| Термин | Буквенное обозначение | Определение |
| | русское | междуна- родное | |
| 1. Фоточувствительный полупроводниковый прибор D. Photoempfindliches Halbleiterbauelement Е. Photosensitive semiconductor device F. Dispositif semiconducteur photosensible | - | - | Полупроводниковый прибор, чувствительный к электромагнитному излучению в видимой, инфракрасной и (или) ультрафиолетовой областях спектра |
| 2. Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения ФЭПП D. Halbleiterphotoelement Е. Photoelectric semiconductor detector F. | - | - | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем фотоэффекте в полупроводнике |
| 3. Фотоприемное устройство ФПУ | - | - | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, состоящий из фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и схемы предварительного усиления фотосигнала в гибридном или интегральном исполнении, объединенных в единую конструкцию |
| ВИДЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИЕМНИКОВ ИЗЛУЧЕНИЯ |
| 4. Многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоспектральный ФЭПП D. Е. Multi-band photodetector F. plusieurs gammes | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий два и более фоточувствительных элементов с различными диапазонами спектральной чувствительности |
| 5. Одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Одноэлементный ФЭПП D. Е. Single-element detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий один фоточувствительный элемент |
| 6. Многоэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Многоэлементный ФЭПП D. Е. Multi-element detector F. multiple | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения с числом фоточувствительных элементов больше одного. Примечание. Допускается применять термин "двух-, трех-, четырехэлементный" фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения |
| 7. Координатный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Координатный ФЭПП D. Ortsempfindlicher Е. Position-sensitive detector | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, по выходу сигнала которого определяют координаты светового пятна на фоточувствительной поверхности |
| 8. Гетеродинный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Гетеродинный ФЭПП D. Е. Heterodyne detector F. | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, предназначенный для гетеродинного приема излучения |
| 9. Иммерсионный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Иммерсионный ФЭПП D. Е. Immersed detector F. immersion | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, содержащий иммерсионный сигнал |
| 10. Фоторезистор D. Photowiderstand Е. Photoconductive cell F. Cellule photoinductive | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, принцип действия которого основан на эффекте фотопроводимости |
| 11. Фотодиод D. Photodiode E. Photodiode F. Photodiode | - | - | Полупроводниковый диод с переходом между двумя типами полупроводника или между полупроводником и металлом, в котором поглощение излучения, происходящее в непосредственной близости перехода, вызывает фотогальванический эффект |
| 12. фотодиод D. Pin-Photodiode E. Pin-Photodiode F. Pin-Photodiode | - | - | Фотодиод, дырочная и электронная области которого разделены слоем материала с проводимостью, близкой к собственной |
| 13. Фотодиод с барьером Шоттки D. Schottky-Photodiode E. Schottky-Barrier-Photodiode | - | - | Фотодиод, запирающий слой которого образован контактом полупроводника с металлом |
| 14. Фотодиод с гетеропереходом D. Photodiode mit E. Heterojunction photodiode | - | - | Фотодиод, электронно-дырочный переход которого образован двумя полупроводниковыми материалами с разной шириной запрещенной зоны. Примечание. Переход может быть образован сложными полупроводниковыми соединениями с изменяющейся шириной запрещенной зоны |
| 15. Лавинный фотодиод D. Lawinenphotodiode E. Avalanche photodiode F. Photodiode avalanche | - | - | Фотодиод с внутренним усилием, принцип действия которого основан на явлении ударной ионизации атомов фотоносителями в сильном электрическом поле |
| 16. Инжекционный фотодиод D. Injektionsphotodiode E. Injection photodiode F. Photodiode d'injection | - | - | Фотодиод, работающий в режиме внутреннего усиления фотосигнала за счет инжекции свободных носителей заряда |
| 17. Фототранзистор D. Phototransistor E. Phototransistor F. Phototransistor | - | - | Транзистор, в котором используется фотоэлектрический эффект |
| 18. Полевой фототранзистор D. Photofeldeffekttransistor E. Field effect phototransistor F. Phototransistor effet de champ | - | - | Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру полевого транзистора |
| 19. Биполярный фототранзистор D. Bipolarphototransistor E. Bipolar phototransistor F. Phototransistor bipolaire | - | - | Фототранзистор, фоточувствительный элемент которого содержит структуру биполярного транзистора |
| 20. Охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения Охлаждаемый ФЭПП D. E. Cooled detector F. refroidi | - | - | Фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения, работающий со специальной системой охлаждения для понижения температуры фоточувствительного элемента |
| ВИДЫ ФОТОПРИЕМНЫХ УСТРОЙСТВ |
| 21. Одноэлементное фотоприемное устройство Одноэлементное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, в котором используется одноэлементный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения |
| 22. Многоэлементное фотоприемное устройство с разделенными каналами Многоэлементное ФПУ с разделенными каналами | - | - | Фотоприемное устройство, имеющее два и более фоточувствительных элемента, с независимой обработкой фотосигнала, снимаемого с каждого элемента, и числом выходов, равным числу фоточувствительных элементов |
| 23. Многоэлементное фотоприемное устройство с внутренней коммутацией Многоэлементное ФПУ с внутренней коммутацией | - | - | Фотоприемное устройство с числом фоточувствительных элементов два и более, в котором происходит коммутация их сигналов так, что выходов фотоприемного устройства меньше, чем число фоточувствительных элементов |
| 24. Многоспектральное фотоприемное устройство Многоспектральное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, содержащее многоспектральный фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения |
| 25. Фоточувствительный полупроводниковый сканистор | | | Фоточувствительный полупроводниковый прибор, принцип действия которого основан на внутреннем непрерывном сканировании поля изображения при подаче на управляющие электроды приборы пилообразного напряжения развертки |
| 26. Охлаждаемое фотоприемное устройство Охлаждаемое ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, в котором для обнаружения и (или) измерения оптического излучения используется охлаждаемый фотоэлектрический полупроводниковый приемник излучения |
| 27. Монолитное фотоприемное устройство Монолитное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, выполненное единым технологическим циклом на едином кристалле или подложке |
| 28. Гибридное фотоприемное устройство Гибридное ФПУ | - | - | Фотоприемное устройство, выполненное объединением в единой интегральной схеме частей, полученных путем различных технологических циклов |
| РЕЖИМЫ РАБОТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И (ИЛИ) ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА |
| 29. Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОФ D. Durch Hintergrundquantenfluktuation begrenzter Zustand des E. Background limited F. photodetecteur infrarouge limite par Ie rayonnement ambiant | - | - | Условия, при которых обнаружительная способность фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения определяется флуктуациями числа фотонов теплового излучения фона |
| 30. Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ОГ | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда, генерированных излучением, превышает число термически генерированных носителей |
| 31. Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим ТГ | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором число свободных носителей заряда в отсутствии полезного сигнала определяется только термической генерацией |
| 32. Фотодиодный режим D. Sperrvorspannunsbetriebsweise der Halbleiterphotovoltzelle Е. Back-biased mode of photovoltaic detector operation F. de fonctionnement du photovoltaique au contretension de polarisation | - | - | Режим работы фотодиода без внутреннего усиления при рабочем напряжении, приложенном в обратном направлении |
| 33. Лавинный режим работы фотодиода D. der Photodiode Е. Avalanche mode of photodiode operation | - | - | Режим работы фотодиода с внутренним усилением, который обеспечивается лавинным размножением носителей заряда при обратном смещении электронно-дырочного перехода |
| 34. Фотогальванический режим D. Nullvorspannungsbetriebsweiese der Halbleiterphotovoltzelle Е. Zero-bias mode of photovoltaic detector operation F. de fonctionnement du photovoltaique | - | - | Режим работы фотодиода без внешнего источника напряжения |
| 35. Режим работы фототранзистора с плавающей базой D. Phototransistorbetriebsweise mit offener Basis Е. Floating-base phototransistor operation F. du phototransistor de basis flottante | - | - | Режим работы биполярного фототранзистора при разомкнутой цепи базы с запирающим напряжением на коллекторе |
| 36. Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим короткого замыкания ФЭПП D. Kurzschlussbetrieb des Е. Short-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du court-circuit | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором внешнее нагрузочном сопротивление пренебрежимо мало по сравнению с выходным динамическим сопротивлением ФЭПП |
| 37. Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим холостого хода ФЭПП D. Leerlaufbetrieb des Е. Open-circuit mode of detector operation F. Fonctionnement du circuit ouvert | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором выходное динамическое сопротивление ФЭПП пренебрежимо мало по сравнению с сопротивлением нагрузки |
| 38. Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой D. bei Anpassung E. Matched impedance mode of detector operation F. de fonctionnement du du resistance de charge | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором сопротивление нагрузки равно выходному динамическому сопротивлению ФЭПП |
| 39. Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП D. bei E. Heterodyne reception mode of detector operation F. de fonctionnement du operation | - | - | Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, при котором происходит смешение полезного сигнала с сигналом от гетеродина, за счет чего достигается усиление полезного сигнала |
| КОНСТРУКТИВНЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРИЕМНИКА ИЗЛУЧЕНИЯ И ФОТОПРИЕМНОГО УСТРОЙСТВА |
| 40. Фоточувствительный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Фоточувствительный элемент D. Lichtempfindliches Element eines E. Detector sensitive element F. sensible du | - | - | Часть монокристалла или полупроводникового слоя, обладающего свойствами внутреннего фотоэффекта, имеющего определенную форму, расположение и геометрические размеры и предназначенная для приема оптического излучения |
| 41. Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Вывод ФЭПП D. E. Detector terminal F. Branchement du | - | - | Элемент конструкции корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, необходимый для соединения соответствующего электрода с внешней электрической цепью |
| 42. Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Контакт фоточувствительного элемента | - | - | Участок фоточувствительного элемента, обеспечивающий электрическую связь вывода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с фоточувствительным элементом |
| 43. Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Корпус ФЭПП D. E. Photodetector package F. Boitier du | - | - | Часть конструкции фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, предназначенная для защиты ФЭПП от воздействия окружающей среды и присоединения его к внешним схемам с помощью выводов |
| 44. Иммерсионный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Иммерсионный элемент ФЭПП D. E. Detector optical immersion element F. immersion du | - | - | Оптический элемент, находящийся в оптическом контакте с фоточувствительным элементом фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и служащий для концентрации потока излучения |
| 45. Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Подложка ФЭПП D. Schichttrager des Е. Detector-film base | - | - | Конструктивный элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения, на который наносится фоточувствительный слой |
| 46. Входное окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Входное окно ФЭПП D. Е. Detector window F. | - | - | Оптический элемент, входящий в конструкцию корпуса фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения и пропускающий излучение к фоточувствительному элементу |
| 47. Апертурная диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения Апертурная диафрагма ФЭПП D. Aperturblende des Е. Detector aperture stop F. Diaphragme d'ouverture du | - | - | Конструктивный элемент, ограничивающий эффективное поле зрения фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения |
| 48. Выход фотоприемного устройства | - | - | Часть фотоприемного устройства, обеспечивающая связь фотоприемного устройства с внешней электрической цепью |
| ПАРАМЕТРЫ НАПРЯЖЕНИЙ, СОПРОТИВЛЕНИЙ, ТОКОВ ФЭПП |
| 49. Рабочее напряжение ФЭПП D. Betriebsspannung Е. Operating voltage F. Tension de Tension de service | | | Постоянное напряжение, приложенное к ФЭПП, при котором обеспечиваются номинальные параметры при длительной его работе |
| 50. Пробивное напряжение фотодиода D. Durchbruchspannung einer Photodiode Е. Breakdown voltage of a photodiode F. Tension de claquage de photodiode | | | Значение обратного напряжения, не вызывающее пробой фотодиода, при котором обратный ток фотодиода достигает заданного значения |
| 51. Максимально допустимое напряжение ФЭПП D. Maximal Spannung Е. Maximum admissible voltage F. Tension maximale admissible | | | Максимальное значение постоянного напряжения, приложенного к ФЭПП при котором отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной его работе |
| 52. Электрическая прочность изоляции ФЭПП D. Isolationsfestigkeit Е. Insulating strength F. d'isolement | | | Максимально допустимое напряжение между выводами и корпусом ФЭПП, при котором в течение длительного времени не происходит пробоя изоляции или уменьшения сопротивления изоляции |
| 53. Дифференциальное электрическое сопротивление ФЭПП D. Differentieller electrischer Widerstand Е. Differential electrical resistance F. differentielle | | | Отношение малых приращений напряжения и тока на ФЭПП |
| 54. Статическое сопротивление ФЭПП D. Statischer Widerstand Е. Static resistance F. statique | | | Отношение постоянного напряжения ФЭПП к проходящему через него постоянному току |
| 55. Темновое сопротивление ФЭПП D. Dunkelwiderstand Е. Dark resistance F. Resistance | | | Сопротивление ФЭПП в отсутствие падающего на него излучения в диапазоне его спектральной чувствительности* |
| 56. Сопротивление фотодиода при нулевом смещении D. Nullpunktwiderstand einer Photodiode Е. Zero bias resistance of a photodiode F. du point de photodiode | | | Сопротивление фотодиода по постоянному току вблизи нулевой точки вольт-амперной характеристики при малых напряжениях смещения (около 10 мВ) при отсутствии облучения в диапазоне его спектральной чувствительности* |
| 57. Световое сопротивление ФЭПП D. Hellwiderstand Е. Resistance under illumination F. sous | | | Сопротивление ФЭПП при воздействии на него потока излучения в диапазоне его спектральной чувствительности |
| 58. Темповой ток ФЭПП D. Dunkelstrom Е. Dark current F. Courant | | | Ток, протекающий через ФЭПП при указанном напряжении на нем в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 59. Фототок ФЭПП D. Photostrom Е. Photocurrent F. Photocourant | | | Ток, проходящий через ФЭПП при указанном напряжении на нем, обусловленный только воздействием потока излучения с заданным спектральным распределением. Примечание. Кроме равновесного теплового излучения при заданной температуре в эффективном поле зрения ФЭПП |
| 60. Общий ток ФЭПП D. Gesamtstrom Е. Total current F. Courant total | | | Ток ФЭПП, состоящий из темнового тока и фототока |
| 61. Напряжение фотосигнала ФЭПП D. Photosignalspannung Е. Photoelectric signal voltage F. Tension de signal | | | Изменение напряжения на ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала. Примечание. Так как по переменному току нагрузка обычно подключена параллельно ФЭПП, то напряжение фотосигнала можно измерять на нагрузке |
| 62. Ток фотосигнала ФЭПП D. Photosignalstrom Е. Photoelectric signal current F. Courant de signal | | | Изменение тока в цепи ФЭПП, вызванное действием на ФЭПП потока излучения источника фотосигнала |
| ПАРАМЕТРЫ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ФЭПП** |
| 63. Чувствительность ФЭПП D. Ansprechempfindlichkeit Е. Responsivity F. | | | Отношение изменения электрической величины на выходе ФЭПП, вызванного падающим на него излучением, к количественной характеристике этого излучения, представленной любой энергетической или фотометрической величиной |
| 64. Чувствительность ФЭПП к потоку излучения D. Е. Radiant flux responsivity F. au flux | | | - |
| 65. Чувствительность ФЭПП к световому потоку D. Lichtstromempfindlichkeit Е. Luminous flux responsivity F. au flux lumineux | | | - |
| 66. Чувствительность ФЭПП к облученности D. Е. Irradiance responsivity F. | | | - |
| 67. Чувствительность ФЭПП к освещенности D. Е. Illumination responsivity F. lumineux | | | - |
| 68. Токовая чувствительность ФЭПП D. Stromempfindlichkeit Е. Current responsivity F. en courant | | | - |
| 69. Вольтовая чувствительность ФЭПП D. Spannungsempfindlichkeit Е. Voltage responsivity F. en tension | | | - |
| 70. Интегральная чувствительность ФЭПП D. Gesamtempfindlichkeit Е. Total responsivity F. globale | | | Чувствительность ФЭПП к немонохроматическому излучению заданного спектрального состава |
| 71. Монохроматическая чувствительность ФЭПП D. Monochromatische Empfindlichkeit Е. Monochromatic responsivity F. monochromatique | | | Чувствительность ФЭПП к монохроматическому излучению |
| 72. Статическая чувствительность ФЭПП D. Statische Empfindlichkeit Е. Static responsivity F. statique | | | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением постоянных значений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения |
| 73. Дифференциальная чувствительность ФЭПП D. Differentielle Empfindlichkeit Е. Differential responsivity F. | | | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением малых приращений измеряемого параметра фотоприемника и потока излучения |
| 74. Импульсная чувствительность ФЭПП D. Impulsempfindlichkeit Е. Pulse responsivity F. d'impulsions | | | Чувствительность ФЭПП, определяемая отношением амплитудных значений электрической величины на выходе ФЭПП и импульсного потока излучения заданной формы модуляции |
| 75. Наклон люксомической характеристики фоторезистора D. Steilheit der Lux-Ohm-Kennlinie Е. Illuminance-resistance characteristique slope F. Pente de | | | Тангенс угла линейного участка люксомической характеристики фоторезистора, построенной в двойном логарифмическом масштабе |
| ПАРАМЕТРЫ ПОРОГА И ШУМА ФЭПП |
| 76. Ток шума ФЭПП D. Rauschstrom Е. Noise current F. Courant de bruit | | | Среднее квадратичное значение флуктуации общего тока ФЭПП в заданной полосе частот |
| 77. Напряжение шума ФЭПП D. Rauschspannung Е. Noise voltage F. Tension de bruit | | | Среднее квадратичное значение флуктуации напряжения на заданной нагрузке в цепи ФЭПП в заданной полосе частот |
| 78. Порог чувствительности ФЭПП Порог D. Rauschleistung Е. Noise equivalent power F. Puissance au bruit | | , | Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения сигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума в заданной полосе на частоте модуляции потока излучения. Примечание. Полосу частот выбирают, как правило, в пределах 20% от частоты модуляции, так, чтобы изменением спектральной плотности шума в ее пределах можно было пренебречь |
| 79. Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот Порог в единичной полосе частот D. Rauschleistung im Einheitsfrequenzband Е. Unit frequency bandwidth noise equivalent power F. Puissance au bruit dans une bande passante des unitaire | | | Среднее квадратичное значение первой гармоники действующего на ФЭПП модулированного потока излучения источника фотосигнала с заданным спектральным распределением, при котором среднее квадратичное значение первой гармоники напряжения (тока) фотосигнала равно среднему квадратичному значению напряжения (тока) шума, приведенному к единичной полосе на частоте модуляции потока излучения |
| 80. Удельный порог чувствительности ФЭПП Удельный порог D. Spezifische Rauschleistung Е. Specific noise equivalent power F. Puissance au bruit | * | * | Порог чувствительности ФЭПП, приведенный к единичной полосе частот и единичному по площади фоточувствительному элементу |
| 81. Обнаружительная способность ФЭПП D. R. Detectivity F. | | | Величина, обратная порогу чувствительности ФЭПП |
| 82. Удельная обнаружительная способность ФЭПП D. Spezifische Е. Specific detectivity F. | * | * | Величина, обратная удельному порогу чувствительности ФЭПП |
| 83. Радиационный порог чувствительности ФЭПП Е. Noise equivalent power of the background limited infrared photodetector (BLIP) F. Puissance au bruit du philra | | | Порог чувствительности ФЭПП, шумы которого обусловлены флуктуациями теплового излучения фона заданной температуры |
| ПАРАМЕТРЫ СПЕКТРАЛЬНОЙ ХАРАКТЕРИСТИКИ |
| 84. Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП D. der maximalen Spektralempfindlichkeit Е. Peak spectral response wavelength F. Longueur d'onde de la spectrale maximale | | | Длина волны, соответствующая максимуму спектральной характеристики чувствительности |
| 85. Коротковолновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Kurzwellengrenze Е. Short wavelength limit | | | Наименьшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения |
| 86. Длинноволновая граница спектральной чувствительности ФЭПП D. Langwellengrenze Е. Long wavelength limit | | | Наибольшая длина волны монохроматического излучения, при которой монохроматическая чувствительность ФЭПП равна 0,1 ее максимального значения |
| 87. Область спектральной чувствительности ФЭПП D. Spektraler Empfindlichkeitsbereich Е. Spectral sensitivity range F. Part sensible spectral | | | Диапазон длин волн спектральной характеристики ФЭПП, в котором чувствительность ФЭПП составляет не менее 10% своего максимального значения |
| ГЕОМЕТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП |
| 88. Эффективная фоточувствительная площадь ФЭПП D. des Fuhlelements Е. Effective area of the responsive element F. Aire efficace de | | | Площадь фоточувствительного элемента эквивалентного по фотосигналу ФЭПП, чувствительность которого равномерно распределена по фоточувстительному элементу и равна номинальному значению локальной чувствительности данного ФЭПП. Примечание. Определяется соотношением , где - чувствительность к потоку при облучении фоточувствительного элемента точечным пятном с координатами ; - площадь этого фоточувствительного элемента. В качестве номинального значения локальной чувствительности , как правило, выбирается максимальная чувствительность точки в центре ФЭПП (в точке, ). Для ФЭПП с резкими неоднородностями чувствительности (микроплазмами, выбросами чувствительности на краях) методика выбора оговаривается дополнительно |
| 89. Плоский угол зрения ФЭПП D. Gesichtsfeldwinkel Е. Angular field of view F. Angle d'ouverture | | | Угол в нормальной к фоточувствительному элементу плоскости между направлениями падения параллельного пучка излучения, при которых напряжение или ток фотосигнала ФЭПП уменьшается до заданного уровня |
| 90. Эффективное поле зрения ФЭПП D. Effektiver Gesichtsfeldraumwinkel Е. Effective weighted solid angle F. Angle solide efficace | | | Телесный угол, определяемый соотношением где - напряжение фотосигнала ФЭПП; допускается замена параметра на , ; - угол между направлением падающего излучения и нормалью к фоточувствительному элементу; - азимутальный угол |
| ПАРАМЕТРЫ ИНЕРЦИОННОСТИ ФЭПП |
| 91. Время нарастания ФЭПП Время нарастания D. Anstiegszeit der normierten Е. Rise time of the normalized transfer characteristic F. Temps de de transmission | | | Минимальный интервал времени между точками переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно |
| 92. Время спада ФЭПП Время спада D. Abfallzeit der normierter Е. Decay time of the normalized inverse transfer characteristic F. Temps de descente de de transmission inverse | | | Минимальный интервал времени между точками обратной переходной нормированной характеристики ФЭПП со значениями 0,1 и 0,9 соответственно |
| 93. Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню Время установления D. Einstellzeit der normierten Е. Set-up time of the normalized transfer characteristic F. Temps de transmission | | - | Минимальное время от начала воздействия импульса излучения, по истечении которого максимальное отклонение нормированной переходной характеристики от установившегося значения не превышает : при |
| 94. Предельная частота ФЭПП D. Grenzfrequenz Е. Cut-off frequency F. de coupure | | | Частота синусоидальномодулированного потока излучения, при которой чувствительность ФЭПП падает до значения 0,707 от чувствительности при немодулированном излучении |
| 95. Емкость ФЭПП D. Е. Capacitance F. | | | - |
| 96. Последовательное сопротивление фотодиода D. Reihenwiderstand einer Photodiode Е. Series resistance F. | | | Активная составляющая электрического сопротивления фотодиода по переменному току, включенная последовательно емкости перехода фотодиода |
| ПАРАМЕТРЫ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ФЭПП |
| 97. Число элементов ФЭПП D. Е. Element ber F. Nombre des | | - | - |
| 98. Шаг элементов ФЭПП D. Rastermass Е. Pitch F. Ecartement | | | Расстояние между центрами двух соседних фоточувствительных элементов ФЭПП |
| 99. Межэлементный зазор многоэлементного ФЭПП D. Е. Element spacing F. Espacement des | | | Расстояние между наименее удаленными друг от друга краями фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП |
| 100. Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП D. Photoelektrischer Kopplungsfaktor Е. Photoelectric coupling coefficient F. Coefficient de couplage | | | Отношение напряжения сигнала с необлученного элемента в многоэлементном ФЭПП к напряжению фотосигнала с облученного элемента, определяемого на линейном участке энергетической характеристики |
| 101. Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП D. Parameterstreuung Е. Figure ol merit straggling F. Dispersion de figure de | | | Отношение полуразности наибольшего и наименьшего значений параметра фоточувствительных элементов в многоэлементном ФЭПП к среднему значению этого параметра. Примечание. В буквенном обозначении вместо "X" следует указывать буквенное обозначение соответствующего параметра |
| ПАРАМЕТРЫ ФОТОТРАНЗИСТОРОВ*** |
| 102. Напряжение на коллекторе фототранзистора D. Kollektorspannung Е. Collector voltage F. Tension du collecteur | | | Напряжение между коллектором и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
| 103. Напряжение на эмиттере фототранзистора D. Emitterspannung Е. Emitter voltage F. Tension | | | Напряжение между эмиттером и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
| 104. Напряжение на базе фототранзистора D. Basisspannung Е. Base voltage F. Tension de base | | | Напряжение между базой и выводом, который является общим для схемы включения фототранзистора |
| 105. Пробивное напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-emitters breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de phototransistor | | | Пробивное напряжение между выводами коллектора и эмиттера фототранзистора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 106. Пробивное напряжение коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Durch-bruchspannung eines Phototransistors Е. Collector-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage collecteur-base de phototransistor | | | Пробивное напряжение между выводами коллектора и базы фототранзистора при открытом эмиттере и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 107. Пробивное напряжение эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Durchbruch-spannung eines Phototransistors Е. Emitter-base breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de pbototransistor | | | Пробивное напряжение между выводами эмиттера и базы фототранзистора при открытом коллекторе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 108. Пробивное напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Durch-bruchspannung eines Phtototransistors Е. Emitter-collector breakdown voltage of a phototransistor F. Tension de claquage de phototransistor | | | Пробивное напряжение между выводами эмиттера и коллектора при открытой базе и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 109. Темновой ток коллектора фототранзистора D. Kollektordunkelstrom Е. Collector dark current F. Courant du collecteur | , , | , , | - |
| 110. Темновой ток эмиттера фототранзистора D. Emitterdunkelstrom Е. Emitter dark current F. Courant | , , | , , | - |
| 111. Темновой ток базы фототранзистора D. Basisdunkelstrom Е. Base dark current F. Courant de base | , , | , , | - |
| 112. Темновой ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Dunkel-strom eines Phototransistors Е. Collector-emitter dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor | | | Ток в цепи коллектора при отсутствии тока в базе, протекающий при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 113. Темновой ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Collector-base dark current of a phototransistor F. Courant collecteur-base de phototransistor | | | Ток в цепи коллектора, протекающий при отсутствии тока в эмиттере при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 114. Темновой ток эмиттер-база фототранзистора D. Emitter-Basis-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-base dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor | | | Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в коллекторе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 115. Темновой ток эмиттер-коллектор фототранзистора D. Emitter-Kollektor-Dunkelstrom eines Phototransistors E. Emitter-collector dark current of a phototransistor F. Courant de phototransistor | | | Темновой ток в цепи эмиттера, протекающий при отсутствии тока в базе при определенных условиях работы и в отсутствие потока излучения в диапазоне спектральной чувствительности* |
| 116. Фототок коллектора фототранзистора D. Kollektorfotostrom eines Phototransistors E. Collector photocurrent of a phototransistor F. Photocourant du collecteur de phototransistor | , , | , , | - |
| 117. Фототок эмиттера фототранзистора D. Emitterphotostrom eines Phototransistors E. Emitter photocurrent of a phototransistor F. Photocourant d'emetteur de phototransistor | , , | , , | - |
| 118. Фототок базы фототранзистора D. Basisfotostrom eines Phototransistors E. Base photocurrent of a phototransistor F. Photocourant de base de phototransistor | , , | , , | - |
| 119. Общий ток коллектора фототранзистора D. Kollektorgesamtstrom eines Phototransistors E. Collector total current of a phototransistor F. Courant total du collecteur de phototransistor | , , | , , | - |
| 120. Общий ток эмиттера фототранзистора D. Emittergesamtstrom eines Phototransistors E. Emitter total current of a phototransistor F. Courant total de phototransistor | , , | , , | - |
| 121. Общий ток базы фототранзистора D. Basisgesamtstrom eines Phototransistors E. Base total current of a phototransistor F. Courant total de base de phototransistor | , , | , , | - |
| 122. Общий ток коллектор-эмиттер фототранзистора D. Kollektor-Emitter-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-emitter total current of a phototransistor F. Courant total de phototransistor | | | Общий ток коллектор-эмиттер, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением |
| 123. Общий ток коллектор-база фототранзистора D. Kollektor-Basis-Gesamtstrom eines Phototransistors E. Collector-base total current of a phototransistor F. Courant total collecteur-base de phototransistor | | | Общий ток коллектор-база, протекающий через фототранзистор при воздействии на него потока излучения с заданным спектральным распределением |
| 124. Токовая чувствительность фототранзистора D. Stromempfindlichkeit eines Phototransistors E. Current responsivity of the phototransistor F. en courant du phototransistor | , , | - | Отношение изменения электрического тока на выходе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току |
| 125. Вольтовая чувствительность фототранзистора D. Spannungsempfindlichkeit eines Phototransistors E. Voltage responsivity of the phototransistor F. en tension du phototransistor | , , | - | Отношение изменения напряжения на входе фототранзистора к потоку излучения, вызвавшему это изменение при холостом ходе на входе и коротком замыкании на выходе по переменному току |
| 126. Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора D. E. Photocurrent gain factor F. Gain de photocourant | | - | Отношение фототока коллектора фототранзистора при отключенной базе к фототоку освещаемого перехода, измеренному в диодном режиме |
| ПАРАМЕТРЫ КООРДИНАТНЫХ ФОТОДИОДОВ |
| 127. Линейная зона координатной характеристики координатного фотодиода | | - | Участок координатной характеристики координатного фотодиода, на котором нелинейность не превышает заданного значения |
| 128. Дифференциальная крутизна координатной характеристики координатного фотодиода | | - | Отношение малого приращения фотосигнала координатного фотодиода к малому изменению координаты светового пятна, отнесенного к единице потока излучения |
| 129. Статическая крутизна координатной характеристики координатного фотодиода | | - | Отношение полного приращения фотосигнала координатного фотодиода к изменению координаты светового пятна, отнесенное к единице потока излучения |
| 130. Нулевая точка координатного фотодиода | | | Координата энергетического центра светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода, при которой фотосигнал равен нулю |
| 131. Выходное сопротивление координатного фотодиода | | | Отношение напряжения фотосигнала холостого хода координатного фотодиода к фототоку короткого замыкания при малом потоке излучения |
| ПАРАМЕТРЫ ЛАВИННЫХ ФОТОДИОДОВ |
| 132. Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода D. der Lawinenphotodiode Е. Dark current multiplication factor of the avalanche photodiode F. Facteur de multiplication de courant de photodiode avalanche | | | Отношение темнового тока лавинного фотодиода к его первичному темновому току - к темновому току, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, отсутствии засветки и прочих равных условиях |
| 133. Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода D. Photostromvervielfachungsfaktor Е. Photocurrent multiplication factor F. Facteur de multiplication de photocourant | | | Отношение фототока лавинного фотодиода к его первичному фототоку, который протекал бы в лавинном фотодиоде при отсутствии в нем эффекта лавинного умножения при том же рабочем напряжении, интенсивности засветки и прочих равных условиях. Примечание. Если фототок измеряют при засветке всего чувствительного элемента, то получают интегральный коэффициент умножения, а при точечной засветке - локальный коэффициент умножения |
| 134. Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Konstanthaltungsgenauigkeit der Betriebsspannung Е. Operating voltage constant keeping accuracy | | | Относительное изменение рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока изменяется в заданных пределах |
| 135. Температурный коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода D. Temperaturkoeffizient der Betribsspannung Е. Operating voltage temperature coefficient F. Coefficient de temprature de tension de | | | Отношение изменения рабочего напряжения, при котором коэффициент умножения фототока достигает исходного значения, к изменению температуры и рабочему напряжению при исходной температуре. Примечание. При малых изменениях температуры получают динамический температурный коэффициент рабочего напряжения; если диапазон изменения температур большой - статический температурный коэффициент рабочего напряжения |
| ПАРАМЕТРЫ ИНЖЕКЦИОННЫХ ФОТОДИОДОВ |
| 136. Коэффициент усиления инжекционного фотодиода D. der Injectionsphotodiode E. Injection photodiode gain F. Gain de photodiode injection | | - | Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фотодиода в фотогальваническом режиме |
| 137. Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода D. Relativer E. Relative gain F. Gain relatif | | - | Отношение токовой чувствительности инжекционного фотодиода при рабочем напряжении к токовой чувствительности фоторезистора из того же материала, с теми же размерами и расположением контактов при одинаковых условиях - напряжении, температуре, фоне. Примечание. Для инжекционных фотодиодов с линейным участком вольт-амперной характеристики определяется также отношением токовых чувствительностей при рабочем напряжении на линейном участке, деленном на отношение этих напряжений |
| ЭКСПЛУАТАЦИОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ ФЭПП |
| 138. Рассеиваемая мощность ФЭПП D. Gesamtverlustleistung E. Total power dissipation F. Dissipation totale de puissance | | | Суммарная мощность, рассеиваемая ФЭПП и определяемая мощностью электрического сигнала и мощностью воздействующего на него излучения |
| 139. Максимально допустимая рассеиваемая мощность ФЭПП D. Maximal Verlustleistung E. Maximum admissible power dissipation F. Puissance maximale admissible | | | Максимальная электрическая мощность, рассеиваемая ФЭПП, при которой отклонение его параметров от номинальных значений не превышает указанных пределов при длительной работе |
| 140. Критическая мощность излучения для ФЭПП | | - | Максимальная мощность импульсного или постоянного излучения, при которой отклонение энергетической характеристики ФЭПП от линейного закона достигает заданного уровня |
| 141. Динамический диапазон ФЭПП D. Dynamischer Bereich E. Dynamic range F. Gamme dynamique | | - | Отношение критической мощности излучения для ФЭПП к порогу чувствительности ФЭПП в заданной полосе частот. Примечание. Для ФЭПП, нелинейных в области пороговых засветок, вместо порога чувствительности выбирают минимальный уровень мощности излучения, при которой отклонение энергетической характеристики от линейного закона достигает заданного уровня |
| 142. Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу D. der Empfindlichkeit E. Spacing response non-uniformity F. | | - | Разность наибольшего и наименьшего значений чувствительности ФЭПП , измеренной при перемещении в пределах фоточувствительного элемента оптического зонда с заданным спектральным распределением излучения и диаметром, отнесенная к среднему значению чувствительности |
| 143. Нестабильность сопротивления ФЭПП D. des Widerstandes E. Resistance unstability coefficient F. Coefficient de de | | - | Отношение максимального отклонения сопротивления ФЭПП от его среднего значения при постоянной температуре и напряжении питания в течение заданного интервала времени к среднему значению |
| 144. Нестабильность темнового тока ФЭПП D. des Dunkelstromes E. Dark current unstability coefficient F. Coefficient de du courant | | - | Отношение максимального отклонения темнового тока ФЭПП от его среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных температуре и напряжении питания приемника к среднему значению: |
| 145. Нестабильность чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit E. Response unstability coefficient F. Coefficient de de la | | - | Отношение максимального отклонения напряжения фотосигнала от среднего значения в течение заданного интервала времени при постоянных значениях потока излучения, температуры и постоянном напряжении питания ФЭПП к среднему значению |
| 146. Температурный коэффициент фототока ФЭПП D. Temperaturkoeffizient des Photostromes E. Photocurrent-temperature coefficient F. Coefficient de du photocourant | | - | Отношение процентного изменения фототока ФЭПП к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды при заданной освещенности (облученности) |
| 147. Световая нестабильность ФЭПП D. E. Light unstability F. lumineuse | | - | Изменение светового сопротивления ФЭПП, происшедшее вследствие изменения условий освещенности при его хранении |
| 148. Температура выхода на режим оптической генерации | | | - |
| 149. Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП E. Cooldown time | | | Интервал времени с момента включения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП достигают заданного уровня |
| 150. Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП D. Betriebszeit E. Independent operating time F. autonome | | | Интервал времени с момента отключения системы охлаждения или термостабилизации до момента, когда параметры охлаждаемого ФЭПП изменяются до заданного допустимого уровня |
| СПЕКТРАЛЬНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 151. Спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Spektrale Empfindlichkeit E. Spectral sensitivity F. spectrale | | | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП от длины волны регистрируемого потока излучения |
| 152. Абсолютная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Absolute spektrale Empfindlichkeitskennlinie E. Absolute spectral-response characteristic F. spectrale absolue | | | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, измеренной в абсолютных единицах, от длины волны регистрируемого потока излучения |
| 153. Относительная спектральная характеристика чувствительности ФЭПП D. Relative spektrale Empfindlichkeitskennlinie | | | Зависимость монохроматической чувствительности ФЭПП, отнесенной к значению максимальной монохроматической чувствительности, от длины волны регистрируемого потока излучения |
| ВОЛЬТОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 154. Вольт-амперная характеристика ФЭПП D. Strom-Spannungs-Kennlinie E. Current-voltage characteristic F. couranttension | | | Зависимость электрического тока от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения |
| 155. Входная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Eingangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Input current-voltage characteristic F. couranttension | | | Зависимость электрического тока от напряжения на входе фототранзистора при постоянном напряжении на выходе и фиксированном потоке излучения |
| 156. Выходная вольт-амперная характеристика фототранзистора D. Ausgangs-Strom-Spannungs-Kennlinie E. Output current-voltage characteristic F. couranttension de sortie | | | Зависимость электрического тока от напряжения на выходе фототранзистора при постоянном токе на входе и фиксированном потоке излучения |
| 157. Вольтовая характеристика чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit E. Bias voltage response characteristic | | | Зависимость чувствительности от напряжения, приложенного к ФЭПП, при фиксированном потоке излучения |
| 158. Вольтовая характеристика тока шума ФЭПП D. des Rauschstromes E. Bias noise current characteristic | | | Зависимость среднего квадратичного значения тока шума от напряжения, приложенного к ФЭПП |
| 159. Вольтовая характеристика напряжения шума ФЭПП D. der Rauschspannung E. Bias noise voltage characteristic | | | Зависимость среднего квадратичного значения напряжения шума от напряжения, приложенного к ФЭПП |
| 160. Вольтовая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. der E. Bias detectivity characteristic | | | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от напряжения, приложенного к нему |
| 161. Вольтовая характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода D. des Vervielfachungsfaktors der Lawinenphotodiode E. Bias multiplication factor characteristic of the avalanche photodiode | , | , | Зависимость коэффициента умножения лавинного фотодиода от напряжения, приложенного к нему |
| ХАРАКТЕРИСТИКИ ЗАВИСИМОСТИ ПАРАМЕТРОВ ФЭПП ОТ ПОТОКА ИЗЛУЧЕНИЯ |
| 162. Энергетическая характеристика фототока ФЭПП D. des Photostroms von dem Strahlungsfluss E. Photocurrent-radiant flux characteristic | | | Зависимость фототока ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП |
| 163. Энергетическая характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП D. der Photoelektrischen Signalspannung von dem Strahlungsfluss E. Photoelectric signal voltage-radiant flux characteristic | | | Зависимость параметра фототока, сопротивления, напряжения либо тока фотосигнала ФЭПП от потока или плотности потока излучения, падающего на ФЭПП |
| 164. Энергетическая характеристика статического сопротивления фоторезистора D. des statischen Widerstands E. Radiant power-static resistance characteristic | | | Зависимость статического сопротивления фоторезистора от потока или плотности потока излучения, падающего на фоторезистор |
| 165. Люксомическая характеристика фоторезистора D. des inneren Widerstands von der E. Resistance-Illuminance characteristic | | , | Зависимость светового сопротивления фоторезистора от освещенности или светового потока, падающего на фоторезистор |
| 166. Люкс-амперная характеристика ФЭПП D. des Photostroms von der E. Photocurrent-Illuminance characteristic | | | Зависимость фототока ФЭПП от освещенности или светового потока, падающего на ФЭПП |
| 167. Входная энергетическая характеристика фототранзистора | , | - | Зависимость напряжения (тока) на входе фоторезистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе |
| 168. Выходная энергетическая характеристика фототранзистора | | - | Зависимость электрического тока на выходе фототранзистора от потока или плотности потока излучения при постоянном напряжении на выходе и фиксированном токе (напряжении) на входе |
| ЧАСТОТНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 169. Частотная характеристика чувствительности ФЭПП D. Frequenzgang der Empfindlichkeit E. Frequency response characteristic F. de la | | | Зависимость чувствительности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения |
| 170. Спектр тока шума ФЭПП D. Rauschstromspektrum Е. Noise current spectrum F. Spectre du courant de bruit | | | Распределение плотности среднего квадратичного значения тока шума ФЭПП по частотам |
| 171. Спектр напряжения шума ФЭПП D. Rauschspannungsspektrum Е. Noise voltage spectrum F. Spectre de la tension de bruit | | | Распределение плотности среднего квадратичного значения напряжения шума ФЭПП по частотам |
| 172. Частотная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП Е. Specific detectivity frequency dependence | | | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от частоты модуляции потока излучения |
| ФОНОВЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 173. Фоновая характеристика светового сопротивления ФЭПП D. des Hellwiderstands von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Resistance under illumination-background radiant flux characteristic | | , | Зависимость сопротивления ФЭПП от немодулированного потока излучения фона |
| 174. Фоновая характеристика чувствительности ФЭПП D. der Empfindlichkeit von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Responsivity-background radiant flux characteristic | | | Зависимость чувствительности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона |
| 175. Фоновая характеристика тока шума ФЭПП D. des Rauschstroms von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Noise current-background radiant flux characteristic | | | Зависимость тока шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона |
| 176. Фоновая характеристика напряжения шума ФЭПП D. der Rauschspannung von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Noise voltage-background radiant flux characteristic | | | Зависимость напряжения шума ФЭПП от немодулированного потока излучения фона |
| 177. Фоновая характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. der equivalenten Rauschleistung im Einheitsfrequenzband von dem Hintergrundstrahlungsleistung Е. NEP-background radiant flux characteristic | | - | Зависимость порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот от потока излучения фона |
| 178. Фоновая характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. der spezifischen von dem Hintergrundstrahlungsfluss Е. Specific detectivity-background radiant flux characteristic | | | Зависимость удельной обнаружительной способности ФЭПП от немодулированного потока излучения фона |
| ТЕМПЕРАТУРНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 179. Температурная характеристика светового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Hellwiderstands Е. Resistance under illumination-temperature characteristic | | , | - |
| 180. Температурная характеристика темнового сопротивления ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelwider-stands Е. Dark resistance-temperature characteristic | | - | - |
| 181. Температурная характеристика темнового тока ФЭПП D. Temperaturverlauf des Dunkelstroms Е. Dark current-temperature characteristic | | | - |
| 182. Температурная характеристика чувствительности ФЭПП D. Temperaturverlauf der Empfindlichkeit Е. Responsivity-temperature characteristic | | | - |
| 183. Температурная характеристика тока шума ФЭПП D. Temperaturverlauf des Rauschstroms Е. Noise current-temperature characteristic | | | - |
| 184. Температурная характеристика напряжения шума ФЭПП D. Temperaturverlauf der Rauschspannung Е. Noise voltage-temperature characteristic | | | - |
| 185. Температурная характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот D. Temperaturverlauf der Rauschleistung im Einheitsfrequenzhand Е. NEP-temperature characteristic | | - | - |
| 186. Температурная характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП D. Temperaturverlauf der spezifischen Е. Specific detectivity-temperature characteristic | | | - |
| 187. Температурная характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода D. Temperaturverlauf der Nullpunktdrift Е. Zero drift-temperature characteristic | | | Зависимость смещения нулевой точки координатного фотодиода от его температуры |
| ВРЕМЕННЫЕ И ПРОСТРАНСТВЕННЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФЭПП |
| 188. Переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized transfer charakteristic F. de transmission | | - | Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к установившемуся значению фототока при воздействии импульса излучения в форме единичной ступени. Примечание. Импульс излучения в форме единичной степени описывается выражением В общем случае переходная нормированная характеристика может иметь вид: |
| 189. Обратная переходная нормированная характеристика ФЭПП D. Normierte Е. Normalized inverse transfer characteristic F. de transmission inverse | | - | Отношение фототока, описывающего реакцию ФЭПП в зависимости от времени, к начальному значению фототока при резком прекращении воздействия излучения. Примечание. Поток излучения при резком прекращении воздействия описывается выражением |
| 190. Координатная характеристика координатного фотодиода | | - | Зависимость выходного напряжения или тока фотосигнала от координаты светового пятна на фоточувствительном элементе координатного фотодиода |
| 191. Временной дрейф нулевой точки координатного фотодиода Дрейф нуля D. Nullpunktdrift Е. Zero drift | | | Смещение нулевой точки координатного фотодиода при постоянной температуре в течение заданного интервала времени |
| 192. Распределение чувствительности по элементу ФЭПП D. Е. Responsivity surface distribution F. Distribution superficielle de la | | | Зависимость чувствительности ФЭПП от положения светового зонда на светочувствительном элементе |
| 193. Угловая характеристика чувствительности ФЭПП D. Empfindlichkeitswinkelverteilung Е. Responsivity directional distribution F. Distribution directionnelle de la | | | Зависимость чувствительности ФЭПП от угла между направлением падающего излучения и нормалью плоскости фоточувствительного элемента |
| Время автономной работы охлаждаемого ФЭПП | 150 |
| Время выхода на режим охлаждаемого ФЭПП | 149 |
| Время нарастания | 91 |
| Время нарастания ФЭПП | 91 |
| Время спада | 92 |
| Время спада ФЭПП | 92 |
| Время установления | 93 |
| Время установления переходной нормированной характеристики ФЭПП по уровню | 93 |
| Вывод фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 41 |
| Вывод ФЭПП | 41 |
| Выход фотоприемного устройства | 48 |
| Диапазон ФЭПП динамический | 141 |
| Диафрагма фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения апертурная | 47 |
| Диафрагма ФЭПП апертурная | 47 |
| Длина волны максимума спектральной чувствительности ФЭПП | 84 |
| Граница спектральной чувствительности ФЭПП длинноволновая | 86 |
| Граница спектральной чувствительности ФЭПП коротковолновая | 85 |
| Дрейф нулевой точки координатного фотодиода временной | 191 |
| Дрейф нуля | 191 |
| Емкость ФЭПП | 95 |
| Зазор многоэлемеитного ФЭПП межэлементный | 99 |
| Зона координатной характеристики координатного фотодиода линейная | 127 |
| Контакт фоточувствительного элемента | 42 |
| Контакт фоточувствительного элемента фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 42 |
| Корпус фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 43 |
| Корпус ФЭПП | 43 |
| Коэффициент относительного инжекционного усиления инжекционного фотодиода | 137 |
| Коэффициент рабочего напряжения лавинного фотодиода температурный | 135 |
| Коэффициент умножения темнового тока лавинного фотодиода | 132 |
| Коэффициент умножения фототока лавинного фотодиода | 133 |
| Коэффициент усиления инжекционного фотодиода | 136 |
| Коэффициент усиления по фототоку фототранзистора | 126 |
| Коэффициент фототока ФЭПП температурный | 146 |
| Коэффициент фотоэлектрической связи многоэлементного ФЭПП | 100 |
| Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода дифференциальная | 128 |
| Крутизна координатной характеристики координатного фотодиода статическая | 129 |
| Мощность излучения для ФЭПП критическая | 140 |
| Мощность ФЭПП рассеиваемая | 138 |
| Мощность ФЭПП рассеиваемая максимально допустимая | 139 |
| Наклон люксомической характеристики фоторезистора | 75 |
| Напряжение коллектор-база фототранзистора пробивное | 106 |
| Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора пробивное | 105 |
| Напряжение на базе фототранзистора | 104 |
| Напряжение на коллекторе фототранзистора | 102 |
| Напряжение на эмиттере фототранзистора | 103 |
| Напряжение фотодиода пробивное | 50 |
| Напряжение фотосигнала ФЭПП | 61 |
| Напряжение ФЭПП максимально допустимое | 51 |
| Напряжение ФЭПП рабочее | 49 |
| Напряжение шума ФЭПП | 87 |
| Напряжение эмиттер-база фототранзистора пробивное | 107 |
| Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора пробивное | 108 |
| Неравномерность чувствительности ФЭПП по элементу | 142 |
| Нестабильность сопротивления ФЭПП | 143 |
| Нестабильность темнового тока ФЭПП | 144 |
| Нестабильность ФЭПП световая | 147 |
| Нестабильность чувствительности ФЭПП | 145 |
| Область спектральной чувствительности ФЭПП | 87 |
| Окно фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения входное | 46 |
| Окно ФЭПП входное | 46 |
| Площадь ФЭПП фоточувствительная эффективная | 88 |
| Подложка фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 45 |
| Подложка ФЭПП | 45 |
| Поле зрения ФЭПП эффективное | 90 |
| Порог | 78 |
| Порог в единичной полосе частот | 79 |
| Порог удельный | 80 |
| Порог чувствительности ФЭПП | 78 |
| Порог чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот | 79 |
| Порог чувствительности ФЭПП радиационный | 83 |
| Порог чувствительности ФЭПП удельный | 80 |
| Прибор полупроводниковый фоточувствительный | 1 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический | 2 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический гетеродинный | 8 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический иммерсионный | 9 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический координатный | 7 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоспектральный | 4 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический многоэлементный | 6 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический одноэлементный | 5 |
| Приемник излучения полупроводниковый фотоэлектрический охлаждаемый | 20 |
| Прочность изоляции ФЭПП электрическая | 52 |
| фотодиод | 12 |
| Разброс значений параметров многоэлементного ФЭПП | 101 |
| Распределение чувствительности по элементу ФЭПП | 192 |
| Режим короткого замыкания фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 36 |
| Режим короткого замыкания ФЭПП | 36 |
| Режим ОГ | 30 |
| Режим ограничения флуктуациями числа фотонов фона фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 29 |
| Режим оптического гетеродинного приема фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 39 |
| Режим оптического гетеродинного приема ФЭПП | 39 |
| Режим оптической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 30 |
| Режим ОФ | 29 |
| Режим работы фотодиода лавинный | 33 |
| Режим работы фототранзистора с плавающей базой | 35 |
| Режим работы фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения с согласованной нагрузкой | 38 |
| Режим работы ФЭПП с согласованной нагрузкой | 38 |
| Режим ТГ | 31 |
| Режим термической генерации фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 31 |
| Режим фотогальванический | 34 |
| Режим фотодиодный | 32 |
| Режим холостого хода фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения | 37 |
| Режим холостого хода ФЭПП | 37 |
| Сканистор полупроводниковый фотоэлектрический фоточувствительный | 25 |
| Сопротивление координатного фотодиода выходное | 131 |
| Сопротивление фотодиода последовательное | 96 |
| Сопротивление фотодиода при нулевом смещении | 56 |
| Сопротивление ФЭПП световое | 57 |
| Сопротивление ФЭПП статическое | 54 |
| Сопротивление ФЭПП темновое | 55 |
| Сопротивление ФЭПП электрическое дифференциальное | 53 |
| Спектр напряжения шума ФЭПП | 171 |
| Спектр тока шума ФЭПП | 170 |
| Способность ФЭПП обнаружительная | 81 |
| Способность ФЭПП обнаружительная удельная | 82 |
| Температура выхода на режим оптической генерации | 148 |
| Ток базы фототранзистора общий | 121 |
| Ток базы фототранзистора темновой | 111 |
| Ток коллектора фототранзистора общий | 119 |
| Ток коллектора фототранзистора темновой | 109 |
| Ток коллектор-база фототранзистора общий | 123 |
| Ток коллектор-база фототранзистора темновой | 113 |
| Ток коллектор-эмиттер фототранзистора общий | 122 |
| Ток коллектор-эмиттер фототранзистора темновой | 112 |
| Ток фотосигнала ФЭПП | 62 |
| Ток ФЭПП общий | 60 |
| Ток ФЭПП темновой | 58 |
| Ток шума ФЭПП | 76 |
| Ток эмиттер-база фототранзистора темновой | 114 |
| Ток эмиттер-коллектор фототранзистора темновой | 115 |
| Ток эмиттера фототранзистора общий | 120 |
| Ток эмиттера фототранзистора темновой | 110 |
| Точка координатного фотодиода нулевая | 130 |
| Точность поддержания рабочего напряжения лавинного фотодиода | 134 |
| Угол зрения ФЭПП плоский | 89 |
| Устройство с внутренней коммутацией фотоприемное многоэлементное | 23 |
| Устройство с разделенными каналами фотоприемное многоэлементное | 22 |
| Устройство фотоприемное | 3 |
| Устройство фотоприемное гибридное | 28 |
| Устройство фотоприемное многоспектральное | 24 |
| Устройство фотоприемное монолитное | 27 |
| Устройство фотоприемное одноэлементное | 21 |
| Устройство фотоприемное охлаждаемое | 26 |
| Фотодиод | 11 |
| Фотодиод инжекционный | 16 |
| Фотодиод лавинный | 15 |
| Фотодиод с барьером Шоттки | 13 |
| Фотодиод с гетеропереходом | 14 |
| Фоторезистор | 10 |
| Фототок базы фототранзистора | 118 |
| Фототок коллектора фототранзистора | 116 |
| Фототок ФЭПП | 59 |
| Фототок эмиттера фототранзистора | 117 |
| Фототранзистор | 17 |
| Фототранзистор биполярный | 19 |
| Фототранзистор полевой | 18 |
| ФПУ | 3 |
| ФПУ гибридное | 28 |
| ФПУ многоспектральное | 24 |
| ФПУ монолитное | 27 |
| ФПУ одноэлементное | 21 |
| ФПУ охлаждаемое | 26 |
| ФПУ с внутренней коммутацией многоэлементное | 23 |
| ФПУ с разделенными каналами многоэлементное | 22 |
| ФЭПП | 2 |
| ФЭПП гетеродинный | 8 |
| ФЭПП иммерсионный | 9 |
| ФЭПП координатный | 7 |
| ФЭПП многоспектральный | 4 |
| ФЭПП многоэлементный | 6 |
| ФЭПП одноэлементный | 5 |
| ФЭПП охлаждаемый | 20 |
| Характеристика дрейфа нулевой точки координатного фотодиода температурная | 187 |
| Характеристика координатного фотодиода координатная | 190 |
| Характеристика коэффициента умножения лавинного фотодиода вольтовая | 161 |
| Характеристика напряжения фотосигнала ФЭПП энергетическая | 163 |
| Характеристика напряжения шума ФЭПП вольтовая | 159 |
| Характеристика напряжения шума ФЭПП температурная | 184 |
| Характеристика напряжения шума ФЭПП фоновая | 176 |
| Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот температурная | 185 |
| Характеристика порога чувствительности ФЭПП в единичной полосе частот фоновая | 177 |
| Характеристика светового сопротивления ФЭПП температурная | 179 |
| Характеристика светового сопротивления ФЭПП фоновая | 173 |
| Характеристика статического сопротивления фоторезистора энергетическая | 164 |
| Характеристика темнового сопротивления ФЭПП температурная | 180 |
| Характеристика темнового тока ФЭПП температурная | 181 |
| Характеристика тока шума ФЭПП вольтовая | 158 |
| Характеристика тока шума ФЭПП температурная | 183 |
| Характеристика тока шума ФЭПП фоновая | 175 |
| Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП вольтовая | 160 |
| Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП температурная | 186 |
| Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП фоновая | 178 |
| Характеристика удельной обнаружительной способности ФЭПП частотная | 172 |
| Характеристика фоторезистора люксомическая | 165 |
| Характеристика фототока ФЭПП энергетическая | 162 |
| Характеристика фототранзистора вольт-амперная входная | 155 |
| Характеристика фототранзистора вольт-амперная выходная | 156 |
| Характеристика фототранзистора энергетическая входная | 167 |
| Характеристика фототранзистора энергетическая выходная | 168 |
| Характеристика ФЭПП вольт-амперная | 154 |
| Характеристика ФЭПП люксамперная | 166 |
| Характеристика ФЭПП нормированная переходная | 188 |
| Характеристика ФЭПП нормированная переходная обратная | 189 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП вольтовая | 157 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная | 151 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная абсолютная | 152 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП спектральная относительная | 153 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП температурная | 182 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП угловая | 193 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП фоновая | 174 |
| Характеристика чувствительности ФЭПП частотная | 169 |
| Частота ФЭПП предельная | 94 |
| Число элементов ФЭПП | 97 |
| Чувствительность фототранзистора вольтовая | 125 |
| Чувствительность фототранзистора токовая | 124 |
| Чувствительность ФЭПП | 63 |
| Чувствительность ФЭПП вольтовая | 69 |
| Чувствительность ФЭПП дифференциальная | 73 |
| Чувствительность ФЭПП импульсная | 74 |
| Чувствительность ФЭПП интегральная | 70 |
| Чувствительность ФЭПП к облученности | 66 |
| Чувствительность ФЭПП к освещенности | 67 |
| Чувствительность ФЭПП к потоку излучения | 64 |
| Чувствительность ФЭПП к световому потоку | 65 |
| Чувствительность ФЭПП монохроматическая | 71 |
| Чувствительность ФЭПП статическая | 72 |
| Чувствительность ФЭПП токовая | 68 |
| Шаг элементов ФЭПП | 98 |
| Элемент фоточувствительный | 40 |
| Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения иммерсионный | 44 |
| Элемент фотоэлектрического полупроводникового приемника излучения фоточувствительный | 40 |
| Элемент ФЭПП иммерсионный | 44 |