| Термин | Определение |
| ОБЩИЕ ПОНЯТИЯ |
| 1. Запоминающее устройство ЗУ Storage unit | По ГОСТ 15971 |
| 2. Запоминающий элемент Storage element | Часть запоминающего устройства, предназначенная для хранения наименьшей единицы данных |
| 3. Ячейка запоминающего устройства Ячейка ЗУ Storage cell | Совокупность запоминающих элементов, реализующих ячейку памяти |
| 4. Содержимое запоминающего устройства Storage content | Данные, хранящиеся в запоминающем устройстве |
| ВИДЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
| 5. Оперативное запоминающее устройство ОЗУ Random access memory RAM | Запоминающее устройство, непосредственно связанное с центральным процессором и предназначенное для данных, оперативно участвующих в выполнении арифметико-логических операций |
| 6. Постоянное запоминающее устройство ПЗУ Read-only memory ROM | Запоминающее устройство, из которого может производиться только считывание данных |
| 7. Программируемое постоянное запоминающее устройство ППЗУ Programmed read-only memory PROM | Постоянное запоминающее устройство, в котором запись или смена данных проводится путем электрического, магнитного или светового воздействия на запоминающие элементы по заданной программе |
| 8. Внешнее запоминающее устройство ВЗУ External storage | Запоминающее устройство, подключаемое к центральной части вычислительной системы и предназначенное для хранения большого объема данных |
| 9. Запоминающее устройство на магнитных сердечниках ЗУМС Magnetic core film memory | - |
| 10. Запоминающее устройство на тонких магнитных пленках ЗУМП Magnetic thin film memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкий магнитный слой, нанесенный на подложку |
| 11. Индуктивное запоминающее устройство Inductor memory | Запоминающее устройство, использующее индуктивные свойства примененной в нем запоминающей среды |
| 12. Оптоэлектронное запоминающее устройство Optoelectronic memory | Запоминающее устройство, в котором используются свойства светового луча изменять физические соcтояния запоминающей среды |
| 13. Криогенное запоминающее устройство Cryogenic memory | Запоминающее устройство, в котором используется свойство сверхпроводимости при низких температурах |
| 14. Полупроводниковое запоминающее устройство Semiconductor memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой являются полупроводниковые элементы |
| 15. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных пленках ЗУЦМП Plated wire memory | Запоминающее устройство, в котором запоминающей средой является тонкая магнитная пленка, нанесенная на поверхность проволоки |
| 16. Запоминающее устройство на цилиндрических магнитных доменах Magnetic domain device | Запоминающее устройство, в котором запоминающими элементами являются цилиндрические магнитные домены в пластинах ортоферритов |
| 17. Конденсаторное запоминающее устройство Capacitor memory | Запоминающее устройство, использующее емкостные свойства примененной в нем запоминающей среды |
| 18. Статическое запоминающее устройство Static memory | Запоминающее устройство без регенерации данных при хранении |
| 19. Динамическое запоминающее устройство Dynamic memory | Запоминающее устройство с регенерацией данных при хранении |
| 20. Энергонезависимое запоминающее устройство Nonvolatile memory | Запоминающее устройство, содержимое которого сохраняется при отключенном электропитании |
| 21. Энергозависимое запоминающее устройство Volatile memory | Запоминающее устройство, содержимое которого не сохраняется при отключенном электропитании |
| СПОСОБЫ ДОСТУПА К ДАННЫМ, ЗАПИСАННЫМ В ЗАПОМИНАЮЩЕМ УСТРОЙСТВЕ |
| 22. Произвольный доступ к данным Random access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в любой последовательности |
| 23. Последовательный доступ к данным Sequential access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в определенной последовательности |
| 24. Ассоциативный доступ к данным Associative access | Способ доступа к данным, позволяющий обращаться к ячейкам запоминающего устройства в соответствии с признаками хранимых в них данных |
| 25. Системный доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках Core (ferrite) memory organization | Способ доступа к данным, определяемый системой организации запоминающего устройства на ферритовых сердечниках, характеризующийся количеством взаимодействующих адресных или адресно-разрядных токов. Примечание. Различают системы 2Д, 2Д, 3Д |
| ОСНОВНЫЕ ПАРАМЕТРЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
| 26. Информационная емкость запоминающего устройства Емкость Capacity | Наибольшее количество единиц данных, которое одновременно может храниться в запоминающем устройстве |
| 27. Цикл обращения к запоминающему устройству Access cycle | Минимальный интервал времени между двумя последовательными доступами к данным запоминающего устройства |
| 28. Время выборки данных Access time | Интервал времени между началом операции считывания и выдачей считанных данных из запоминающего устройства |
| 29. Время хранения данных Storage time | Интервал времени, в течение которого запоминающее устройство в заданном режиме сохраняет данные без регенерации |
| 30. Скорость передачи данных из (в) запоминающего(ее) устройства(о) Data transfer speed | Количество данных, считываемых (записываемых) запоминающим устройством в единицу времени |
| РЕЖИМЫ РАБОТЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
| 31. Запись данных Write | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется занесение данных в запоминающее устройство |
| 32. Считывание данных Read | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется получение данных из запоминающего устройства |
| 33. Считывание данных с разрушением Destructive read | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, вызывающее их стирание |
| 34. Считывание данных без разрушения Non-destructive read NDR | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется считывание данных, не вызывающее их стирание |
| 35. Регенерация данных Refresh | Режим работы запоминающего устройства, в процессе которого осуществляется перезапись хранящихся данных с целью их сохранения |
| 36. Хранение данных Holding | Режим работы запоминающего устройства после записи или регенерации данных, обеспечивающий возможность их последующего считывания в произвольный момент времени |
| ОСНОВНЫЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ УЗЛЫ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
| 37. Узел выборки адреса Adress unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для реализации доступа к запоминающей ячейке путем преобразования кода адреса в соответствующие ему сигналы на входе запоминающего узла |
| 38. Запоминающий узел Memory unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для непосредственного хранения данных |
| 39. Узел считывания данных Sensing unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования локальных физических состояний запоминающей среды в электрические сигналы |
| 40. Узел записи данных Writing unit | Функциональный узел запоминающего устройства, предназначенный для преобразования электрических сигналов в локальные физические состояния запоминающей среды |
| ТЕСТЫ КОНТРОЛЯ ЗАПОМИНАЮЩИХ УСТРОЙСТВ |
| 41. Статический тест контроля запоминающего устройства Static test | Режим проверки запоминающего устройства, при котором первоначально записанные данные не меняются |
| 42. Тест "Тяжелый код" контроля запоминающего устройства | Статический тест контроля запоминающего устройства, позволяющий получить максимальный сигнал помехи считанного нуля |
| 43. Динамический тест контроля запоминающего устройства Dynamic test | Режим проверки запоминающего устройства, при котором записываемые данные с каждым циклом обращения меняются |
| 44. Тест "Дождь" контроля запоминающего устройства | Динамический тест контроля запоминающего устройства, в котором записываемая информация определяется состоянием двоичного счетчика считанных единиц |
| ВЗУ | 8 |
| Время выборки данных | 28 |
| Время хранения данных | 29 |
| Доступ к данным ассоциативный | 24 |
| Доступ к данным запоминающего устройства на ферритовых сердечниках системный | 25 |
| Доступ к данным последовательный | 23 |
| Доступ к данным произвольный | 22 |
| Емкость | 26 |
| Емкость запоминающего устройства информационная | 26 |
| Запись данных | 31 |
| ЗУ | 1 |
| ЗУМП | 10 |
| ЗУМС | 9 |
| ЗУЦМП | 15 |
| ОЗУ | 5 |
| ПЗУ | 6 |
| ППЗУ | 7 |
| Регенерация данных | 35 |
| Скорость передачи данных из (в) запоминающего(ее) устройства(о) | 30 |
| Скорость передачи данных из запоминающего устройства | 30 |
| Содержимое запоминающего устройства | 4 |
| Считывание данных | 32 |
| Считывание данных без разрушения | 34 |
| Считывание данных с разрушением | 33 |
| Тест "Дождь" контроля запоминающего устройства | 44 |
| Тест контроля запоминающего устройства динамический | 43 |
| Тест контроля запоминающего устройства статический | 41 |
| Тест "Тяжелый код" контроля запоминающего устройства | 42 |
| Узел выборки адреса | 37 |
| Узел записи данных | 40 |
| Узел запоминающий | 38 |
| Узел считывания данных | 39 |
| Устройство запоминающее | 1 |
| Устройство запоминающее внешнее | 8 |
| Устройство запоминающее динамическое | 19 |
| Устройство запоминающее индуктивное | 11 |
| Устройство запоминающее конденсаторное | 17 |
| Устройство запоминающее криогенное | 13 |
| Устройство запоминающее оперативное | 5 |
| Устройство запоминающее оптоэлектронное | 12 |
| Устройство запоминающее полупроводниковое | 14 |
| Устройство запоминающее постоянное | 6 |
| Устройство запоминающее постоянное программируемое | 7 |
| Устройство запоминающее статическое | 18 |
| Устройство запоминающее энергозависимое | 21 |
| Устройство запоминающее энергонезависимое | 20 |
| Устройство на магнитных сердечниках запоминающее | 9 |
| Устройство на тонких магнитных пленках запоминающее | 10 |
| Устройство на цилиндрических магнитных доменах запоминающее | 16 |
| Устройство на цилиндрических магнитных пленках запоминающее | 15 |
| Хранение данных | 36 |
| Цикл обращения к запоминающему устройству | 27 |
| Элемент запоминающий | 2 |
| Ячейка запоминающего устройства | 3 |
| Ячейка ЗУ | 3 |