| Год | План по Подпрограмме (в ценах мая 1998 г.) | Факт на 01.01.2003 г. | Дата открытия финансирования | ||||
| Всего | Россия | Беларусь | Всего | Россия | Беларусь | ||
| 2000 | 34860,0 | 22260,0 | 12600,0 | 19156,6 | 19156,6 | - | сентябрь |
| 2001 | 30230,0 | 20150,0 | 10080,0 | 45209,0 | 30797,4 | 14411,6 | март |
| 2002 | 20150,0 | 13740,0 | 6410,0 | 20150,0 | 11486,0 | 8664,0 | апрель |
| 2003 | 7760,0 | 5290,0 | 2470,0 | - | - | - | |
| ВСЕГО | 93000,0 | 61440,0 | 31560,0 | 84515,6 | 61440,0 | 23075,6 | |
┌─────────────────────────────┬──────┬─────┬─────┬─────┬─────┬──────┐ │ Объемы и распределение │Всего │2000 │2001 │2002 │2003 │ 2004 │ │ расходов │ │ г. │ г. │ г. │ г. │ г. │ ├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤ │Всего, │345700│19157│71150│53560│89540│112293│ │из них: Республика Беларусь │142200│ - │22803│20074│39490│ 59833│ │ Российская Федерация,│203500│19157│48347│33486│50050│ 52460│ │в том числе: │ │ │ │ │ │ │ ├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤ │Средства бюджета Союзного │ │ │ │ │ │ │ │государства │ │ │ │ │ │ │ │всего, │132207│19157│45900│20150│26984│ 20016│ │из них: Республика Беларусь │ 39807│ - │15103│ 8664│ 8484│ 7556│ │ Российская Федерация │ 92400│19157│30797│11486│18500│ 12460│ ├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤ │Внебюджетные средства │ │ │ │ │ │ │ │всего, │213493│ - │25250│33410│62556│ 92277│ │из них: Республика Беларусь │102393│ - │ 7700│11410│31006│ 52277│ │ Российская Федерация │111100│ - │17550│22000│31550│ 40000│ └─────────────────────────────┴──────┴─────┴─────┴─────┴─────┴──────┘
Примечание. Расчет расходов на Подпрограмму произведен во II квартале 2002 г.
┌──────────────────┬────────────┬────────┬─────────────────────────────────────────────────────┬──────┬──────────────────────────┐ │Наименование │Организация-│Сроки │Сметная стоимость работ по годам │Рас- │Основные полученные или │ │работ Подпрограммы│исполнитель │выполне-│(до 2004 г. включительно), тыс. руб. │преде-│ожидаемые результаты │ │ │ │ния ├────────┬────────────────────────────────────────────┤ление │за 2000 - 2002 гг. │ │ │ │(год, │Всего │В том числе: │бюдже-│Основные ожидаемые │ │ │ │квартал)│за ├───────────────────────────────────┬────────┤тного │результаты │ │ │ │ │2000 - │бюджет Союзного государства │Внебюд- │финан-│на 2003 - 2004 гг. │ │ │ │ │2004 ├─────┬─────┬────┬─────┬─────┬──────┤жетные │сиро- │ │ │ │ │ │гг. │2000 │2002 │2003│2003 │2004 │Всего │средства│вания,│ │ │ │ │ │ │- │г. │г. │г. │г. │за │за │тыс. │ │ │ │ │ │ │2001 │ │План│Пред-│Пред-│2000 -│2000 - │руб., │ │ │ │ │ │ │гг. │ │ │ложе-│ложе-│2004 │2004 │РФ/РБ │ │ │ │ │ │ │Факт │ │ │ние │ние │гг. │гг. │ │ │ ├──────────────────┴────────────┴────────┴────────┴─────┴─────┴────┴─────┴─────┴──────┴────────┴──────┴──────────────────────────┤ │ 1. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ ДВОЙНОГО ПРИМЕНЕНИЯ │ ├──────────────────┬────────────┬────────┬────────┬─────┬─────┬────┬─────┬─────┬──────┬────────┬──────┬──────────────────────────┤ │1.1. Разработка │НПО │2000 г. │ 52998 │ 8800│ 2370│1800│ 4068│ 4731│ 19969│ 33029 │13146/│Микросхема 16-разрядного │ │серии 16-ти │"Интеграл", │III кв.;│ │ │ │ │ │ │ │ │ 6823 │микроконтроллера с │ │разрядных │ОАО │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │RISC-архитектурой. │ │микроконтроллеров │"Ангстрем" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан эскизный │ │для систем │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект. Изготовлены │ │цифровой обработки│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │и исследованы │ │сигналов и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │комплекта │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет разработана рабочая │ │программно - │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │КД, ТД, проект ТУ. │ │аппаратных │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │средств, в том │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │числе для системы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Микросхемы │ │"ГЛОНАСС", включая│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │приемопередатчика │ │1806ВМ3 и 1806ВМ4.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │манчестерского кода, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │автокомпенсатора, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │нерекурсивного цифрового │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │фильтра. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены и исследованы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Начата разработка рабочей │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │КД и ТД. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Микросхемы 6-канального │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │цифрового коррелятора │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │обработки │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │радионавигационных │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │сигналов │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"ГЛОНАСС/НАВСТАР", │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │КМОП 16-разрядного │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │процессора обработки чисел│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с фиксированной запятой, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │32-разрядного сопроцессора│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │обработки чисел с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │плавающей запятой. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены и исследованы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Все разработанные изделия │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │будут поставлены на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.2. Разработка │НПО │2000 г. │ 34277 │ 4990│ 2800│2827│ 1960│ 1570│ 11320│ 22957 │ 3245/│Серия стандартных линейных│ │серии стандартных │"Интеграл", │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 8075 │интегральных микросхем │ │линейных микросхем│ОАО "НИИМЭ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(аналоги LM117, LM158, │ │(ан. LM117, LM158,│и Микрон" │II кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │LM193, LM124, LM139, │ │LM193 и др.). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │MC78XX, MC79XX). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены и исследованы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделия будут поставлены │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.3. Разработка │НПО │2000 г. │ 23991 │ 4509│ 950│ -│ 911│ 1870│ 8240│ 15751 │ 1773/│Микросхема 8-разрядного │ │контроллеров ЖКИ │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 6467 │микроконтроллера │ │для устройств │ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с системой команд │ │отображения │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │семейства MSC-51 и │ │информации средней│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │встроенным драйвером ЖКИ. │ │и большой │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены и исследованы │ │информативности. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Микросхемы драйверов │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ 2 │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │сегментных ЖКИ с I C │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │интерфейсом (аналоги │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │PCF8576, PCF8577). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан технический │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект. Изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │исследованы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут разработаны рабочая │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │КД и ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Все разработанные изделия │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │будут поставлены на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.4. Разработка │ОАО │2000 г. │ 14123 │ 2520│ 3200│ -│ -│ -│ 5720│ 8403 │ 5720/│Контроллеры ЖКИ для │ │контроллеров ЖКИ │"Ангстрем" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│устройств отображения │ │для устройств │ │2002 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │информации с техническими │ │отображения │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │характеристиками, │ │информации с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующими аналогам │ │техническими │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │SED1670, 1606. │ │характеристиками, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны и исследованы │ │соответствующими │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │аналогам SED1670, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД и │ │1606. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены опытные │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │образцы. Изделия │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │поставлены на серийное │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.5. Разработка │ОАО │2000 г. │ 15664 │ 2860│ 520│ -│ 2964│ -│ 6344│ 9320 │ 6344/│Серия микросхем КМОП БМК │ │серии микросхем │"Ангстрем" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│с количеством вентилей 10,│ │КМОП БМК с │ │2003 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │30, 60 и 100 тысяч. │ │количеством │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны и исследованы │ │вентилей 10, 30, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные образцы.│ │60 и 100 тысяч. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделие будет поставлено │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.6. Разработка │ОАО │2000 г. │ 18328 │ 1115│ -│ -│ 1800│ 4508│ 7423│ 10905 │ 7423/│Микросхемы аналого - │ │микросхем │"Ангстрем" │I кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│цифровых БиКМОП БМК. │ │аналого-цифровых │ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Начата разработка │ │БиКМОП БМК. │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технического проекта. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут разработаны и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │исследованы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │экспериментальные │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │образцы. Будут разработаны│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │рабочая КД и ТД, проект │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТУ. Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделие будет поставлено │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.7. Разработка │ОАО │2000 г. │ 11983 │ 2570│ 976│ -│ 500│ 807│ 4853│ 7130 │ 4853/│БИС СОЗУ емкостью 1М │ │КМОП статических │"Ангстрем", │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│(128Кх8). │ │ОЗУ емкостью │ОАО "НИИМЭ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан технический │ │1Мбит. │и Микрон" │II кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект. Разработаны │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │рабочая КД и ТД, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделие будет поставлено │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.8. Разработка │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │серии стандартных │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │аналоговых │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │микросхем, в том │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │числе: │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.8.1. Разработка │ОАО "НИИМЭ │2000 г. │ 3901 │ 1580│ -│ -│ -│ -│ 1580│ 2321 │ 1580/│Разработана архитектура │ │КМОП АЦП и │и Микрон" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│КМОП АЦП и │ │быстродействующих │ │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │быстродействующих 10 и │ │10 и 12-разрядных │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │12-разрядных АЦП │ │АЦП конвейерного │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │конвейерного типа. │ │типа. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Работы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │прекращены по причине │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │дублирования с ОКР, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │выполняемыми в рамках │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │государственного │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │оборонного заказа. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Полученные результаты │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │используются при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │выполнении ОКР "Ириска" │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │и др. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │1.8.2. Разработка │ОАО "НИИМЭ │2000 г. │ 815 │ 330│ -│ -│ -│ -│ 330│ 485 │ 330/│Разработаны архитектура и │ │ряда КМОП │и Микрон" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│эскизные электрические │ │малошумящих │ │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │схемы КМОП малошумящих │ │быстродействующих │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │быстродействующих │ │операционных │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │операционных усилителей, │ │усилителей. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведено предварительное │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │моделирование. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Работа │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │прекращена по причине │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │недостаточности │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │финансирования и будет │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │продолжена с 2004 года │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │в рамках новой программы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Союзного государства │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"База-2". │ ├──────────────────┴────────────┴────────┴────────┴─────┴─────┴────┴─────┴─────┴──────┴────────┴──────┴──────────────────────────┤ │ 2. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ СПЕЦИАЛЬНОГО НАЗНАЧЕНИЯ │ ├──────────────────┬────────────┬────────┬────────┬─────┬─────┬────┬─────┬─────┬──────┬────────┬──────┬──────────────────────────┤ │2.1. Разработка │ОАО │2000 г. │ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│Работа не выполнялась │ │комплекта │"Ангстрем" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │из-за потери актуальности │ │32-разрядных │ │2000 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на этапе разработки ТЗ. │ │процессоров и │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │периферийных схем │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с RISC - │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │архитектурой с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │характеристиками, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующими │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │аналогам R3000 │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(R3010) ф. IDT и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │80860 ф. INTEL. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.2. Разработка и │НПО │2000 г. │ 15952 │ 4380│ 1000│1920│ 1920│ -│ 7300│ 8652 │ 2808/│Быстродействующие КМОП │ │освоение │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 4492 │логические ИС, устойчивые │ │быстродействующих │ │2003 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │к спецфакторам (аналоги │ │КМОП логических │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │серии 54АСТ, 40 типов). │ │ИС, устойчивых к │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны рабочая КД и │ │спецфакторам │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ТД, проект ТУ. │ │(аналоги серии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлены и испытаны │ │54АСТ, 40 типов). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет проведена │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │корректировка КД, ТД, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проекта ТУ. Изделие будет │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │поставлено на серийное │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.3. Разработка │НПО │2000 г. │ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│Работа не выполнялась │ │низковольтных КМОП│"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │из-за потери актуальности │ │логических ИС, │ │2000 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на этапе разработки ТЗ. │ │устойчивых к │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │спецфакторам │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(аналоги серии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │54/LVXXX). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.4. Разработка │НПО │2000 г. │ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│Работа не выполнялась │ │КМОП логических │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │из-за потери актуальности │ │ИС, устойчивых к │ │2000 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на этапе разработки ТЗ. │ │спецфакторам │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(аналоги серии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │54HCXXX). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.5. Разработка │НПО │2000 г. │ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│ -│Работа не выполнялась │ │элементной базы │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │из-за потери актуальности │ │КМОП логических │ │2000 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на этапе разработки ТЗ. │ │ИС, устойчивых к │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │спецфакторам │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(аналоги серии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │4000В). │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.6. Разработка │ОАО │2000 г. │ 17789 │ 950│ 630│ -│ 3156│ 2469│ 7205│ 10584 │ 7205/│БИС КМОП ПЗУ емкостью 2М. │ │БИС КМОП ПЗУ │"Ангстрем" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│Разработан технический │ │емкостью 2М. │ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект. Разработаны │ │ │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │рабочая КД и ТД, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделие будет поставлено │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.7. Разработка │НПО │2000 г. │ 10336,4│ 1260│ 900│ -│ 967│ 900│ 4027│ 6309,4│ 995/│КМОП СБИС постоянного │ │КМОП СБИС │"Интеграл" │I кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 3032 │масочного запоминающего │ │постоянного │ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │устройства емкостью 1М, │ │масочного │ │II кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │устойчивого к │ │запоминающего │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │спецфакторам. │ │устройства │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан технический │ │емкостью 1М, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект. Разработаны │ │устойчивого к │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │рабочая КД и ТД, │ │спецфакторам. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проект ТУ. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут изготовлены и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │испытаны опытные образцы. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изделие будет поставлено │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │на серийное производство. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │2.8. Разработка │НПО │2000 г. │ 2840 │ 1150│ -│ -│ -│ -│ 1150│ 1690 │ 550/│Разработан функциональный │ │библиотеки │"Интеграл", │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 600 │состав и схемы │ │элементов │ОАО "НИИМЭ │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │электрические библиотечных│ │специализированных│и Микрон" │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │элементов. │ │заказных БИС. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Выполнение │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания прекращено в связи│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с началом работ по │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │направлениям 16, 42 │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │раздела II российской ФЦП │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Национальная │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологическая база". │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Полученные при выполнения │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания результаты │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │используются при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведении этих работ и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующих НИОКР │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │по белорусской │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │национальной программе │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Белэлектроника". │ ├──────────────────┴────────────┴────────┴────────┴─────┴─────┴────┴─────┴─────┴──────┴────────┴──────┴──────────────────────────┤ │ 3. ТЕХНОЛОГИИ ДЛЯ СОЗДАНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ ЭЛЕМЕНТНОЙ БАЗЫ │ ├──────────────────┬────────────┬────────┬────────┬─────┬─────┬────┬─────┬─────┬──────┬────────┬──────┬──────────────────────────┤ │3.1. Разработка │НПО │2000 г. │ 17271 │ 290│ 950│ -│ 820│ 2000│ 4060│ 13211 │ 522/│Разработан технологический│ │технологии и │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 3538 │маршрут. Проведены │ │конструкции │ │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологические │ │элементной базы │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │исследования и определена │ │для изготовления │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │структура технологических │ │КМОП универсальных│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │процессов. │ │микроконтроллеров │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет разработана опытная │ │с 0,8 мкм │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технология. Будут │ │проектной нормой. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведены опытные партии. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.2. Разработка │НПО │2000 г. │ 13975 │ 3450│ 964│1246│ 1246│ -│ 5660│ 8315 │ 2033/│Проведены технологические │ │технологии и │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 3627 │исследования и определена │ │библиотеки │ │2003 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │структура технологических │ │проектирования │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │процессов. │ │микроконтроллеров │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработана опытная │ │с RISC - │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технология. │ │архитектурой с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будут проведены опытные │ │0,8 мкм проектными│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │партии. │ │нормами. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.3. Разработка │НПО │2000 г. │ 2765 │ 1120│ -│ -│ -│ -│ 1120│ 1645 │ 170/│Разработан технологический│ │конструкции и │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 950 │маршрут изготовления │ │технологии │ │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │тестового кристалла. │ │изготовления │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработаны типовая │ │элементной базы │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │структура и правила │ │БиКМОП СБИС с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проектирования тестового │ │0,8 - 1,0 мкм │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │БиКМОП кристалла. │ │проектными │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Выполнение │ │нормами. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания прекращено в связи│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с началом работ по │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │направлению 15 раздела II │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │российской ФЦП │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Национальная │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологическая база". │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Полученные при выполнения │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания результаты │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │используются при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведении этих работ и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующих НИОКР │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │по белорусской │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │национальной программе │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Белэлектроника". │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.4. Разработка │НПО │2000 г. │ 25242 │10223│ -│ -│ -│ -│ 10223│ 15019 │ 9920/│Разработан проект базового│ │технологии │"Интеграл", │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 303 │технологического маршрута │ │структур СБИС с │ОАО │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │изготовления тестового │ │топологическими │"Ангстрем", │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │кристалла уровня 0,5 мкм, │ │нормами до │ОАО │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │осуществлено │ │0,5 мкм. │"НИИМЭ и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проектирование тестового │ │ │Микрон" │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │кристалла, изготовлены │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │образцы пластин с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │тестовыми кристаллами │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │уровня 0,5 мкм. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Выполнение │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания прекращено в связи│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с началом аналогичных │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │работ по направлению 15 │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │раздела II российской ФЦП │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Национальная │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологическая база". │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Полученные при выполнения │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания результаты │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │используются при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведении этих работ и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующих НИОКР │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │по белорусской │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │национальной программе │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Белэлектроника". │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.5. Разработка │НПО │2000 г. │ 35347 │ 7760│ -│ -│ 5378│ 1161│ 14299│ 21048 │12399/│Разработан технологический│ │конструкции и │"Интеграл", │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ 1900 │маршрут, разработаны │ │технологии │ОАО │2004 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │типовая структура │ │элементной базы │"НИИМЭ и │II кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │биполярной высоковольтной │ │аналоговых │Микрон" │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │(до 40В) ИС и правила │ │высоковольтных ИС │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проектирования тестового │ │и технологии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │кристалла. Разработаны │ │формирования │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │состав тестовой матрицы, │ │структур типа │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │топология тестовой │ │кремний на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │матрицы, ЭКД и ЭТД. │ │изоляторе для │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Изготовлен комплект │ │расширенного │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │фотошаблонов, изготовлены │ │класса СБИС, │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │эпитаксиальные структуры. │ │включая │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан технологический│ │высоковольтные. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │маршрут формирования │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │структур типа кремний на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │изоляторе для расширенного│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │класса СБИС, включая │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │высоковольтные. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет разработана опытная │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технология формирования │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │структур типа кремний на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │изоляторе для расширенного│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │класса СБИС, включая │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │высоковольтные. │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.6. Разработка │ОАО "НИИМЭ │2000 г. │ 14787 │ 2870│ 3120│ -│ -│ -│ 5990│ 8797 │ 5990/│Разработаны │ │технологических │и Микрон" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│технологические процессы │ │процессов │ │2002 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │нанесения диэлектрических │ │нанесения │ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │покрытий и планаризации │ │диэлектрических │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │поверхности пластин в │ │покрытий и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │обеспечение разработки │ │планаризации │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │производства СБИС с │ │поверхности │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │субмикронными проектными │ │пластин в │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │нормами. │ │обеспечение │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │разработки и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │производства СБИС │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с субмикронными │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проектными │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │нормами. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.7. Разработка │ОАО │2000 г. │ 12723 │ 2090│ 1770│ -│ 1294│ -│ 5154│ 7569 │ 5154/│Разработан │ │технологии │"НИИМЭ и │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│технологический маршрут. │ │глобальной │Микрон" │2003 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Проведены технологические │ │планаризации │ │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │исследования. Проведены │ │топологического │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │опытные партии, │ │рельефа при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │изготовлены и исследованы │ │изготовлении СБИС │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │опытные образцы структур с│ │с проектными │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │глобально планаризованными│ │нормами 0,5 мкм и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │слоями диэлектриков. │ │менее на основе │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет разработана │ │применения │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │техническая документация. │ │процесса │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Будет проведена аттестация│ │химико - │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологических процессов.│ │механической │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │полировки. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │3.8. Разработка │НПО │2000 г. │ 593 │ 240│ -│ -│ -│ -│ 240│ 353 │ 240/│Исследованы процессы │ │технологического │"Интеграл" │III кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ -│планаризации рельефа при │ │процесса создания │ │2001 г. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │формировании многослойной │ │блока многослойной│ │IV кв. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │металлизации ИС на основе │ │(3 - 4 слоя) │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │жидких стекол, наносимых │ │металлизированной │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │методом центрифугирования.│ │разводки с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Разработан технологический│ │использованием │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │маршрут и проведена │ │технологии │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │подготовка к изготовлению │ │планаризации с │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │опытных образцов. │ │жидкими стеклами. │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Примечание. Выполнение │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания прекращено в связи│ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │с началом работ по │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │направлению 15 раздела II │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │российской ФЦП │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Национальная │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │технологическая база". │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │Полученные при выполнения │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │задания результаты │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │используются при │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │проведении этих работ и │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │соответствующих НИОКР │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │по белорусской │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │национальной программе │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │"Белэлектроника". │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┼─────┼─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │Всего, в т.ч.: │ │ │345700 │65057│20150│7793│26984│20016│132207│213493 │ │ │ │РФ │ │ │203500 │49954│11486│ -│18500│12460│ 92400│111100 │ │ │ │РБ │ │ │142200 │15103│ 8664│7793│ 8484│ 7556│ 39807│102393 │ │ │ ├──────────────────┼────────────┼────────┼────────┼─────┼─────┼────┴─────┴─────┼──────┼────────┼──────┼──────────────────────────┤ │Требуется │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │дополнительно на │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │ │2003 - 2004 гг.: │ │ │ │ │ │ 38516 │ │ │ │ │ │РФ │ │ │ │ │ │ 30960 │ │ │ │ │ │РБ │ │ │ │ │ │ 7556 │ │ │ │ │ └──────────────────┴────────────┴────────┴────────┴─────┴─────┴────────────────┴──────┴────────┴──────┴──────────────────────────┘
Примечание. 1. Корректировка Подпрограммы осуществляется в обоснованных случаях в установленном порядке.
Наименование "Создание и серийное производство
основной автоматизированных систем управления, бортовой
Программы радиолокационной аппаратуры, изделий бытовой
радио- и электротехники".
Уровень, дата и
номер решений:
о разработке Перечень межгосударственных совместных
основной программ, одобренный Решением Исполкома
Программы; Сообщества Беларуси и России от 4 сентября
1996 г. (приложение N 1 к Протоколу N 4,
раздел III, п. 18).
об утверждении
основной Программы.
Наименование "Разработка и освоение серий цифровых,
Подпрограммы цифро-аналоговых, аналоговых интегральных
микросхем для аппаратуры специального
назначения и двойного применения".
Уровень, дата и
номер решений:
о разработке Протокол совместного совещания представителей
Подпрограммы; Минпрома Беларуси, Миноборонпрома России и
Исполнительного Комитета Сообщества Беларуси и
России от 24.01.1997 г.
об утверждении Постановление Исполкома Союза Беларуси и
Подпрограммы; России от 12 февраля 1999 г. N 2.
об утверждении Постановление Совета Министров Союзного
предложения по государства от "__" __________ 2003 г. N ___.
продлению на
один год срока
реализации
Подпрограммы и
по ее изменению
Государственный Министерство промышленности, науки и
заказчик - технологий Российской Федерации.
координатор
Государственный Министерство промышленности Республики
заказчик Беларусь.
Основные Головной исполнитель - научно-техническая
разработчики ассоциация "Субмикро",
и исполнители генеральный директор Петухов Анатолий Евсеевич
Подпрограммы - руководитель Подпрограммы;
124482, Москва, Зеленоград, корп. 313А,
тел. (095) 536-5011, факс (095) 536-6934.
Исполнители:
от Республики Беларусь: УП "Белмикросистемы"
НПО "Интеграл" (г. Минск);
от Российской Федерации: ОАО "Ангстрем", ОАО
"НИИМЭ и Микрон" (г. Москва).
Цели и задачи Разработка и освоение серий цифровых,
Подпрограммы, цифро-аналоговых, аналоговых микросхем для
важнейшие целевые приоритетных отраслей промышленности, бытовой
показатели техники и аппаратуры специального и двойного
назначения.
Разработка микросхем для изделий спецтехники,
включая интегральные схемы повышенной
устойчивости к специальным факторам,
повышенной помехозащищенности и надежности, в
соответствии с реализуемыми и перспективными
программами создания систем вооружений и
военной техники (включая автоматизированные
системы управления и специальную бортовую
аппаратуру).
Разработка ряда новых технологий для создания
электронной элементной базы.
Сроки и этапы Выполнение всех заданий Подпрограммы
реализации планируется на период со II кв. 2000 г.
Подпрограммы по IV кв. 2004 г.
На первом этапе разрабатываются комплекты
эскизной конструкторской и технологической
документации (ЭКД, ЭТД), изготавливаются
экспериментальные образцы.
На втором этапе планируется изготовление
опытных образцов, комплектов КД и ТД.
На третьем этапе планируется серийное освоение
разработанных изделий и технологических
процессов.
Перечень Раздел 1 "Разработка и освоение серий
составных частей цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
Подпрограммы интегральных микросхем двойного применения",
и основных в том числе 16- и 32-разрядных процессоров и
мероприятий, микроконтроллеров, специализированных БИС ЦОС,
их исполнители, контроллеров ЖКИ, стандартных линейных
сроки реализации микросхем, БМК от 10 до 100К вентилей,
аналого-цифровых матриц на основе КМОП
технологий, операционных усилителей.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл",
ОАО "Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Раздел 2 "Разработка и освоение серий
цифровых, аналоговых и цифро-аналоговых
интегральных микросхем специального
назначения", в том числе серий стандартных
цифровых логических интегральных схем, 1М и 2М
КМОП СБИС ПЗУ, устойчивых к специальным
факторам.
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Раздел 3: "Разработка технологии создания
электронной элементной базы".
УП "Белмикросистемы" НПО "Интеграл", ОАО
"Ангстрем", ОАО "НИИМЭ и Микрон".
2000 - 2004 гг.
Объемы и основные Подпрограмма финансируется на 38,2% за счет
источники средств бюджета Союза Беларуси и России и
финансирования, Союзного государства, а на 61,8% - за счет
направления внебюджетных средств.
расходования Средства бюджета Союза Беларуси и России и
финансовых Союзного государства направляются на
средств. выполнение ОКР.
Всего, в т.ч. Внебюджетные средства направляются на
по годам обеспечение выполнения ОКР и на внедрение их
результатов в производство на предприятиях -
исполнителях Подпрограммы.
тыс. российских рублей
┌─────────────────────────────┬──────┬─────┬─────┬─────┬─────┬──────┐
│ Объемы и распределение │Всего │2000 │2001 │2002 │2003 │ 2004 │
│ расходов │ │ г. │ г. │ г. │ г. │ г. │
├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤
│Всего, │345700│19157│71150│53560│89540│112293│
│из них: Республика Беларусь │142200│ -│22803│20074│39490│ 59833│
│ Российская Федерация,│203500│19157│48347│33486│50050│ 52460│
│в том числе: │ │ │ │ │ │ │
├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤
│Средства бюджета Союзного │ │ │ │ │ │ │
│государства │ │ │ │ │ │ │
│всего, │132207│49157│45900│20150│26984│ 20016│
│из них: Республика Беларусь │ 39807│ -│15103│ 8664│ 8484│ 7556│
│ Российская Федерация │ 92400│19157│30797│11486│18500│ 12460│
├─────────────────────────────┼──────┼─────┼─────┼─────┼─────┼──────┤
│Внебюджетные средства │ │ │ │ │ │ │
│всего, │213493│ -│25250│33410│62556│ 92277│
│из них: Республика Беларусь │102393│ -│ 7700│11410│31006│ 52277│
│ Российская Федерация │111100│ -│17550│22000│31550│ 40000│
└─────────────────────────────┴──────┴─────┴─────┴─────┴─────┴──────┘
Конечные Разработка, организация производства и
результаты поставки серий новых микросхем для систем
реализации вооружений и военной техники, приоритетных
Подпрограммы, отраслей промышленности (машиностроения,
сроки возвратности средств связи и телекоммуникаций, бытовой
средств техники и др.). Сроки окупаемости в
зависимости от типа изделия составят от 2 до 4
лет.
Система Работы головного исполнителя и исполнителей
организации и Подпрограммы организуют и контролируют
контроля за Государственный заказчик-координатор и
исполнением Государственный заказчик. Общий контроль
Подпрограммы осуществляет Постоянный Комитет Союзного
государства.