-32300: transport error - HTTP status code was not 200

СССР
Государственный стандарт от 01 июля 1981 года № ГОСТ 4.64-80

ГОСТ 4.64-80 СПКП. Полупроводниковые материалы. Номенклатура показателей (с Изменением N 1)

Принят
Государственным комитетом СССР по стандартам
12 мая 1980 года
    ГОСТ 4.64-80
    Группа Т51
    ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР
    Система показателей качества продукции
    ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
    Номенклатура показателей
    Product-quality index system. Semiconductor materials.
    Nomenclature of indices
    Дата введения 1981-07-01
    ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ постановлением Государственного комитета СССР по стандартам от 12 мая 1980 г. N 2059
    ПЕРЕИЗДАНИЕ (февраль 1985 г.) с Изменением N 1, утвержденным в марте 1985 г. Пост. N 545 от 13.03.85 (ИУС 6-85).
    Настоящий стандарт устанавливает номенклатуру основных показателей качества объемных монокристаллов полупроводниковых материалов, включаемых в ТЗ на НИР по определению перспектив развития этой группы продукции, государственные стандарты с перспективными требованиями, а также номенклатуру показателей качества, включаемых в разрабатываемые и перспективные стандарты на продукцию, ТЗ на ОКР, технические условия, карты технического уровня и качества продукции.
    Коды ОКП приведены в справочном приложении 1.
    1.НОМЕНКЛАТУРА ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА ОБЪЕМНЫХ МОНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ МАТЕРИАЛОВ
    Номенклатура показателей качества, единицы измерения, условные обозначения, а также характеризуемые свойства, приведены в табл.1.
    Алфавитный перечень показателей качества полупроводниковых материалов приведен в справочном приложении 2.
    Таблица 1
    Показатель качества и единица измерения Условное обозначение показателя качества Характеризуемое свойство
    1. Удельное электрическое сопротивление, Ом·см Электрофизическое свойство
    1.1. Номинальное значение удельного электрического сопротивления, Ом·см
    1.2. Интервал номинальных значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
    1.3. Интервал значений удельного электрического сопротивления, Ом·см
    2. Относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по длине монокристаллического слитка, % Электрофизическое свойство
    3. Радиальное относительное отклонение удельного электрического сопротивления от среднего значения по торцу монокристаллического слитка, % Электрофизическое свойство
    4. Относительное отклонение средних значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, % Электрофизическое свойство
    5. Ориентация продольной оси монокристаллического слитка Кристаллографическое свойство
    6. Отклонение плоскости торцового среза от плоскости ориентации, ° Кристаллографическое свойство
    7. Концентрация атомов оптически активных примесей, см Химический состав
    7.1. Концентрация атомов оптически активного кислорода, см
    7.2. Концентрация атомов оптически активного углерода, см
    8. Геометрическая характеристика поперечного сечения монокристаллического слитка -
    8.1. Диаметр монокристаллического слитка, мм
    8.2. Интервал номинальных значений диаметров, мм
    8.3. Площадь поперечного сечения монокристаллического слитка, мм
    9. Отклонение диаметра монокристаллического слитка от номинального значения, мм -
    10. Длина монокристаллического слитка, мм -
    11. Плотность дислокаций, см Структурное совершенство
    12. Время жизни неравновесных носителей заряда, мкс, или диффузионная длина, мм Электрофизическое свойство
    13. Суммарная длина малоугловых границ, мм или доли диаметра Структурное совершенство
    14. Концентрация основных несителей заряда, см Электрофизическое свойство
    15. Относительное отклонение от номинального значения концентрации основных носителей заряда, % Электрофизическое свойство
    16. Подвижность основных носителей заряда, см/(В.с) Электрофизическое свойство
    17. Внешние дефекты (трещины, раковины, сколы) -
    18. Внутренние дефекты Структурное совершенство
    18.1. Раковины, трещины
    18.2. Наличие второй фазы
    18.3. Наличие двойниковых границ
    18.4. Наличие свирл-дефектов

    Примечания:
    1.Допускается использование других показателей качества, связанных с особенностями отдельных полупроводниковых материалов, по согласованию с потребителями.
    2.В качестве удельного электрического сопротивления используется один из показателей 1.1-1.3.
    В качестве геометрической характеристики поперечного сечения монокристаллического слитка используется один из показателей 8.1-8.3.
    Внутренние дефекты характеризуются показателем 18 или комплексом показателей 18.1-18.4.
    3.Для германия вместо показателя 4 используется показатель: "Относительное отклонение значений удельного электрического сопротивления торцов от номинального значения удельного электрического сопротивления, %".
    (Измененная редакция, Изм. N 1).
    2.ПРИМЕНЯЕМОСТЬ ПОКАЗАТЕЛЕЙ КАЧЕСТВА
    Применяемость показателей качества полупроводниковых материалов приведена в табл.2-6.
    Таблица 2
    Кремний монокристаллический
    Номер показателя качества Кремний моно- кристал- лический для полупро- водниковых приборов и микросхем Кремний моно- кристал- лический для эпитак- сиальных структур Кремний моно- кристал- лический для силовой полупро- водниковой техники Кремний монокристал- лический для фотоприем- ников Кремний монокристал- лический для источников тока Кремний монокристал- лический для детекторов ядерных излучений Кремний монокристал- лический водородный
    1 + + + + + + +
    2 + + + - - + +
    3 + + + ± - - -
    4 + + ± ± - - -
    5 + + + + + + +
    6 + + + + - + +
    7.1 + + + + - + +
    7.2 ± ± - - - - -
    8 + + + + + + +
    9 + + ± - - ± -
    10 + + + + + + +
    11 + + + + - + +
    12 ± ± + + + + +
    13 - - ± - - ± +
    17 + + + + + + +
    18.1 + + + + + + +
    18.4 ± ± - - - ± -

    Таблица 3
    Германий монокристаллический
    Номер показателя качества Германий монокристаллический для полупроводниковых приборов и микросхем Германий монокристаллический для эпитаксиальных структур Германий монокристаллический для оптоэлектроники Германий монокристаллический для ядерной спектрометрии
    1 + + ± ±
    2 ± ± - ±
    3 ± ± - ±
    4 + + - -
    5 + + + +
    6 - - - ±
    8 + + + +
    9 ± ± ± ±
    10 + + + +
    11 ± + ± +
    12 ± - - +
    13 ± ± - -
    14 - - - ±
    16 ± ± - ±
    17 + + + +
    18.1 + + + +
    18.2 ± - - ±
    18.3 + + + +

    Таблица 4
    Антимонид индия монокристаллический
    Номер показателя качества Антимонид индия для полупроводниковых приборов Антимонид индия для эпитаксиальных структур
    1 ± -
    5 + +
    6 ± +
    8 + +
    10 ± +
    11 + +
    12 ± -
    13 - +
    14 + +
    15 - +
    16 + +
    17 + +
    18 + +

    Таблица 5
    Арсенид галлия монокристаллический
    Номер показателя качества Арсенид галлия для полупроводниковых приборов, микросхем и эпитаксиальных структур Арсенид галлия для источников тока
    1 ± -
    5 + +
    6 + +
    8 + +
    9 + -
    10 + +
    11 + +
    14 + +
    15 + -
    16 + -
    17 + +
    18 ± ±

    Таблица 6
    Фосфид галлия, арсенид индия, фосфид индия монокристаллические
    Номер показателя качества Фосфид галлия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур Арсенид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур Фосфид индия для полупроводниковых приборов и эпитаксиальных структур
    1 ± - ±
    5 + + +
    6 + + +
    8 + + +
    9 + + +
    10 + + +
    11 + + +
    12 - - +
    13 - + +
    14 + + -
    15 + - -
    16 + - +
    17 + + +
    18 ± ± ±

    Примечание к табл.2-6. Знак "+" обозначает применение показателя качества, знак "-" обозначает неприменение показателя качества, знак "±" обозначает ограниченное применение показателя.
    (Измененная редакция, Изм. N 1).