 200

СССР
Государственный стандарт от 01 января 1982 года № ГОСТ 24459-80

ГОСТ 24459-80 Микросхемы интегральные запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств. Основные параметры

Принят
Государственным комитетом СССР по стандартам
11 декабря 1980 года
    ГОСТ 24459-80
    Группа Э02
    ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
    МИКРОСХЕМЫ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
    И ЭЛЕМЕНТОВ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ
    Основные параметры
    Integrated circuits for storages and their elements.
    Basic parameters
    Дата введения 1982-01-01
    Постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 11 декабря 1980 г. N 5776 срок введения установлен с 01.01.82
    ВЗАМЕН ГОСТ 19420-74 (в части запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств) и ГОСТ 17447-72 (в части пп.3 и 4)
    ПЕРЕИЗДАНИЕ. Март 1987 г.
    1.Настоящий стандарт распространяется на интегральные микросхемы запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств: оперативные запоминающие устройства; ассоциативные запоминающие устройства; запоминающие устройства на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах; постоянные запоминающие устройства, программируемые маской; постоянные запоминающие устройства с однократным электрическим программированием; постоянные запоминающие устройства с многократным электрическим программированием; усилители воспроизведения; формирователи разрядного и адресного токов.
    Стандарт устанавливает допускаемые сочетания значений основных параметров:
    для запоминающих устройств - число информационных слов, число разрядов в информационном слове, время выборки, удельную потребляемую мощность;
    для запоминающих устройств на приборах с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменах - частоту сдвигающих импульсов (тактовую частоту);
    для усилителей воспроизведения - максимальное среднее время задержки распространения и минимальное входное напряжение срабатывания усилителя;
    для формирователей разрядного и адресного токов - максимальное среднее время задержки распространения и максимальный выходной импульсный ток.
    2.Допускаемые сочетания значений* числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове оперативных запоминающих устройств, ассоциативных запоминающих устройств, а также внешних запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должны соответствовать указанным в табл.1.

    ________________
    * В табл.1-7 отмечены знаком "+", для вновь разрабатываемых микросхем знаком "х".


    Таблица 1
    Число разрядов в информа- ционном слове Число информационных слов
    2 4 8 16 64 256 1 4 8 16 32 64 256 512 1024 4096 8192 16384
    1 + + + х х х х х х х х х х х
    2 + + х х х х х
    4 + + + + х х х х х х х х х х х
    8 + + + х х х х х
    16 х х

    Примечание. В табл.1 и 2 =1024.
    3.Допускаемые сочетания значений числа информационных слов и числа разрядов в информационном слове постоянных запоминающих устройств, постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием и постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием должны соответствовать указанным в табл.2.
    Таблица 2
    Число разрядов в информационном слове Число информационных слов
    32 256 512 1 2 4 8 16 32 64 128 256 512
    1 + + x
    2 +
    4 x + x x x x x x х x x x
    8 + x x x x x x x x x x
    16 x x x х x
    32 x x

    4.Допускаемые сочетания значений времени выборки оперативных запоминающих устройств и времени поиска информации ассоциативных запоминающих устройств в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.3.
    Таблица 3
    Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем Время выборки, нс Время поиска информации, нс
    2,5 4,0 6,3 10 16 25 40 63 100 160 250 400 630 1000
    На основе эмиттерно-связанной логики х х х х х х х
    На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики х х х х х х + + + +
    На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" х х х х х х х х + + +
    На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" х х х х х х х х х + +

    5.Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств и постоянных запоминающих устройств с однократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.4.
    Таблица 4
    Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем Время выборки, нс
    2,5 4,0 6,3 10 16 25 40 63 100 160 250 400 630 1000
    На основе эмиттерно-связанной логики х х х х х х +
    На основе транзисторно-транзисторной логики. На основе интегральной инжекционной логики х х х х + + +
    На основе -канальных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" х х х х х х + + +
    На основе комплементарных структур "металл-диэлектрик-полупроводник" х х х х х х + + +

    6.Допускаемые сочетания значений времени выборки постоянных запоминающих устройств с многократным электрическим программированием в зависимости от схемно-технологического исполнения должны соответствовать указанным в табл.5.
    Таблица 5
    Схемно-технологическое исполнение интегральных микросхем Время выборки, нс
    63 100 160 250 400 630 1000 1600 2500 4000
    На аморфных структурах х х х х +
    На основе структур "металл-диэлектрик-полупро- водник" с лавинной инжекцией заряда х х х х + +
    На основе структур "металл-нитрид-окисел-полу- проводник" х х х х х + + +

    7.Удельная потребляемая мощность запоминающих устройств и элементов запоминающих устройств должна выбираться из ряда: 0,0001; 0,00016; 0,00025; 0,00040; 0,00063; 0,0010; 0,0016; 0,0025; 0,0040; 0,0063; 0,010; 0,016; 0,025; 0,040; 0,063; 0,10; 0,16; 0,25; 0,40; 0,63; 1,0; 1,6; 2,5; 4,0; 6,3; 10 мВт/бит.
    8.Частота сдвигающих импульсов (тактовая частота) для запоминающих устройств, выполненных на основе приборов с зарядовой связью и цилиндрических магнитных доменов, должна выбираться из ряда: 0,10; 0,25; 0,50; 1,00; 2,50; 5,00; 10,00; 25,00 МГц.
    9.Допускаемые сочетания значений основных параметров усилителей воспроизведения должны соответствовать указанным в табл.6.
    Таблица 6
    Максимальное среднее время задержки распространения, нс Минимальное входное напряжение срабатывания усилителя, мВ
    1,25 5,00 12,5 20,0
    25 х
    40 х + +
    63 +

    10.Допускаемые сочетания значений основных параметров формирователей разрядного и адресного токов должны соответствовать указанным в табл.7.
    Таблица 7
    Максимальное среднее время задержки распространения, нс Максимальный выходной импульсный ток, мА
    80 200 315 500 1250
    16 х
    25 х х
    40 х +
    63 х +
    100 +

    11.Допускаемое отклонение электрических параметров от значений, указанных в табл.3-7 и п.7, должно находиться в пределах ±20%.
    Текст документа сверен по:
    официальное издание
    М.: Издательство стандартов, 1987